Устройство для рентгенографического исследования кристаллических веществ

Устройство для рентгенографического исследования кристаллических веществ

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к научному приборостроению, а именно к средствам рентгенографического исследования монокристаллов и поликристаллических веществ в условиях электро магнитного, сило вого и температурного воздействий. Цель изобретения состоит в расширении функциональных возможностей благодаря обеспечению исследования распределения электронной плотности в монокристаллах, а также исследования структуры, фазового состава , текстуры, макрои микроискажений поликристаллов .. Предлагаемое устройство выполнено в геометрии четы (Л

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК (19) (И) А1

C594G 01 N 23 20, ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н ABTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3915151/31-25 (22) 10.07.85 (46) 23.05.87. Бюл. У 19 (7 1) ИГУ им. И.В. Ломоносова (72) Л.А. Асланов и Г.В; Фетисов (53) 621.386 (088.8) (56) Hornstra I., Vossers Н. The

Philips PW 1100 Single-crystal difйraktometer — Philips Technical Review 1973, vol, 33,3, р. 61 73.

Хейкер Д.M. Рентгеновская дифрактометрия монокристаллов, — Л.: Иаши. ностроение, 1973, с. 104.

Хейкер Д.И. и Зевин Л.С. Рентгеновская дифрактометрия. — M.: Физматгиз, 1963, с. 63-66.

Авторское свидетельство СССР

Ф 1040390, кл. G 0! N 23/227, 16.03.82. (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ РЕНТГЕНОГРАФИЧЕСКОГО ИССЛЕДОВАНИЯ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ВЕЩЕСТВ (57) Изобретение относится к научному приборостроению, а именно к средствам рентгенографического исследования монокристаллов и поликристаплических веществ в условиях электромагнитного, силового и температурного воздействий. Цель изобретения состоит в расширении функциональных возможностей благодаря обеспечению исследования распределения электронной плотности в монокристаллах, а также исследования структуры, фазового состава, текстуры, макро- и микроискажений поликристаллов,. Предлагаемое устройство выполнено в геометрии четы13124 рехкружного монокристального дифрактометра с ОКГ в качестве средства воздействия на образец. Расположение механизма поворота держателя 3 образца так, что точка С пересечения геометрических осей вращения держателя образца, источника 8, детектора 9 рентгеновского излучения и оси поворота платформы 6 находится между механизмом поворота держателя 3 и механизмами 10 и 11 поворота источника и детектора рентгеновских лучей, позволяет устанавливать механизм вращения держателя образца на любом расстоянии от центра С при условии компенсации расстояния от механизма 3 до точки, в которой по требованиям геометрии дифрактометра должен располагаться исследуемый образец. Удлинительным узлом 12 переменной длины обеспечивается свободное расположение образца, которое делает теневую область очень малой и не зависящей от

59 размеров механизма вращения образца при исследовании монокристаллов и допускает установку более массивного держателя образца для исследования поликристаллов, При установке поликристаллического образца в плоскости, проходящей через ось поворота платформы 6, и развороте платформы так, чтобы ось совместного поворота источника и детектора рентгеновских лучей располагалась под прямым углом к оси поворота держателя образца, реализуется геометрия порошкового дифрактометра Брегга-Брентано, а при отнесении образца на окружность с центром в точке С, на которой располагаются источник 8 и детектор 9, выполняется геометрия порошкового дифрактометра Зеемана-Болина. Подобными перемещениями образца на предлагаемом устройстве можно воспроиэвести.и другие геометрии порошковых дифрактометров. 1 ил.

Изобретение относится к научному приборостроению, а конкретно к средствам рентгенографического исследования монокристаллов и поЛикристаллических веществ в условиях электромагнитного, силового и температурного воздействий.

Цель изобретения — расширение функциональных возможностей благодаря обеспечению возможности исследования 10 распределения электронной плотности в монокристаллах, а также исследования структуры, фазового состава, текстуры, макро- и микроискажений поликристаллов.

На чертеже показана блок-схема предложенного устройства.

Устройство включает основание 1 с закрепленным на нем средством 2 воздействия, механизм поворота держателя 3 образца со средством отсчета угла, зеркало 4 поворота аучка лучей лазера ОКГ, закрепленное на съемном кронштейне 5, который монтирует25 ся на стойке механизма поворота держателя образца и может убираться при отсутствии необходимости работы с

ОКГ; платформу 6, установленную на основании 1, имеющую возможность поворота вокруг оси, перпендикулярной основанию с помощью механизма 1 поворота под контролем средства отсчета угла поворота платформы, источник

8 и детектор 9 рентгеновских лучей с индивидуальными механизмами поворота и средствами отсчета углов 10 и 11 соответственно источника и детектора, удлиненный узел 12 переменной длины, передающий вращение от механизма 3 к закрепленному на нем образцу С, кронштейн 13 крепления механизма поворота держателя образца к основанию.

Устройство работает следующим образом.

При исследовании монокристаллов образец устанавливается в точку С пересечения геометрических осей путем изменения длины узла 12,, соединяющего образец с механизмом поворота держателя образца, затем образец, платформа 6, источник и детектор рентгеновских лучей с помощью мехаФ о.р м у л а и з о б р е т е н и я

Составитель Е. Сидохин

Редактор Г, Волкова Техред М.Ходанич

Корректор О.Тигор

Заказ 1966/42 Тираж 777

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Подписное

Производственно-полиграфическое предприятие, r. Ужгород, ул. Проектная, 4, 3 - 13124 низмов 3, 7, 10 и 11 поворота и под контролем соответствующих средств отсчета углов устанавливаются так, что выполняются условия отражения для заданной кристаллографической плоскос5 ти. Сканирование осуществляется поворотом источника 8 и детектора 9. Средства внешнего воздействия крепятся либо на основании 1 либо на креплении механизма поворота держателя 3 образ- 10 ца. Эти средства остаются неподвижными в процессе измерений и могут иметь любые подводки питания, охлаждения и т.п. Вследствие возможности неограниченного удаления механизма 15 вращения держателя 3 от образца С теневая область может быть значительно уменьшена, а расположение механизма поворота 3 с кронштейном 13 его крепления к основанию с одной стороны 2п от оси поворота поворотной платформы обеспечивает воэможность перемещения механизма 7 с закрепленными на нем источником и детектором рентгеновских лучей в широком интервале углов 25 при любых положениях детектора и источника.

При исследовании поликристаллических образцов с плоской поверхностью, например, в геометрии Брегга †Брен- 30 но плоскость образца, установленная перпендикулярно оси вращения механизма держателя 3, с помощью удлинительного узла 12 совмещается с осью поворота платформы 6, платформа пово- 35 рачивается так, чтобы ось совместного, поворота источника и детектора рентгеновских лучей располагалась под прямым углом к оси поворота держателя образца, при этом расстояния от 4Q точки С до источника и детектора должны быть равными. Сканирование дифракционных линий осуществляется поворотом детектора и источника навстречу один другому с одинаковой 45

59 4 скоростью. При этом отражение происходит от кристаллографических плоскостей, параллельных поверхности образ.ца. Наклонная съемка при исследовании текстуры или макронапряжений осуществляется после поворота платформы 6 на нужный угол.

Устройство для рентгенографического исследования кристаллических ве- . ществ, включающее горизонтальное основание, выполненное с возможностью установки на нем: средств электромагнитного, магнитного, электрического, силового и температурного воздейст-: вий на образец, механизм поворота держателя образца вокруг оси, параллельной основанию, закрепленный на основании посредством кронштейна, поворотную платформу, имеющую. возможность поворота вокруг вертикальной оси, смонтированные на этой платформе источник и детектор рентгеновских лучей, снабженные механизмами неза" висимого относительного и совместного поворота вокруг оси, параллельной основанию, о т л и ч а ю щ е е с я тем; что, с целью расширения функциональных возможностей за счет обеспечения возможности исследования распределения электронной плотности в монокристаллах, а также исследования структуры, фазового состава, текстуры, макро- и микроискажений поликристаллов, механизм поворота держателя образца смонтирован на основании, держатель образца и кронштейн крепления механизма поворота к основанию расположены по одну сторону от оси поворота поворотной платформы, а механизм поворота образца снабжен удлинительным узлом переменной длины, на котором закреплен держатель образца.