Устройство для генерирования электрических колебаний для радиопередачи

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

% № 1291 ;,, Класс 21а

ПАТЕНТ HA ИЗОБРЕТЕНИЕ

ОПИСАНИЕ устройства для генерирования электрических колебаний для радиопередачи.

1(патенту И. H. Теумина, заявленному 9 августа 1924 года (заяв. свид. Л 78708).

О выдаче патента опубликовано 31 мая 1926 года. Действие гатен1а распространяется нв 15 лет от 15 сентября 1921 г. пведмвт ItлтEнтA.

Предлагаемое устройство имеет целью получить дешевый и не портящийся генератор незатухающих волн, в связи с использованием свойства висмута ме- нять проводимость под влиянием усиле-; ния магнитного поля.

На фиг. 1 и 2 изображены соответ-, ствующие схемы.

В цепь Л1Я (фиг. 1) источника Л постоянного тока, через реактивные катушки Dy, присоединены шунтирован- . ные конденсаторами С и катушкой самоиндукции I два соленоида sBi. I !

Соленоиды sBi соединены последова- I тельно, причем один из них сделан из, висмутовой проволоки и лежит внутри другого. Магнитное псле, образующееся вокруг висмута соленоида, будет менять его сопротивление и, вследствие воздействия конденсатора и катушки самоиндукции, магнитное поле будет усиливаться и ослабляться (а также сопро-,. тивление висмута); таким образом, должна получиться высокая частота и незатухающие волны, которые можно, передать в индуктивно связанную ан- тенну. Висмут при этом играет роль проводника. не подчиняющегося закону

О а и в этом смысле он должен заменять вольтову дугу и катодную лампу в аналогичных случаях.

Видоизменение (фиг. 2) состоит в том, ) что только один из соленоидов sBi шунтирован конденсаторами.

1. Устройство для генерирования электрических колебаний для радио-передачи, характеризующееся тем, что к источнику D постоянного тока, через реактивные катушки D,, присоединены шунтированные конденсатором С и катушкой самоиндукции L два соленоида -Bi, из которых один, сделанный из висмутовой проволоки, лежит внутри другого, причем эти со.ченоиды соединены последовательно (фиг. 1).

2. Видоизменение устройства, охарактеризованного в п. 1, отличающееся тем, что только один из соленоидов sBi шунтирован конденсатором (фиг. 2).