Пьезоэлектрический материал

Пьезоэлектрический материал

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к пьезотехнике и позволяет расширить диапазон рабочих частот и повысить температурную стабильность пьезоэлектрического материала на основе оксида лантаноида. Пьезоэлектрический мате- , риал по изобретению соответствует эмпирической формуле . , где 5 i X fi 10, Ln -.La, Nd, Pr или их смесь, a М - Si, Ge, Ti, Zr, Sn, Hf, Nb. Та и Sb. Люминофор получают путем спекания смеси соответствующих оксидов, плавления полученного спека и выращивания из расплава монокристаллов на затравке по методу Чохральского. Полученные пьезоэлектрические материалы обладают рабочим диапазоном частот 10-1000 МГц и температурной стабильностью до 1400°С. 1 з.п. ф-лы.1 табл. с SS

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСА ЬЛИН

ИУ (И2!

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н А ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

fl0 QEfl AM H305PETEHHV И OTKPbITH4 (46) 15.01.93. Бюл. Р 2 (21) 3742200/26 (22) 15,05.84 (71) Институт кристаллографии им. A.Â. Шубникова и ИГУ им. М.В.Ломоносова (72) Б.В. Иилль, И.И..Сильвестрова, А.А. Каминский, 10.В. Писаревский, Г.Г. Ходжабагян и А.В. Буташин (56) Патент ФРГ Р 1806082, кл. Н 01 L 41/18, 1977.

Патент ФРГ 22 3110786, кл. Н 01 Ь 41/18, 1982. (54) ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ (57) Изобретение относится к пьезотехнике и позволяет расширить диапазон рабочих частот и повысить темпе(51)S Н 01 L 41/18 С 30 В 29/22 ратурную .стабильность пьезоэлектрического материала на основе оксида лантаноида. Пьезоэлектрический материал по изобретению соотвеТствует эмпирической формуле Ьп Сс1 .„I1 0«, где 5 «r х я 10, Ln †.La, Nd, Pr или их смесь, а М вЂ” Si, Ge., Ti, Zr, Sn, НЕ, Nb, Та и Sb. Люминофор получают путем спекания смеси соответствующих оксидов, плавления полученного спека и выращивания из расплава монокристаллов на затравке по методу Чохральского. Полученные пьезоэлектрические материалы обладают рабочим диапазоном частот 10-1000 ИГц и температурной стабильностью до 1400 С. 1 э.п. а о ф-лы.,1 табл.

1 130983

Изобретение относится к пьеэотехнике, а именно пьезоэлектрическому материалу на основе оксида лантанонда, используемому в качестве активных элементов пьеэореэонаторов, излучателей и приемников упруг;1х колебаний.

Цель изобретения — расширение диапазона рабочих частот и повышение тем. пературной стабильности пьезоэлект- 10 рического материала на основе оксида ,лантаноида.

:Изобретение иллюстрируется следующим примером.

Пример. Смешивают 43,1 мас.7. 15 Ф о р м у л а и з о б р е т е н и я

La>0» 48,8 мас .X Са О и 8,1 мас.Х

Si0 . После этого полученную смесь спекают на воэдухе при 1250 С и затем плавят в платиновом тигле s установке по методу Чохральского. На затравку, 20 ориентированную по оси (0001), вытягивают монокристалл при скорости вы-тягивания 3,5 мм/ч и скорости вращения 35 об /мин в атмосфере SX О, +

95 1г °

Выращенные кристаллы имеют длину вдоль оси (0001) до 100 мм и диаметр до 30 мм.

В габлице приведены сравнительные данные, характеризующие рабочий диа- 30 пазон частот и температур материала по предлагаемому изобретению (примеры 3-5) и известному (пример 1).

6 2

Иэ таблицы видно, что предлагаемый пьеэокристаллический материал существенно превосходит известный пьеэозлектрик по рабочему диапазону частот (10-1000 МГц), а также температурной стабильности, поскольку о известный материал при 423 С располяризовывается и при последующем охлаждении .его пьезоактивность резко уменьшается, в то время как материал. по предлагаемому изобретению сохраняет свою работоспособность при нагревании до 1400 С.

1. Пьезоэлектрический материал на основе оксида лантаноида Ln,âêëþчающий дополнительно оксид элемента

М, отличающийся тем,что, с целью расширения диапазона рабочих частот и повышения температурной стабильности, он дополнительно содержит оксид галлия Са при соотношении компонентов в соответствии с эмпирической формулой Ьп Са „М„О, ; где

0 S сх «10.

2. Материал по п.1, о т л и ч а юшийся тем, что он содержит лантаноид из группы, включающей La, Nd и Pr нли их смесь", и дополнительно оксид элемента группы, включающей

Si, Се, Ti, Ег, Sn, Hf, Nb, Та и Sb.

Поглощение продольных упругих волн, дб/см, при частоте

Температура фазового пео рехода, С

Материал

Пример!

10 МГц 1000 МГц (РЪ, „La„(Zr>Ti, „)) О, Ьа Са 56еО, Ы,ЬаСа Sie,4

Ьа Са, ЬЪ О« 5 Ф

La,Ga SiO«

423

О,ООО1

0,0001

0,0001

0,0001

1470

0,80

0,64

1470

4

5, 1470 1470

0,90

0,50

Составитель В. Божевольнов

Редактор Л. Kypacosa Техред И,Попович Корректор А. Обручар

Заказ 1086

Тираж Подянсное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Moctcsa, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4