Способ изготовления вакуумного фотоэлектронного прибора с микроканальной пластиной

Способ изготовления вакуумного фотоэлектронного прибора с микроканальной пластиной

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к области электронной техники и быть использовано в мякроканальных фотоэлектронных умножителях; Цель изобре-геняя - распмрение функциональных возможностей. На микроканальную усилительную пластину (МКП) 4 подаётся рабочее напряжеН:ие, Приложением на-г :Ьряження к электродам (Э) 6 и 7 получают автоэмиссионный поток 10 элект Ронов . В силу аксиальной симметрии Э 6 и диэлектрического кольца 8 точки автоэмиссии располагаются по окружности . Расстояние между электродом 6 и выходной плоскостью МКП 4 выррано из условия равномерного рблученйя МКП 4 потоком электронов и быть не меньше рабочего диаметра МКП 4. Электронная бомбардировка МКП 4 продолжается в течение 30-40 ч при. выходном тokе пластины,, составляющем от тока -ее проводимости. Регулировка тока осуществляется изменением напряжения между Э 6 и 7 После rtpo-, ведения процесса обезгаживайия формируют рабочий фотокатод 1, Э 6 и 7 . и диэлектрическое кольцо 8 являются элементами оболочки прибора. При этом Э 7 служит для подачи напряжения на вход МКП, а Э 6 является -переходной манжетой для соединения частей прибора , 1 з.ц, ф-лы, 2 ил. (Л с KD со СП со СП Фиг.1

СООЗ СОВЕТСйИХ

СОЦИАЛИСтичЕСних

РЕаЪБЛИН

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ

1 (46) 30.05.91. (21) 3894504/21 (22) 11.03,85 (72) Г.Г.Фельдман и .В,Н.Сырцев (53) 621i385а832(088.8). (56) Needham М.I. Microchannel plates

advance highviewing techology. Electronics, sept. 20. 1973, р. 123.

Авторское свидетельство СССР ,Ф 795590, кл. Н 01 J 9/12, 1968. .(54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ВАКУУМНОГО

ФОТОЭЛЕКТРОННОГО ПРИБОРА С ИИКРО,КАНАЛЬНОИ ПЛАСТИНОЙ (57) Иэобретение относится к области электронной техники и может быть испольэовано в микроканальнык фотоэлектронных умножителях. Цель изобретения - расширение функциональных воэможностей. На микроканальную усилительную пластину (МКП) 4 подается рабочее напряжение. Приложением на-. ..Ьряжения к электродам (Э) 6 и 7 по-, лучают автоэмиссионный поток 10 элект„„-SUÄÄ 1295953 (51)5.Н 01 J 9 12 ронов. В силу аксиальной симметрии Э

6 и диэлектрического кольца 8 точг ки автоэмиссии располагаются по окружности. Расстояние между электродом, 6 и выходной плоскостью МКП 4 выррано из условия равномерного рблучения

МКП 4 потоком электронов и должно быть не меньше рабочего диаметра МКП

4. Электронная бомбардировка МКП 4 продолжается в течение 30"40 ч при выходном токе пластины, составляющем

203 от тока ее проводимости. Регули" ровка тока осуществляется измененией напряжения между Э 6 и 7. После проведения процесса обеэгаживаиия фор мируют рабочий фотокатод 1 ° Э 6 и 7 g и диэлектрическое кольцо 8 являются элементами оболочки прибора. При этой

Э 7 служит для подачи напряжения на вход МКП, а Э .6 является переходной манжетой для соединения частей прибора. 1 э.ц. ф-лы, 2 ил.

53 2

1 12959

Изобретение относится к области электронной техники, в частности к технологии изготовления вакуумных фотоэлектронных приборов, содержащих фотокатод и микроканальную усилитель5 ную пластину (МКП), и может использоваться в микроканальных фотоэлект" ровных умножителях, фотоэлектронных детекторах и других приборах.

Целью изобретения является расши- <19 рение функциональных возможностей за счет расширения класса приборов с электронным обезгаживанием NIGI та1 как становится возможным проводить электронное обезгажнвание и приборах f5 с входным окном, непрозрачным для ульрафиолетового излучения (например из волоконно-оптической пластины (ВОП), в приборах .с входным окном, меньшим рабочего поля ИКЩ„ Кроме, 2Î этого, повышается квантовая эффективность прибора из-за отсутствияпоглощения в палладиевом фотокатоде.

Ва фиг. 1 и 2 схематично представлены варианты устройств, .позволяю" 5 щих осуществить способ согласно изобр5 тению.

Иа фиг. 1 представлен вакуумный фотоэлектронный прибор (времяанализирующий электронно-оптический преобра" 30 эователь), который содержит фотокатод

1, .фокусирувщую систему 2, пластины

3 развертки изображения, ИКП, люминесцентный экран 5, автозьялссионную систему, образоваиную аксиальносимметричными электродами 6 и 7 . (электрод б является звтоэмиссионным),; разделенными диэлектрическим кольцом

8, электрический вывод 9 для подачи напряжения на МКП. Позицией 10 обоз- 40 начен ноток электронов.

Ча фиг. 2 изображен усилитель яркости изображения, в котором автоэмиссиониая система укреплена на анодном конусе 11. B этом приборе фо-45 токатод 1 нанесен на ВОП 12, которая не пропускает ультрафиолетовое излучение, поэтому использование палладиевого фотокатода невозможно.

Электронное обезгаживание МКП про"50 водится непосредственно перед формированием фотокатода. Для этого на.МКП при помощи электрода 7 и электрического вывода 9 подается рабочее напряжение (обычно - 1000 В) . Между элект- 55 родами 6 и 7 прикладывается напряжение, необходимое для получения авто- эмиссионного потока 10 электронов. При этом на электрод 6 подается отрицательное относительн электрода 7 напряжение. Величина этого напряжения зависит От чистоты поверхности электрода 6, расстояния между электродами б и 7 с внутренней стороны вакуумной оболочки, материала диэлектрического кольца 8 и способа его соединения, с электродами б и 7, Так, например, в случае (фиг. 1), когда зазор между электродами б и 7 со стороны внутренней части вакуумной оболочки составляет 3 мм, сами электроды изготовлены из ковара,диэлектрчческое кольцо 8 — из керамики ВК-100-2,электроды б, 7 и кольцо 8 соединены пайкой, устойчивая автоэлектронная эмиссия наблюдается при напряжении между электродами б и 7 " 5 хВ, Эмиссия возникает на неоднородностях электрода 6, находящегося под отрицательным потенциалом, как правило, и месте его соединения с кольцом 8. В силу аксиальной симметрии электрода 6 и кольца 8 точки автоэмиссии располагаются по окружности

Расстояние между электродом 6 и входной плоскостью МКП выбрано из ус ловия равномерного облучения ИКП потоком электронов. Оно должно быть не меньше .рабочего диаметра МКП и определено экспериментально.

Эффективное обезгаживание МКП дос.тигается электронной бомбардировкой в течение 30-40 ч при выходном токе пластины, составляющем 20X от тока ее проводимости. Автоэлектронный источник вполне обеспечивает такой ток.

Регулировка его величины может осуществляться путем изменения напряжеHHA на автоэмисснонном источнике, т.е. между электродами,б и 7. После

Йроведения электронного обезгаживания в .приборе может быть сформирован рабочий фотокатод.

В общем случае автоэмиссионный источник может быть не соединен конструктивно с входом ИКП. Тогда для создания электронного потока в на= правлении ИКП необходимо соединить ее вход с положительным электродом автоэмиссионного источника при помощи внешней цепи или подать на ее вход положительное относительно автоэмиссионного источника напряжение, На фиг. 1 видно, что электроды 6

7 автоэмиссионного источника и кольцо 8 являются элементами оболочки прибора. При этом электрод 7 служит для подачи напряжения на вход ИКП, а электрод б является переходной манжетой для соединения частей прибора

3 1295953 4

Ф различных диаметров. Из приведенного ч а ю шийся тем, что, с целью рассмотрения ясно, что для создания расширения функциональных возможэлектронного потока в данном приборе ностей За счет расширения класса при вообще не требуется никаких дополни- боров с. электронным обезгаживаниием ! тельнык конструктивных элементов, 5 микроканальной пластины, в качестве источника электронов используют автоФ о-р м у л а и з о б р е т е н и. я эмиссионную систему, образованную двумя аксиально-симметричными элект1 ° Способ изготовления вакуумного (родами, разделенными диэлектрическим фотоэлектронного прибора с микрока- 10 кольцом, при этом автоэмиссионный нальной пластиной, включающий выполне- электрод располагают со стороны вход ние s процессе откачки последователь- ной плоскости микроканальной пластиных операций электронного обезгажи- ны на расстоянии, не меньшем ее рабования микроканальной пластины путем чего диаметра. облучения ее электронным потоком от,15

2. Спасобпоп. 1, отличаюисточника электронов, расположенного .шийся тем, что автоэмиссионная .в оболочке фотоэлектронного прибора, система выполнена в виде Элемента

I и формирования фотокатода, о т л и - оболочки прибора.

1 18

2 фила.2

Составитель Н,Григорьева

Редактор Т.Врчикова Техред Л.Сердюкова

Корректор А. Ильин;1 Заказ 2560 Тираж 31 9

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

1 13035, Москва, Ж-35, Рауюская наб., д. 4/5

Подписное

Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4.,