Составной транзистор

Составной транзистор

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к усилительной технике. Цель изобретения - уменьшение паразитной емкости между «-ь базой и коллектором составного транзистора (Т) и повышение его устойчивости . Составной Т содержит четыре Т 1, 2, 3 и 5, резистор 4, элемент 6 смещения, элемент 7 стабилизации и две корректирующие цепи (КЦ) 8 и 9. Введение Т 5 и элементов 6 и 7 в составной Т значительно уменьшает составляющую тока через емкость перехода база-коллектор Т 1, что эквивалентно существенному уменьшению паразитной емкости база - коллектор составного Т. Составной Т по п.2 ф-лы отличается введением КЦ 8 и 9, представляющих собой комбинации резисторов и конденсаторов, с помощью которых увеличивается устойчивость схем на составном Т. 1 з.п. А-лы, I ил. с (Л 00 00

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИX

РЕСПУБЛИК (19) (11) А1 (g1) 4 Н 03 F 3/18

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ .

К ABT0PCH0MV СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 3976266/24-09 (22) 26. 08. 85 (46) 28.02.87. Бюл. 1) 8 (72) В.Л.Монастырский, С.А.Мусаелян, В. Г. Павлов и И.М. Хейфец (53) 621 ° 375. 026 (088. 8) (56) Заявка Великобритании 1(9 1314656, кл. H 03 F 3/30, опублик. 26.04.73.

Додик С.Д., Штильман В.И. Составные транзисторы с дополнительной симметрией и их применение в стабилизаторах напряжения и фильтрах. — Электросвязь, 1973, .У 4, с. 52, рис, 3в. (54) СОСТАВНОЙ ТРАНЗИСТОР (57) Изобретение относится к усилительной технике. Цель изобретения— уменьшение паразитной емкости между базой и коллектором составного транзистора (Т) и повышение его устойчивости. Составной Т содержит четыре

Т 1, 2, 3 и 5, резистор 4, элемент

6 смещения, элемент 7 стабилизации и две корректирующие цепи (КЦ) 8 и 9.

Введение Т 5 и элементов 6 и 7 в составной Т значительно уменьшает составляющую тока через емкость перехода база-коллектор Т 1, что эквивалентно существенному уменьшению паразитной емкости база — коллектор составного Т. Составной Т по п.2 ф-лы отличается введением КЦ 8 и 9, представляющих собой комбинации резисторов и конденсаторов, с помощью кото- а рых увеличивается устойчивость схем на составном Т. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.

1293826 где U

5 UF U5Ý4!

О си

IKç В3 I|g

+ Л оРэ къ 62 К

Изобретение относится к усилительной технике и может быть использовано в качестве усилительного элемента для построения инерционных звеньев второго порядка.

Целью изобретения является уменьшение паразитной емкости между базой и коллектором составного транзистора, а также повышение устойчивости.

На чертеже представлена принципиальная электрическая схема составного транзистора.

Составной транзистор содержит первый, второй и третий транзисторы 1-3, резистор ч, четвертый транзистор 5, элемент 6 смещения, элемент 7 стабилизации, первую и вторую корректирующие цепи 8 и 9.

Составной транзистор работает следующим образом, Эмиттерный ток составного транзистора I задаваемый внешними элементами смещения, перераспределяется в соответствии с соотношением где I,, Š— эмиттерные токи первого 1 и второго 2 транзисторов, У э — прямое падение напряжения на переходе база — эмиттер второго транзистора 2;

R4 — сопротивление резистора 4.

Ток коллектора третьего транзистора 3 связан с током I„, коллектора первого транзистора 1 и с базовым током Е второго транзистора 2, соответственно, следующими формулами: где  — коэффициент передачи тока базы третьего транзистора 3.

Элемент 7 стабилизации обеспечивает стабильность включения составного транзистора., задавая некий начальный (незначительный) ток в базу четвертого транзистора 5 при включении источника питания. Элемент 7 может быть выполнен, например, в виде резистора.

Величина коллекторного потенциала первого транзистора 1 может быть записана в виде соотношения !

1к !1Ь ьэ1 11 см !1Бэ4 потенциал на базе первого транзистора 1; прямые падения напряжения на переходах база — эмиттер, соответственно, первого и четвертого транзисторов 1 и 5; падение напряжения на элементе 6 смещения (в качестве элемента 6 может быть!

5 использован, например, диод или стабилитрон).

Учитывая, что прямое падение напряжения на переходе база — эмиттер

20 транзистора меняется незначительно с изменением режимного тока, считается, что изменения потенциала на базе составного транзистора практически точно повторяются на коллекторе первого

25 транзистора 1. При этом значительно уменьшается составляющая тока через емкость перехода база — коллектор первого транзистора 1, что эквивалентно существенному уменьшению пара30 зитной"емкости база — коллектор составного транзистора. Кроме того, изза фиксации напряжения коллектор— эмиттер первого транзистора 1 возрастает дифференциальное сопротивление его коллекторного перехода и соответ35 ствующее сопротивление составного транзистора. В результате при использовании составного транзистора в схеме с общим коллектором существенно

40 повышается входной импеданс повторителя напряжения, а в схеме с общим эмиттером — коэффициент усиления по напряжению.

Для увеличения устойчивости схем

45 на составном транзисторе в него введены первая и вторая корректирующие цепи 8 и 9, которые представляют собой, как правило, ту или иную комбинацию резисторов и конденсаторов. В простейшем случае одна корректирующая цепь может быть выполнена в виде последовательной RC-цепи, тогда другая — в видеинтегрирующего конденсатора. В частности, при использовании составного транзистора в звеньях второго порядка первая 8 и вторая 9 корректирующие цепи обеспечивают получение двухполюсной передаточной функции схемы.

1293826

Формула изобретения

Составитель П.Дик

Техред Л.Сердюкова

Корректор Г. Решетник

Редактор Л.Повхан

Тираж 902 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Заказ 395/58

Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4

1. Составной транзистор, содержащий первый и второй транзисторы одной структуры и третий транзистор другой структуры, при этом база и эмиттер первого транзистора .являются соответственно базой и эмиттером, а коллектор второго — коллектором составного транзистора, эмиттеры первого и третьего транзисторов соединены соответственно с эмиттером и коллектором второго транзистора, между базой и эмиттером второго транзистора включен резистор, о т л и ч а ю— шийся тем, что, с целью уменьшения паразитной емкости между базой и коллектором составного транзистора, в него введен четвертый транзистор, структура которого совпадает со

1 структурой первого транзистора, причем эмиттер и база четвертого транзистора соединены соответственно с коллектором первого и коллектором третьего транзисторов, коллектор четвертого транзистора соединен с базой третьего транзистора, между базами второго и четвертого транзисторов включен элемент смещения, а между базой четвертого и коллектором второго — элемент стабилизации.

2. Транзистор по п.l, о т л и— ч а в шийся тем, что, с целью повышения устойчивости, между базой ,и эмиттером второго транзистора включена первая корректирующая цепь, а между базой и эмиттером третьего транзистора — вторая корректирующая

20 чепь.