Способ изготовления мультискана

Способ изготовления мультискана

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

СОЮЗ СО8ЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН (51)4 Н 01 L 31/18

1.„1

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н А BTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21) 3871120/24-25 (22) 25.03.85 (46) 23.01.87. Бюл. У 3 (71) Ордена Ленина физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе (72) К.Ф.Берковская, Н.В.Кириллова, Б,Г,Подласкин, В.M.Ñòoëoâèöêèé и В.Л.Суханов (53) 621.382(088.8) (56) Патент Великобритании и 1313167, кл. Н 1 К, опублик. 1969.

Авторское свидетельство СССР

У 652829, кл. Н 01 L 31/04, 1980. (54) (57) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИУЛЬТИСКАНА, включающий создание изолирующих областей в кремниевой пластине п(р)-типа проводимости, вскрытие..SU„„1285545 А1 дна изолирующих областей, формирование областей p(n) типа проводимости, создание резистивных областей, объединяющих (р) и-области в изолированных карманах, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью повышения разрешающей способности мультискана и выхода годных после создания изолирующих областей, с противоположной стороны пластины удаляют слой материала, не вскрывая дно изолирующих областей, осуществляют формирование

p(n) и резистивных областей путем диффузии примеси на глубину, перекрывающую дно изолирующих областей, а вскрытие дна изолирующих областей, осуществляют локально после нанесения контактов.

1285545

Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к технологии изготовления кремниевых фоточувствительных преобразователей— мультисканов. 5

Цель изобретения — повышение разрешающей способности мультискана и выхода годных после создания изолирующих областей.

На чертеже изображена структурная схема мультискана.

Мультискан содержит диэлектрическую подложку 1 изолирующие области 2, изолирующий слой 3, участки дискретного базового слоя 4, токоотводящий слой 5, делительные слои 6 и 7, контакты 8 — 10.

Пример., В качестве исходного материала выбирают и-Si с удельным сопротивлением 7,5 Ом.см. Пластины ориентируют в плоскости (110), их исходная толщина составляет 600 мкм.

Пластины рельефно вертикально протравливают в участках изолирующих областей на глубину 8 мкм. Расположением изолирующих областей 2 закладывается шаг элементарных ячеек (10 мкм). Рельеф окисляют, наращивают слой окисла толщиной 1 мкм. Затем производят осаждение поликремния при

1100 С. После этого производят прецизионную шлифовку пластины со стороны, противоположной нанесенному рельефу. Предусмотрены специальные реперные изолирующие области, которые 35 протравливают на глубину 12 мкм. С помощью этих реперов шлифовку останавливают за 4 мкм до выхода на дно изо- лирующих областей: сигналом к прекращению шлифовки является выход на 4О дно реперных областей.

Лицевую сторону пластины отмывают и окисляют в атмосфере сухого кисло- . рода в присутствии хлорсодержащих веществ, что обеспечивает фиксированный45 заряд на поверхности 10 см и плотм ность поверхностных состояний

10 см эВ . Затем вскрывают окна в окисле под токоотводящие 5 и делительные 6 и 7 слои. Проводят диффузию бора на глубину 4 мкм с тем, чтобы граница диффузионной области располагалась на 2 мкм глубже, чем дно изолирующих областей 2. Таким образом, границы р-и-переходов выходят к слою окисла, покрывающему рельеф изолирующих областей 2. Далее наносят по всей поверхности слой алюминия, фотогравировкой оставляют слои метал— ла только в местах расположения контактов к токоотводящему слою 8 и

k делительным слоям 9 и 10.

В соответствии с заданной формой мультискана, а именно с его длиной

18 мм и шириной 270 мкм, осуществляют локальное вскрытие дна изолирующих областей 2. Для этого между токоотводящим слоем 5 и обоими делительными слоями 6 и 7 вытравливают канавки на глубину 4 мкм. Задана ширина апертуры мультискана — его фотоприемной площадки — 250 мкм, причем на делительные и токоотводящий слои при-. ходится 210 мкм, на и-базовый слой

20x2=40 мкм. Ширину канавок выбирают по 10 мкм с тем, чтобы гарантировать удаление и-базового слоя 4 по всей длине мультискана вдоль слоев 5 — 7.

Таким образом достигается электрическая изоляция элементарных ячеек в карманах; разрешающая способность мультискана, тем самым, поднимается до величины, лимитируемой размерами элементарной ячейки. Получен шаг структуры 10 мкм, т.е. достигнуто разрешение

100 лин/мм при IООЕ-ной модуляции видеосигнала. Действительно формируется отдельный сигнал от каждой,элементарной ячейки; при сканировании структуры лучом света с диаметром

1 5 мкм на изолирующих областях, ширина которых колеблется в пределах, 1-2 мкм, происходит полное экранирование. Электрические завязки между элементарными ячейками менее 0,1Х.

Таким образом, имеет место повышение разрешающей способности по сравнению с известным в 3 раза.

Составитель Э.Фаттахов

Редактор А.Шишкина Техред Л.олейник . Корректор М.Самборская

Заказ 7532/54 Тираж 698 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, r.Óæãîðoä, ул.Проектная, 4