Согласующее устройство

Согласующее устройство

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано при создании БИС в качестве согласующего устройства. Цель изобретения - увеличение быстродействия и помехоустойчивости, а также увеличение порога переключения и уменьшение входного тока. Устройство содержит диоды 9-11, транзисторы 1-4. Для достижения поставленной цели в устройство введены транзистор 14, источник тока 15 и новые связи. 1 з.п. ф-лы, 2 ил. гг W t I2ff со О5 О 00 ti -ЙН Г а , J мЬ) чЖ/ 1/J

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИН (19) (11) 101 А1 (51) 4 ll 03 К 19/ОЭ!

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К А BTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ с,Р

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21) 4004823/24-21 (22) 07.01.86 (46) 07.06,87, Бюл. У 21 (71) Московский инженерно-физический институт (72) А.В,Алюшин, М,В.Алюшин, В.Н.Волков и С.А.Головлев (53) 62 1,374 (088.8) (56) Патент США Р2 4 180749, кл. Н 03 К 19/08, 1980.

Авторское свидетельство СССР

Р 1262719, кл, Н 03 К 19/091, 1985, (54) СОГЛАСУЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО (57) Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано при создании БИС в качестве согласующего устройства. Цель изобретения — увеличение быстродействия и помехоустойчивости, а также увеличение порога переключения и уменьшение входного тока. Устройство содержит диоды 9-11, транзисторы 1-4, Для достижения поставленной цели в устройство введены транзистор 14, источник тока 15 и новые связи. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к импульсной микроэлектронике и может найти применение при создании БИС в качестве элемента согласования схем

ТТЛ и КЩП логики со схемами интегральной инжекционной логики (И Л)

2. или интегральной Шоттки логики (ИШЛ) °

Целью изобретения является увеличение быстродействия и помехоустойчивости, а также увеличение порога переключения и уменьшение входного тока.

На фиг, 1 показана принципиальная схема согласующего устройства; на фиг. 2 — то же, вариант выполне15 ния.

Согласующее устройство (фиг.1) содержит с первого по четвертый транзисторы 1-4, первый 5 и второй 6 источники тока, входную 7 и выходную 8 шины, с первого по третий диоды Шоттки 9-11, шину 12 питания и общую шину 13.

База, коллектор и эмиттер транэис25 тора 1 соединены соответственно с анодами диодов 9 и 10 и через источник 5 тока с шиной 12 питания, шиной

7 и катодом 10 диода, базой транзистора 2 и анодом диода 11. Коллектор транзистора 2 соединен с катодом диода 11 и через источник 6 тока с общей шиной 13, базой транзистора 3, эмиттером транзистора 4, база и коллектор которого соединены с катодом диода

9, эмиттеры транзисторов 2 и 3 соединены с общей шиной 13, коллектор транзистора 3 соединен с шиной 8.

Го1.гасующее устройство работает следующим образом, При низком потенциале на шине 7 весь ток игточника 5 тока втекает через диод 9 во входную цепь. Транзистсры t, 2 и 4, а также диоды 9 и

11 закрыты.

Источник 6 тока открывает тран45 зистор 3 ° Па выходной шине 8 поддерживается низкий потенциал.

При высоком потенциале на шине 7 (u 1,0 В) диод 10 закрыт, транзисторы 1, 2 и 4 работают в активной области и образуют токовое зеркало. Потенциал на базе транзистора

3 ранен

1 316081 2 да 9 соответственно. Транзистор 3 закрь1т. На выходной шине 8 поддерживается высокий потенциал.

Таким образом, изменение потенциала на шине 7 приводит к изменению состояния транзистора 3, открытый коллектор которого может непосредственно управлять элементами И Л и ИШЛ.

Достоинством согласующего устройства является то, что после того,как

1 диод 10 закроется, входной ток устройства не зависит от входного напря.— жения вплоть до напряжения пробоя коллекторного перехода транзистора

1, что позволяет согласовать злемен2 ты И Л и ИШЛ не только с ТТЛ, но и с КМДП логикой с напряжением питания

1,5-30 В и более, В предлагаемом устройстве диод 10 исключает насыщение транзистора 1 при низком потенциале на шине 7

1 поэтому импульс помехи на шине 8 не появляется. Транзистор 4 и диоды

9 и 11 обеспечивают фиксацию потенциала базы транзистора 3 на уровне

0,2-0,3 В при высоком потенциале на шине 7. Диод 11 обеспечивает поддержание такого потенциала при высоких температурах, так как отводит тепловые токи иэ базы транзистора 2.

Задержк» переключения устройства определяется временем переэаряда узловых емкостей без транзисторов 1 и

3 на величину 0,2-0,3 В.

Для увеличения порога переключения согласующего устройства с 1,0 до

1,5-1,8 В и уменьшения входного тока в 10-100 раз согласующее устройство фиг. 2 дополнительно содержит пятый транзистор 14 и третий источник 15 тока, причем база, коллектор и эмиттер транзистора 14 соединены соответственно с шинами 7 и 12, коллектором транзистора 1, третий источник 15 включен параллельно переходу база — эмиттер транзистора 2.

Для надежного запирания транзистора 2 при низком потенциале на шине 7 величина источника 15 должна быть в 2-10 раэ больше источника 5.

Таким образом, предлагаемое устройство обладает большой помехоустойчивостью.

55 ь П эа Ода пения 11анряжений на переходах база миттер транзисторов 2, 1 и 4 и диоФор мула и эобретения

1. Согласующее устройство, содержащее входную шину, три диода, четы13160

Составитель А.Янов

Редактор H.Ëàçàðåíêo Техред И.Попович Корректор, М.Демчнк

Заказ 2372/56 Тираж 901 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г, Ужгород, ул, Проектная, ч ре транзистора, база первого транзистора соединена через первый источник тока с шиной питания, эмиттер соединен с базой второго транзистора,эмиттер которого соединен с общей шиной, а коллектор через второй источник тока соединен с общей шиной и подключен к базе третьего транзистора,эмиттер которого соединен с общей шиной, а коллектор подключен к выходной ши- 10 не, коллектор четвертого транзистора соединен с катодом первого диода, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью увеличения быстродействия и помехоустойчивости, анод первого дио-15 да соединен с базой первого транзистора и анодом второго диода, катод которого соединен с коллектором первого транзистора, эмиттер которого

81 4 соединен с анодом третьего диода, катод которого соединен с коллектором второго транзистора и эмиттером четвертого транзистора, база которого соединена с его коллектором, а катод второго диода подключен к входу устройства.

2, Устройство по п. 1, о т л и чающее с я тем, что, с целью увеличения порога переключения и уменьшения входного тока, введены третий источник тока и пятый транзистор, переход база — эмиттер которого включеН между входной шиной и катодом второго диода, а коллектор соединен с шиной питания, база второго транзистора через третий источник тока соединена с общей шиной.