Устройство для измерения гальваномагнитных характеристик расплавов высокоомных полупроводников

Устройство для измерения гальваномагнитных характеристик расплавов высокоомных полупроводников

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к устройствам для измерения гальваномагнитных характеристик расплавов высокоомных полупроводников, в частности эффекта Холла и магниторезистивного эффекта. Цель .- повышение точности измерения гальваномагнитных характеристик за счет выполнения в устройстве рабочего канала 2 прямоугольного сечения с выемками по оси корпуса, в которых имеются отверстия 6 для холловских и токовых зондов, при соотношении длины рабочего канала к ширине 1:3. 3 Ш1, 1 табл. I (Л оо о 00 со О5 ю

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК

А1 (I91SU(ii> 1 (51) 4 G 01 R 33/06

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н А ВТОРСНОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР 10 ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3909528/24-21 (22) 13.06.85 (46) 07.05.87. Бюл. № 17 (71) Московский институт электронной техники (72) В.M.Ãëàçoâ, В.Б.Кольцов и В.А.Курбатов (53) 621.317.44 (088.3) (56) Казанджан Б.И., Лобанов А.А., Селин Ю.Н. Прецизионная ячейка для измерения эффекта Холла. — Заводская лаборатория, 1972, т.38, ¹ 7, с.884-885.

Казанджан Б.И., Лобанов А.А. и др.

Устройство для измерения электрофизических расплавов при высоких температурах (У-2): Труды Московского энергетического института, 1975,. с.65-67. (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ГАЛЬВАH0MAI HHTHbE ХАРАКТЕРИСТИК РАСПЛАВОВ

ВЫСОКООМНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ (57) Изобретение относится к устройствам для измерения гальваномагнитных характеристик расплавов высокоомных полупроводников, в частности эффекта

Холла и магниторезистивного эффекта.

Цель — повышение точности измерения гальваномагнитных характеристик за счет выполнения в устройстве рабочего канала 2 прямоугольного сечения с выемками по оси корпуса, в которых имеются отверстия 6 для холловских и токовых зондов, при соотношении длины рабочего канала к ширине 1:3. д

3 ил, 1 табл.

5 4

2 2 щие провода. Шлифы в верхней части позволяют предотвратить утечку исследуемого вещества при высоких температурах.

На предлагаемом устройстве получены результаты по исследованию температурной зависимости эффекта Холла на высокоомных соединениях при фазовом переходе кристалл-расплав.

В таблице представлены экспериментальные данные, характеризующие изменение относительного сопротивления

К /R от отношения длины устройства к ширине, а в соответствии с этим представлены экспериментальные данные по подвижности носителей в точке плавления (в жидкой фазе), полученные из данных по Холл-эффекту и магнитосопротивлению.

Таким образом, учитывая ошибку эксперимента, можно отметить, что отношение 1:3 является наиболее оптимальным.

Формула и з обретения

Устройство для измерения гальваномагнитных характеристик расплавов высокоомных полупроводников, содержащее цилиндрический корпус из изоляционного материала, в котором расположен рабочий канал прямоугольного сечения, проходящий через ось симметрии корпуса, загрузочную емкость со шлифами и отверстия для подвода холловских и токовых зондов, о т л и ч а ю щ е ес я тем, что, с целью повышения точности измерения, боковая поверхность рабочего канала выполнена с противолежащими симметричными выемками, расположенными на оси корпуса с отверстиями для потенциальных зондов, а торцы канала выполнены с выемками большего сечения, чем сечение рабочего канала по ширине и высоте для токовых зондов, причем длина рабочего канала относится к его ширине как 1:3.

1 130896

Изобретение относится к устройствам для измерения гальваномагнитных характеристик расплавов высокоомных полупроводников, в частности эффекта

Холла и магниторезистивного эффекта.

Цель изобретения — повышение точности измерения гальваномагнитных характеристик расплавов высокоомных полупроводников за счет выполнения щелевидного рабочего канала прямо- 10 угольной формы с выемками, расположенными по оси корпуса, в которых имеются отверстия для холловских контактов, при соотношении длины рабочего канала к ширине 1:3. 15

На фиг.1 и 2 представлено устройство для исследования гальваномагнитных характеристик расплавов высокоомных полупроводников на Фиг 3 разрез А-А на фиг.1 и 2. 20

Устройство представляет собой цилиндрический корпус 1, выполненный из изоляционного тугоплавкого материала карбонитрида бора, с внутренним рабочим каналом 2 прямоугольного

25 сечения с выемками 3, в верхней части устройства предусмотрена емкость

4 для загрузки исследуемого вещества, которое после плавления заполняет рабочий канал 2, и шлифты 5, для rep- 30 метиэации внутреннего объема. В нижней и верхней частях рабочего канала имеются отверстия 6 для подвода пары зондов (холловских), В боковых стенках канала, диаметрально противопо- 35 ложно, имеются отверстия 7 для токовых зондов, превышающие по длине ширину рабочего канала. В устройстве предусмотрены каналы 8 и 9, для закладки термопар и токовых проводов. 40

Устройство имеет конструкцию, которая позволяет изготовлять его серийно методом точного керамического литья, без какой-либо последующей доработки, выполненное в виде единого монолитно- 45 го тела, снабженного каналами на боковой поверхности, которые позволяют надежно фиксировать все подводя1308962

Отношение длины к ширине

1:а

Значение относитель2 — 2,0 2,0 2,0

2,0 2,24 4,2

Значение подвижности из данных магнитосопротивлению см ного сопротивления

Ra Ro

Значение подвижности из данных по Холлу з см

0 ° 10

71 41 21 1:1 12 127 13 134 14 15

24 51 72 99 10 104 128 14

1 - 1,05 1,42 1,83 2,0 2,0 2,0 2

1308962

Составитель Г.Павлов

ТехРеД H,Попович КоРРектоР А.ОбРУчаР

Редактор М. Бланар

Заказ 1795/38

Тираж 731 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, r.Óæãîðoä, ул.Проектная,4