Способ очистки газов от органических веществ

Способ очистки газов от органических веществ

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к способам микробиологической очистки газов . от органических веществ, применяемым в машиностроительной, деревообрабатываницей, целлншозно-бумажной и пищевой отраслях промышленности и позволяю1цим повысить степень очистки. Очища:емые газы подают в абсорбер с плавающей инертной насадкой, содержащий слой сорбента - активного угля или вспененных гранул полимерного материала, включающего адаптированную культуру микроорганизмов, при орошении сорбента раствором питат ельных солей, необходимых для роста микроорганизмов . Процесс ведут в режиме псевдоожижения сорбента очищаемым газом. При этом 20-50% очищаемого газа рециркулируют, а объем сорбента . используют равным 15-30% от свободного объема абсорбера. При очистке газов от фенола, формальдегида, метанола применяют культуру бактерий рода Pseudomonas spesias, микроорганизмов рода Pseudomonas desmolyti- cum или дрожжи рода Candida guillier- mondii соответственно. рН раствора питательных солей поддерживают в интервале 4,0-7,3. Степень очистки составляет 91-99,8%. 5 з.п.ф-лы, 1 табл. СЛ С

СООЗ СОВЕТСНИХ

РЕСОУ БЛИН

Ш4 Б 01 D 53/02

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К A BTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИ (21) 3837718/23-26 (22) 30. 11.84 (46) 07.02.87. Бюл. У 5 (71) Всесоюзный научно-исследовательский институт биосинтеза белковых веществ и Фрунзенский политехнический институт (72) О.А.Садыров, А.Ю.Винаров, P.Ï.Êàñûìîâ, В.Н.Смирнов, В.А.Быков, Л.М.Захарчук и А.Д.Денис (53) 66.074.3(088.8) (56) Патент Франции В 2285168, кл, В 01 0 53/02, 1976.

РЖ Химия, 1985, У ЗИ580. (54) СПОСОБ ОЧИСТКИ ГАЗОВ ОТ ОРГАНИЧЕСКИХ ВЕЩЕСТВ (57) Изобретение относится к способам микробиологической очистки газов, от органических веществ, применяемым в машиностроительной, деревообрабатывающей, целлюлозно- бумажной и пищевой отраслях промьппленности и позволяющим повысить степень очистки. Очищаемые газы подают в абсорбер с пла- ..SU„„12 7923 А1 вающей инертной насадкой, содержащий слой сорбента — активного угля или вспененных гранул полимерного материала, включающего адаптированную культуру микроорганизмов, при орошении сорбента раствором питательных солей, необходимых для роста микроорганизмов. Процесс ведут в режиме псевдоожижения сорбента очищаемым газом. При этом 20-507 очищаемого газа рециркулируют, а объем сорбента . используют равным 15-30Х от свободного объема абсорбера. При очистке газов от фенола, формальдегида, ме танола применяют культуру бактерий рода Pseudomonas spesias, микроорганизмов рода Pseudomonas desmolyticum или дрожжи рода Candida guilliermondii соответственно. рН раствора питательных солей поддерживают в интервале 4,0-7,3. Степень очистки составляет 91-99,87. 5 з.п.ф-лы, 1 табл.

1 !8792

Изобретение относится к способам микробиологической очистки газов и может найти применение в машиностроительной, деревообрабатывающей, целлюлозно-бумажной и пищевой отраслях промышленности.

Цель изобретения — повышение степени очистки.

Пример 1. Газ, содержащий загрязнения в виде фенольных паров Ю с концентрацией 55-60 мг/м, подавали со скоростью 1,5-2,0 м /мин в колонный аппарат с плавающей турбули- . зирующей инертной насадкой с рабочим объемом 0,05 мз . В противотоке подавали водную суспензию,содержащую культуру бактерий рода Pseudomonas

specias. В зону взаимодействия газжидкость вносили твердофазный адсорбент, в качестве которого использо- 20 вали частицы активированного угля, занимающего 15-17 свободного объема. При этом в аппарате поддерживали

30-32 С и рН = 4,9-5,1.

Дополнительно в среду культивирования вносили водный раствор питательных солей., необходимых для роста микроорганизмов в составе, г/л: фосфорная кислота 1,4, хлористый калий 0,98. сернокислый магний 0,7, железо сернокислое 0,13; цинк сернокислый

0,029 марганец сернокислый 0,017.

При этом основным источником питания служил очищаемый компонент— фенол. 35

Требующийся культуре кислород для ассимиляционной деятельности вполне обеспечивался подаваемым к очистке газом, кроме того очищаемый газ слу— жил псевдоожидающим агентом. Газ, >Q проходя через указанную среду, очищался от содержания фенола, при этом 207. отходящего из аппарата газа рециркулировали.

Очищенный газ анализировали газоанализатором. Степень очистки газа от фенола составила 99,3Х.

Микробиологическую очистку ст формальдегида с концентрацией 2530 мг/м проводили в аналогичных Я) условиях,но использовали культуру мик,роорганизмов Pseudomonas desmolyticum. Степень очистки газа от формальдегида составила 98,77.

Пример 2, Микробиологическую очистку газа от метанола с помощью дрожжей рода Candida guilliermondii проводили в той же последовательносги, 3 2 что в примере 1, по в ус ливиях: 3Ъ "С, рН 4,0-4,2, количество вносимого адсорбента занимало 15Х oâoáoäI«oão объема, а 357 отходящего из аппарата газа рециркулировали. Степень очистки газа от метанола составила 99,87,.

Пример 3. Микробиологическую очистку газа проводили в последовательности, что и в примере 1, «о в условиях: 42 С, рН 7 3; количество вносимого адсорбента составляло 307, а рециркуляция отходящего газа из аппарата составила 50Х В этих условиях очистки газа от фенола с использованием культуры бактерий

Pseudomonas spesias степень очистки газа на выходе из аппарата сос.тавила 91 .

Пример 4. При очистке газа от метанола в аналогичных условиях, ччто и в примере 5, но в условиях:

42 С, рН 5,0 с использованием культуры дробей Candida guilliermondii степень очистки газа составила 92,57. ч

Пример 5. Микробиологическую очистку газа от фенола с использованием культуры бактерий Рзе««йошоnas spesias осуществляли аналогичным образом и в последовательности, что и в примере 1, но в условиях: 32 С, рН 5,1; вносимый адсорбент занимал

I5X свободного объема, в качестве которого использовали вспененные гранулы полимерных материалов, например смешанное соединение полистирола, полипоприна, полиэтилена, а

357 отходящего из аппарата газа рециркулировали. При этом степень очистки газа от фенола составила 98,8Х, Пример 6. Микробиологическую очистку газа от фенола проводили в аналогичной последовательности, что и в примере 5, но твердофазным адсорбентом служили частицы активированного угля. Степень очистки загрязненного газа составила 99,4Х.

Условия проведения способов очистки и полученные результаты приведены в таблице.

Формула и з обре т е н и я

1. Способ очистки газов от органических веществ, включающий пропускание их через слой сорбента — активного угля, содержащего адаптированH/Io культур " микрооргaHHsMoB> орошении сорбента раствором питатель3 1287923 4 ных солей, необходимых для роста мик- от формальдегидов используют культуроорганизмов, о т л и ч а ю щ и и ру микроорганизмов рода Pseudomonas с я тем, что, с целью повышения сте- desmolyticum. пени очистки, процесс ведут в режи- 4. Способ по п. 1, о тлич а юме псевдоожижения сорбента очищае- 5 шийся тем, что при очистке газов мым газом в абсорбере с плавающей от метанола используют дрожжи рода инертной насадкой, при этом 20-50Х Candida guilliermondii. очищаемого газа рециркулируют, а объем сор6еНТа используют равным 15-ЗОБ 5, Способ по пп. 1-4, о т л и— от свободного объема абсорбера. 10 ч а ю шийся тем, что в качестве

2. Способ по п. 1, о т л и ч а ю- сорбента используют вспененные грану-. шийся тем, что при очистке газов лы полимерного материала. от фенола используют культуру бакте- 6. Способ по пп. 1-5, о т л и— рий рода Pseudomonas apesias. ч а ю шийся тем, что рН раст3. Способ по п. 1, о т л и ч а ю- 15 soPa nHTaTeabHbm солей поддеРживают шийся тем, что при очистке газов в и" тервале 4 ОI

Культура м/организмов

Очищаемый Т, С компонент рН Кол-во Кол-во Степень вносим. рец рк, очистки адсор-т отх.газа, газа, 7

7 X

Pseudomonas spesias

30-32 4,9-,5, 1 15-!7 35

42 6 7 7 1 30 50

Фенол

99,3

Pseudomonas desmolyticum

Формальдегид

32 5,0

35

98,7

Candida guilliermondii

34 4,0-4,2 15

42 5 0 30

Метанол

99,8

92,5

Составитель Г.Винокурова

Редактор В.Данко Техред П.Олейник Корректор H.Êoðîëü

Заказ 7749/9 Тираж,678 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, r. Ужгород, ул. Проектная, 4