Способ измерения намагниченности насыщения однородных электропроводящих образцов

Способ измерения намагниченности насыщения однородных электропроводящих образцов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к магнитоизмерительной технике. Цель - расширение области применения путем увеличения класса испытания непрочных образцов (О), разрушающихся при вибрации или выталкивании. Она достигается тем, что в способе измерения намагниченности насыщения однородных электропроводящих О напряженность внешнего поля (ВП) насьпцения определяют как уровень возрастающего ВП, при котором потери в поверхностном слое О, одновременно наблюдаемые в радиочастотном слабом поле, достигают своего минимального значения. О и упомянутые поля в процессе измерения, неподвижны, а уровень ВП не превьшает значения, при котором наступает насыщение. В описании изобретения дана схема устройства, реализующего способ. Изобретение может быть использовано при измерении магнитных характеристик О из электропроводящих материалов. 1 ил. а ю

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

Al (19) (11) 151)4 G 01 R 33 12

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

В

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ

К А ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 3896405/24-21 (22) 16.05.85 (46) 30.01.87. Бюл. Ф 4 (72) Д.И.Дудко, С.Д.Дудко и А.В.Мачульский (53) 621.317.44(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

))- 1078372, кл. С 01 R 33/12, 1982. (54) СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ НАМАГНИЧЕННОСТИ

НАСЬПЦЕНИЯ ОДНОРОДНЫХ ЭЛЕКТРОПРОВОДЯЩИХ ОБРАЗЦОВ (57) Изобретение относится к магнитоизмерительной технике. Цель — расширение области применения путем увеличения класса испытания непрочных образцов (О), разрушающихся при вибра— ции или выталкивании. Она достигается тем, что в способе измерения намагниченности насыщения однородных электропроводящих О напряженность внешнего поля (ВП) насыщения определяют как уровень возрастающего ВП, при котором потери в поверхностном слое О, одновременно наблюдаемые в радиочастотном слабом поле, достигают своего минимального значения. О и упомянутые поля в процессе измерения. неподвижны, а уровень ВП не превышает значения, при котором наступает насыщение. В описании изобретения дана схема устройства, реализующего способ. Изобретение может быть использовано при измерении магнитных характеристик О из электропроводящих материалов. 1 ил.

1287066 2

I5 = 3(He H; ) Изобретение относится к магнитноизмерительной технике и может быть использовано при измерении магнитных характеристик образцов из электропроводящих материалов. 5

Цель изобретения — расширение области применения путем увеличения класса измеряемых образцов, получения

1 .возможности испытания непрочных образцов, разрушающихся при вибрации 10 или выталкивании.

Сущность способа измерения на образцах с известным коэффициентом размагничивания заключается в намагничивании образна в однородном постоян- 15 ном поле и измерении его внутреннего поля. При этом намагниченность насыщения материала определяется как разность упомянутых внешнего и внутреннего полей при насьпцении, отнесенная к известному коэффициенту размагничивания. Способ отличается от известных тем, что напряженность внешнего поля насьпцения определяют как уровень возрастающего внешнего поля, при котором

25 потери в поверхностном слое образца, одновременно наблюдаемые в радиочастотном слабом поле, достигают своего минимального значения. Образец и упомянутые поля в процессе измерения ЗО неподвижны, а уровень внешнего поля не превышает значения, при котором наступает насыщение.

На чертеже представлена схема иллюстрирующая предлагаемый способ.

Схема содержит образец 1, измеритель 2 напряженности внешнего поля

Не, измерительные преобразователи 3 и 4, измеритель 5 напряженности поля 4О

Не, катушку индуктивности 6, радиочастотный измеритель 7 составляющих полного сопротивления, постоянное, однородное, намагниченное поле 8.

Для измерения намагниченности на- 45 сьпцения I магнитно сопрягают образец

1 с катушкой индуктивности 6 так, что он находится внутри или вблизи нее, йричем угол р составляет от О до

360 градусов, устанавливают началь, ный (минимальный) уровень внешнего поля 8, контролируемый измерителем

2, снабженным йзмерительным преобразователм 3 и с помощью измерителя составляющих полного сопротивления 7 измеряют соотношение R/x, где х — реактивная, а R — - активная составляющая, затем упомянутый уровень изменяют (увеличивают) и снова измеряют

R/х и т.д. Таким образом, с помощью изме рителей 2 и 7 определяют минимальное значение Не ;„, при котором R/õ становится минимальным. При этом значении Не „измеряют с помощью измерителя 5, снабженного измерительным преобразователем 4, напряженность внутреннего поля Н, „; причем преобразователь 4 помещают в непосредственной близости к образцу в его средней части, затем определяют искомую Хб по формуле (для сферического образца) Если образец выполнен в виде эллипсоида вращения, цилиндра, тонкой пластины, I. вычисляют по формуле

Не„; — Н „, „

ы где М вЂ” коэффициент (тензор) размагничивания образца.

В качестве измерителя 7 может использоваться, например, измеритель импеданса и передачи типа BN-538.

Ф о р м у л а и з о б р е т е н и я

Способ измерения намагниченности насьпцения однородных электропроводящих образцов, заключающийся в воздействии внешнего однородного постоянного магнитного поля известного уровня на образец, сопряженный с катушкой индуктивности, измерении внутреннего поля в образце и определении отношения разности внешней и внутренней напряженностей полей к коэффициенту размагничивания образца, о т л и— ч а ю шийся тем, что, с целью расширения области применения путем увеличения класса измеряемых образцов, измеряют отношение активной и реактивной составляющих сопротивления катушки индуктивности при напряженностях внешнего магнитного поля известного уровня при увеличенном его значении, определяют минимальное значение напряженности поля, при котором отношение активной и реактивной составляющих минимально, и при этом значении напряженности измеряют напряженность внутреннего поля в образце, измеряют активную и реактивную составляющие сопротивления катушки индуктивности и в момент достижения их отношения минимального значения в зависимости от изменения внешнего магнитного поля измеряют напряженности внешнего и внутреннего магнитных полей.

128706б

Составитель А.Дивеев

Техред Л.Сердюкова, Корректор А.Тяско

Редактор И,Сегляник

Заказ 7712/48 Тираж 730 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и .открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 475

Производственно-полиграфическое предприятие, г.ужгород, ул.Проектная, 4