Эмиттерный повторитель

Эмиттерный повторитель

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к радиотехнике и может использоваться в выходных каскадах усилителей, работающих на емкостную нагрузку. Цель изобретения - повьшение быстродействия . Эмиттерный повторитель содержит транзисторы (Т) 1,2, имеющие разные структуры, отражатели тока (ОТ) 3,4, токостабилизирующий двухполюсник 5 и дополнительные транзисторы (ДТ) 6, 7, имеющие структуры соответственно транзисторов 2,1. Входной сигнал подается на объединенные базы транзисторов 1,2. При нулевом входном напряжении ток коллектора Т 2 и выходной ток ОТ 3 равны коллекторному току Т 1. Ток эмиттера Т 1 равен току ДТ 6. Выходной ток ОТ 4 равен току токостабилизирующего двухполюсника 5 и входному току ОТ 4, который равен коллекторному току ДТ 6. ДТ 7 находится в режиме отсечки . Положит, приращение входного напряжения вызывает увеличение коллекторного тока Т 2, что приводит к .уменьшению тока, протекающего через ДТ 6. Это вызывает уменьшение выходного тока ОТ 4, появление тока базы S (Л хо 00 00 ел со

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (19) (11) А1 (51) 4 03 F 3 50

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

r1O ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ

К ABTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 3975856/24-09 (22) 05.11.85 (46) 23.03.87. Бюл. № 11 (72) В.И.Мельник, Ю.В.Сташкив, И.С.Столярчук и В.Я;Татарин (53) 621.375.026(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

¹ 1133651, кл. Н 03 F 3/50, 08.04.83. (54) ЭМИТТЕРНЫЙ ПОВТОРИТЕЛЬ (57) Изобретение относится к радиотехнике и может использоваться в выходных каскадах усилителей, работающих на емкостную нагрузку. Цель изобретения — повышение быстродействия. Эмиттерный повторитель содержит транзисторы (Т) 1,2, имеющие разные структуры, отражатели тока (ОТ) 3,4, токостабилизирующий двухполюсник 5 и дополнительные транзисторы (ДТ) 6, 7, имеющие структуры соответственно транзисторов 2, 1.

Входной сигнал подается на объединенные базы транзисторов 1,2. При нулевом входном напряжении ток коллектора Т 2 и выходной ток 0Т 3 равны коллекторному току Т 1. Ток эмиттера

Т 1 равен. току ДТ 6. Выходной ток

ОТ 4 равен току токостабилизирующего двухполюсника 5 и входному току ОТ 4, который равен коллекторному току

ДТ 6. ДТ 7 находится в режиме отсечки. Положит. приращение входного напряжения вызывает увеличение коллекторного тока Т 2, что приводит к .уменьшению тока, протекающего через

ДТ 6. Это вызывает уменьшение выходного тока ОТ 4, появление тока базы

1298853 изменяется, т.к. Т 1 и ДТ 6 открыты, Это сводит к минимуму влияние емкости коллектор — база Т 2 на входное сопротивление эмиттерного повторителя. 1 ил.

Изобретение относится к радиотехнике и может использоваться в выходных каскадах усилителей, работающих на емкостную нагрузку.

Цель изобретения — повышение 5 быстродействия .

На чертеже представлена принципиальная электрическая схема эмиттерного повторителя.

Эмиттерный повторитель содержит 10 первый 1 и второй 2 транзисторы, первый 3 и второй 4 отражатели тока, токостабилизирующий двухполюсник 5, первый 6 и второй 7 дополнительные транзисторы. 15

Эмиттерный повторитель работает следующим образом.

В статическом режиме (при нулевом входном напряжении U = 0) ток колsv лектора второго транзистора 2 (Е„) 2О равен. выходному току первого отражателя 3 тока (I ), который, в свою очередь, устанавливается равным коллекторному току первого транзистоРа 1 (Iк )

25 у (Ео кь) Pã

i2 i I01

Е = Š— — у

0 (Зь

3аЭ 1

1 Р макс î PT где Pg — коэффициент усиления тока базы первого дополнительного транзис- ЗО тора 6.

Ек2 Еэ Ек °

Ток эмиттера первого транзистора 1 35 (I ) равен току первого дополнительного транзистора 6 (I ). Выходной ток второго отражателя 4 тока (Е4) равен току токостабилизирующего двух.полюсника 5 (I0) и входному току 40 второго отражателя 4 тока, который устанавливается равным коллекторному току первого дополнительного транзистора 6.

О 4 кь Э1

ДТ 7, который открывается. Через

ДТ 7 начинает протекать ток, который заряжает емкостную нагрузку. В режиме заряда емкостной нагрузки напряжение коллектор — база Т 2 не

Вследствие того, что выходной ток второго отражателя 4 тока равен Е второй дополнительный транзистор 7 находится в режиме отсечки.

Положительное приращение входного напряжения вызывает увеличение коллекторного тока второго транзистора 2, что приводит к уменьшению тока базы первого дополнительного транзистора 6, а следовательно, к уменьшению тока, протекающего через этот транзистор. Это приводит к уменьшению входного и, следовательно, выходного тока второго отражателя 4 тока. Вследствие уменьшения тока второго отражателя 4 тока появляется ток базы второго дополнительного транзистора 7, который открывается, и через него начинает течь ток который заряжает емкостную нагрузку.

Через второй транзистор также течет. ток заряда где i — ток заряда, протекающий через первый транзистор 1, P — коэффициент усиления тока базы второго дополнительного транзистора 7.

В режиме заряда емкостной нагрузки напряжение коллектор — база второго транзистора 2 не изменяется вследствие того, что первый транзистор 1 и первый дополнительный транзистор

6 находятся в открытом состоянии.

Это сводит к минимуму влияние емкости коллектор - база второго транзистора 2 на входное сопротивление эмиттерного повторителя.

3 1298853 4

Если . „ получает некоторое отри- емкости коллектор — база первого и иращение П то выэы- второго транзисторов как в режимах вает уменьшение коллекторного тока заряда и разряда, так и в моменты второго транзистора 2, вследствие переключения схемы, чего увеличивается ток, протекающий через первый дополнительный транзис- Ф o p м у л а и з о б р е т е н и я тор 6 и первый транзистор 1. Через первыи транзистор т анзистор 1 протекает ток Змиттерный повторитель, содержао к2 PБ р который через первый отражатель 3 тока начинает разряжать емкостную нагрузку

t5, (-1 р 1 Р6(О ik2)s

М

1 сЪI

Р0> МОКС -6 О

Составитель И.Водяхина

Техред H.Ãëóùåíêo Корректор С.Шекмар

,Редактор В.Петраш

Заказ 895/56

Тираж 902 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35. Раушская наб., д, 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4В режиме разряда емкостной нагрузки д» напряжение коллектор — база второго транзистора 2 не изменяется благодаря тому, что, как и в случае заряда, первый транзистор 1 и первый дополнительный транзистор 6 открыты и пе- 25 редают входное напряжение в коллектор второго транзистора 2. При достаточно большом коэффициенте усиления тока второго транзистора 2 этот транзистор не запирается, что также повы-3О шает быстродействие схемы. Кроме того, второи транзистор 2 работает практически при одном и том же токе

1 что повышает точность отслеживаФ ния входного напряжения. 35

Таким образом, как при положительном, так и при отрицательном приращении входного напряжения, время установления переходного процесса в эмиттерном повторителе минимально, 40 что достигается компенсацией влияния

1 щий первый и второй транзисторы, имеющие разную структуру, базы которых объединены и являются входом эмиттерного повторителя, коллектор первого транзистора соединен с входом первого отражателя тока, вь воды питания которого соединены с первой шиной источника питания, а выход — с эмиттером второго транзистора, являющимся выходом эмиттерного повторителя, причем коллектор второго транзистора соединен с первым выводом токостабилизирующего двухполюсника и с базой первого дополнительного транзистора, имеющего структуру второго транзистора, эмиттер первого транзистора соединен с эмиттером первого дополнительного транзистора, а также второй дополнительный транзистор, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия, введен второй отражатель тока, выводы питания которого соединены с второй шиной источника питания, вход — с коллектором первого дополнительного транзистора, выход - с вторым выводом токостабилизирующего двухполюсника и с базой второго дополнительного транзистора, имеющего структуру первого транзистора и включенного по схеме с общим эмиттером, коллектор которого соединен с эмиттером второго транзистора.