Элемент памяти

Элемент памяти

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано для построения интегральных полупроводниковых запоминающих устройств. Цель изобретения упрощение элемента памяти и повышение его степени интеграции - достигается введением второго ключевого транзистора и нагрузочного транзисто- pa. Элемент содержит ключевые транзисторы 1 и 2, нагрузочный транзистор 3, конденсатор 4, шину 5 питания и шику 6 нулевого потенциала. Введение второго ключевого транзистора 2 и нагрузочного транзистора 3 позволи ло упростить предложенный элемент и повысить степень его интеграции За .счет исключения из прототипа второго ковденсатора и образования конденса- ; : тора 4 емкостью между затвором и истоком транзистора 1. 1 ил.

gg 4 G ll С ll/40

" 4ъ с

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

H ASTQPCHQMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

00 ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21) 3956547/24-24 (22) 25.09.85 (46) 30.01.87.Бюл. 9 4 (72) H.П.Настрадин В.И.Рышков и C.Ë.Ñòàð÷àê (53) 681.327.66 (088.8) (56) Патент CUIA II 4112510, кл. 365/187, 1978.

Авторское свидетельство СССР

Р 662972, кл.G 11 С ll/40, ?979. (54) ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ (57) Изобретение относится к области . вычислительной техники и может быть использовано для построения интег: ральньи полупроводниковых запоминающих устройств. Цель изобретения—

„Я0„„1287232 А1 упрощение элемента памяти и повышение его степени интеграции — достиI гается введением второго ключевого транзистора и нагрузочного транзисто-, ра. Элемент содержит ключевые транзисторы 1 и 2, нагруэочный транзистор 3, конденсатор 4, шину 5 питания и шину 6 нулевого потенциала. Введение второго ключевого транзистора 2 и нагрузочного транзистора 3 позволи.ло упростить предложенный элемент и повысить степень его интеграции за счет исключения иэ прототипа второго конденсатора и образования конденса-, тора 4 емкостью между затвором и

"истоком транзистора 1. 1 ил.

Ю

° \

° °

bO

00 яа Д

М

CO

1 128723

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для построения интегральных . полупроводниковых запоминающих,устройств. 5

Целью изобретения является упрощение элемента и повышение его надежности.

На фиг.1 представлена электрическая схема предложенного элемента; >О на фиг.2 — временные диаграммы, поясняющие его работу.

Элемент содержит ключевые транзисторы 1 и 2, нагрузочный транзистор 3, накопительный элемент на конденсаторе 4, шину 5 питания и шину б нулевого потенциала. На .шину 5 питания подается импульсное напряжение отрицательной полярности.

Элемент работает следующим образом.

Первое устойчивое состояние устройства определяется нулевым напряжением на затворе транзистора 1, т.е. U „ = О,при этом транзисторы 1 и 2 закрыты (сопротивление их каналов имеет максимальное значение). В этом состоянии напряжение на стоке транзистора 3, который является выходом устройства, равно нулю, т.е.

Uel, х= 0 ° памяти, повышению надежности его

35,работы, улучшению условий согласова40

Переход из первого устойчивого состояния во второе начинается с момента подачи на вход устройства отрицательного импульса, амплитуда которого по абсолютной величине превышает напряжение транзистора 1, т.е. 1 Uq(> lUliot (фиг.2б) . При этом заряжается конденсатор 4 и открывается транзистор 1. Параметры схемы элемента выбраны такими, что после окончания действия на входе информационного сигнала к моменту прихода импульса на шину 5 питания конденсатор 4 не успевает разрядится до напряжения меньшего по абсолютной величине П,о„ (фиг.2в). Импульс, пришед ший .с шины 5 через открытый транзистор 1 поступит на сток транзистора

3, т.е. на выход устройства, а так как исток транзистора 1 соединен со стоком транзистора 3 и затворомтранзистора 2, то на время, равное длительности импульса ь, откроется транзистор 2, и произойдет "подзарядка" конденсатора 4 через открытый транзистор 2 и нагрузочный транзистор 3 от источника питания (не

2 2 показан). В дальнейшем в результа те постоянного подзаряда конденсатора 4 от источника питания на затворе транзистора 1 будет поддерживаться отрицательное напряжение относительно истока, обеспечивающее открытое состояние транзистора 1 к моменту прихода очередного импульса от источника питания.

Таким образом, элемент находится во втором устойчивом состоянии, характеризуемым наличием на его выходе отрицательных импульсов (фиг.2г), Это устойчивое состояние поддерживается сколь угодно долго благодаря постоянном подзаряде конденсатора 4 через транзисторы 2 и 3 от источника питания.

В исходное состояние элемент можно перевести, разрядив конденсатор

4 до напряжения, меньшего по абсолютной величине Ung> . В результате транзистор 1 закроется, и элемент перейдет в первое устойчивое состояние.

Отсутствие конденсатора, затрудняющего реализацию устройства в интегральном исполнении по полупроводниковой технологии, и использование источника питания импульсным напряжением отрицательной полярности приводит к упрощению элемента ния с внешними устройствами.

Формула изобретения

Элемент питания, содержащий накопительный элемент на конденсаторе, одна иэ обкладок которого является входом элемента памяти и соединена с. затвором первого ключевого транзистора, другая обкладка конденсатора соединена с истоком первого ключевого транзистора, шину питания и шину нулевого потенциала, о т л и— ч а ю щ н и с я тем, что, с целью упрощения элемента и повышения его надежности, в него введены второй ключевой транзистор и нагрузочный транзистор, исток которого соединен с шиной нулевого потенциала, затвор и сток нагрузочного транзистора соединены с затвором второго ключевого транзистора, с другой обкладкой конденсатора и являются выходом элемента памяти, стоки первого и вто3 1287232 4 рого ключевых транзисторов подключе- чевого транзистора соединен с затвоны к шине питания, исток второго клю- ром первого ключевого транзистора. о

snop

snop

t /ПОД

Щ8. 2

Составитель А.Воронин

Редактор А.Долинич Техред А.Кравчук Корректор М.Демчик

Заказ 7724/56 Тираж 589 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д.4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, r.Óæãoðîä,, ул.Проектная, 4