Способ считывания информации в матричном биморфном сегнетоэлектрическом накопителе информации

Способ считывания информации в матричном биморфном сегнетоэлектрическом накопителе информации

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к вычис, 1ительной технике и может быть использовано при изготовлении и эксплуатации запоминающих устройств. Целью изобретения является повышение эффективности считывания информации. Супхность способа заключается в возбуждении в выбранном элементе памяти ультразвуковых колебаний подачей импульсного электрического напряжения и в индикации ультразвуковых колебаний в элементе памяти фазовым детектированием колебаний пьезоэлектрической подложки . Изобретение позволяет повысить эффективность считывания информационных сигналов реального матричного биморфпого накопителя информации на два--три порядка. е (Л оо о со о ОС

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (19) (11) (50 4 G I I С 11 22

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ »

3. ° .

»»»»«а A « инCA

CO

Я)

CO

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ

К АBTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 39 8419/24-24 (22) 26.06,85 (46) 07.05.87. Бюл. № 7 (71) Ленинградский политехнический ститут им. М. И. Калинина (72) А. А. Ерофеев, А. В. Соловьев и В. А. Трещун (53) 681.327.6 (088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

¹ 608197, кл. G 1! С 11/22, 1978.

Авторское свидетельство СССР № 893753, кл. G 1! С 11/22, 1982. (54) СПОСОБ СЧИТЫВАНИЯ ИНФОРМАЦИИ В МАТРИЧНОМ БИМОРФНОМ

СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКОМ НАКОП ИТЕЛЕ ИНФОРМАЦИИ (57) Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при изготовлении и эксплуатации за пом инающих устройств. Целью изобретения является повышение эффективности считывания информации. Сущность способа заключается в возбуждении в выбранном элементе памяти ультразвуковых колебаний подачей импульсного электрического напряжения и в индикации ультразвуковых колебаний в элементе памяти фазовым lcTcêòèðîванием колебаний пьезоэлектрической подложки. Изобретение позволяет повысить эффективность считывания информационных сигналов реального матричного биморфного накопителя информации на два- -три порядка.

1309084

Формула изобретения

Составитель В. Костин

Редактор И. Рогулип Гехрсд И. Верес Корректор Л. Знмокосов

Заказ 1438/44 Тираж 590 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий ! 13035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при изготовлении и эксплуатации запоминающих устройств.

Цель изобретения — повышение эффективности считывания информации в матричном биморфном сегнетоэлектрическом накопителе информации.

Сущность способа заключается в том, что возбуждение в выбранном элементе памяти ультразвуковых колебаний осуществляют подачей на электроды выбранного элемента памяти импульсного электрического напряжения, а индикацию ультразвуковых колебаний в выбранном элементе памяти осуществляют фазовым детектированием колебаний пьезоэлектрической подложки накопителя информации.

В результате того, что амплитуда ультразвуковых колебаний в выбранном элементе памяти зависит от амплитуды импульса электрического напряжения, а пьезоэлектрическая подложка выполняет функцию согласующего элемента между элементами памяти и детектором колебаний, эффективность считывания повышается в количество раз, примерно равное отношению массы пьезоэлектрической подложки к массе элемента памяти.

Способ считывания информации в матричном биморфном сегнетоэлектрическом накопителе информации, основанный на

1О возбуждении в элементе памяти импульса ультразвуковых колебаний и индикации полярности им пульса ультразвуковых колебаний в выбранном элементе памяти, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности считывания ин ормации, возбуждение в выбранном элементе памяти импульса ультразвуковых колебаний осу!цествляют подачей на электроды выбранного элемента памяти импульсного электрического напряжения, а индикацию

20 ультразвуковых колебаний в выбранном элементе памяти осуществляют фазовым детектированием колебаний пьезоэлектрической подложки накопителя информации.