Способ определения числа слоев в доменосодержащей пленке

Способ определения числа слоев в доменосодержащей пленке

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть исгюльзова но при разработке аппаратуры для неразрушаюшего контроля качества доменосодержащих материалов. Целью изобретения является повышение чувствительности и точности определения числа слоев в доменосодержащей пленке. В соответствии с предложенным способом, число слоев в домепосодержаа1ей пленке определяют 1гутем воздействия на доменосодержащую пленку, намагниченную до насьиления, постояпным магнитным полем и импульсным магнитным полем обратной полярности, увеличивают амплитуду импульсного магнитного поля, регистрируют зависимость обратной величины времени перемагничивания доменосодержащей пленки от амплитуды импульсного магнитного поля, и по количеству линейных участков на этой зависи.мостп определяют число слоев в доменосодержапюй плепке. 1 ил. (О СП 05 о

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК g 4 G 11 С 11/14

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К А BTOPCHOIVIY СВИДЕТЕЛЬСТВУ :, с с . » 1:4 сс.С

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3897541/24-24 (22) 11.05.85 (46) 30.03.87. Бюл. № 12 (71) Мордовский государственный университет им. Н. П. Огарева (72) В. Н. Дудоров, М. В. Логунов и В. В. Рандошкин (53) 681.327.66 (088.8) (56) ФТТ, т. 24, № 4, 1982, с. 1166 — 71.

Письма в ЖТФ, т. 8, № 12, 1982, с. 708—

12. (54) СПОСОБ ОГ!РЕДЕЛЕНИЯ ЧИСЛА

СЛОЕВ В ДОМЕНОСОДЕР7КАЩЕЙ

ПЛЕНКЕ (57) Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано при разработке аппаратуры для неразрушающего контроля качества домено„„SU„„1300560 А1 содержащих материалов. Целью изобретения является повышение чувствительности и точности определения числа слоев в доменосодержащей пленке. В соответствии с предложенным способом, число слоев в доменосодержащей пленке определяют путем воздействия на доменосодержащуlo пленку, намагниченную до насыщения, постоянным магнитным полем и импульсным магнитным полем обратной полярности, увеличивают амплитуду импульсного магнитного поля, регистрируют зависимость обратной величины времени персмагничивания доменосодержащей пленки от амплитуды импх Ibcного магнитного поля и tlo количеству линейных участков на этой зависимости определяют число слоев в доменосодержащей пленке. 1 ил.

1300560

Формула изобретения

Составитель М. Логунов

Редактор Н. Горват Техред И. Верес Корректор Л. Патай

Заказ 829/52 Тираж 590 Подписное

ВИИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений v. открытий

I! 3035, Москва, Ж вЂ” -35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Изобретение относится к микроэлектронике и вычислительной технике и может быть использовано для неразрушающего контроля качества материалов с цилиндрическими магнитными доменами.

Цель изобретения — повышение чувствительности и точности определения числа слоев в доменосодержащей пленке.

Способ осуществляют следующим образом.

На доменосодержащую пленку, намагниченную до насыщения постоянным магнитным полем, воздействуют импульсным однородным полем обратной полярности и, увеличивая амплитуду импульсного магнитного поля Н до величины, превышающей эффективное поле анизотропии доменосодержащей пленки Н-, регистрируют (например, фотоэлектрическим способом) зависимость обратной величины времени перемагничивания т от H При амплитуде импульсного поля

Н (Н . наблюдается монотонная зависимость T (Н), соответствующая процессам перемагничивания движением доменных стенок. Резкое ускорение процесса перемагничивания (переход к процессам перемагничивания вращением вектора намагниченности) происходит при Н = Н-., чему соответствует переход ко второму участку на зависимости т (Н). При наличии в доменосодержащей пленке нескольких слоев с различными значениями H- зависимость т (H) приобретает ступенчатый вид — состоит из нескольких участков, причем пороговые поля переходов от одного участка к другому соответствуют значениям Н- в слоях доменосодержащей пленки.

Способ определения числа слоев в доменосодержащей пленке, основанный на воздействии на доменосодержащую пленку, 15 намагниченную до насыщения постоянным магнитным полем, импульсным магнитным полем обратной полярности, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности и точности определения числа слоев в доменосодержа щей пленке, увеличивают амплитуду импульсного магнитного поля, регистрируют зависимость обратной величины времени перемагничивания доменосодержащей пленки от амплитуды импульсного магнитного поля и по количеству линейных участков на этой зависимости определяют число слоев в доменосодержащей пленке.