Матричное устройство на полупроводниковых диодах

Матричное устройство на полупроводниковых диодах

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

№ 130243

Класс 42ш, 1403

21а-, 221с

21а, 26с4

СССР

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Подписная группа Л 174

А, А. Бредов и И Х. Геллер

МАТРИЧНОЕ УСТРОЙСТВО НА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ

ДИОДАХ

Заявлено 25 ноября 1959 г. за ¹ 64о253/26 в Комитет по делам пзооретений и открытий при Совете й1инистров СССР с присоединением заявки ¹ 645254

Опубликовано в «Бюллетене изобретений» ¹ 14 за 1960 г

Конструкции полупроводниковых схем, в которых полупроводниковые элементы выполнены в виде монолитного блока, состоящего из общи для всего блока изолирующего основания (подложки), проводящего слоя, являющегося одним из электродов схемы, и полупроводникового материала, известны.

Подобные устройства сложны в производстве и не обеспечивают достаточно высокую плотность монтажа полупроводниковых деталей.

В описываемом матричном устройстве эти недостатки устранены тем, что отдсльпыс электрически связанныс между собой строчные группы полупроводниковых диодов выделеnal из монол1тного блока в виде узких многослойных полосок, закрепленных в обойме матрицы одна над другой, а соответствующие диоды различных строчных групп соедннснь1 полосками фольги, отогнутые концы которых образуют кодовые шины матрицы. з.ля упрощения технологии прп массовом производстве кодовые шины матрицы выполнены в виде прутков пз легкоплавкого припоя, вплавлснного в канавки вдоль боковых обрсзов строчных блоков.

Конструкция одной строчной групнь полупроводниковых диодов изображена на чсртсжс.

Кахкдая строчная группа диодов выполняется в видс многослойной полоски, состоящей из наложенных друг на друга диэлектрической подложки 1, проводягцего основания 2 (первый электрод диодов) и полупроводник всго материала 8. Вдоль полупроводниковой полоски нанессп второй проводящий слой 4, раздслснный на отдсль11ые элементы попсрсчнымп изоляционными промежутками. Злсмснты второго проводящего слоя образуют вторые электроды диодов, объсдиняемы;; в строчную гр ппу проводящим слоем 1, который одновременно выполняет роль строки.

Число диодов в строчной группе равно числу гвин матрицы (и ln числ разрядог; схс мы) . № 130243

Предмет изобретения

1.! 1атричное устройство на полупроводниковых диодах с элементами, выполненными в виде многослоиных блоков с общими слоями проводящего и полупроводящего материалов, о т л и ч а ю щ с е с я тем, что,. с целью увеличения плотности монтажа деталей и упрощения процесса производства,, выполненные в виде указанных блоков строчные группы диодов закреплены в обойме матрицы одна над другой, а соответствующие диоды различных строчных групп соединены между собой полосками фольги, отогнутые концы которых образуют кодовые шины матрицы..

2. Устройство по п. I, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью упрощения технологии массового производства, кодовые шины матрицы, соединяющие соответствующие диоды различных строчных блоков, выполнены в виде прутков из легкоплавкого припоя, вплавленного в канавки вдоль боковых обрезов строчных блоков.

Редактор В. М. Паркес Техред А. А. Кудрявицкая Корректор Л. E. Чекунова

Формат бум. 70Х108 /и Объем 0,17 п. л, Тираж 750 Цена 25 коп.; с 1.1-61 г.— 3 коп.

ЦБТИ при Комитете по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, М. Черкасский пер., д. 2/6.

Подп к печ. З.Х1-60 r

Зак. 8775

Типография ЦБТИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР,. Москва, Петровка, 14.

Матричную схсмъ составляют нз cTpo IHblx Групп, наложенных одна на другую. Шипы магри шой схемы образованы отогнутыми концами полосок весьма тонкой фольги, наложенных на вторыс электроды диодов и расположенных вдоль строки в соответствии с заданным распределением диодов в матричной схеме. Для исключения короткого замыкания между проводящими основаниями одних строчных групп и полосками фольги других строчных групп торцовые стороны строчных полосок покрываются до сборки в матричную схему (пакет) изоляционным лаком, Собранная схема закрепляется в обойме, которая поджимает полоски строчных групп друг к другу.

Для упрощения технологии отдельные диоды различных строчных групп могут быть соединены между собой не полосками фольги, а прутками из легкоплавкого припоя, вплавленного в проточенные вдоль боковых обрезов строчных полосок диэлектрика и полупроводника специальные канавки. Отсутствие электрического контакта между вторыми электродами диодов, которые пе входят в электрическую схему матрицы, и шинами, а также между шинами и первым проводящим слосм o0ccl1"ãчивается зазорами, оставляемыми в этом случас между проводящими слоями и дном канавок, протачиваемых в боковых обрезах.