Пьезоэлектрическое устройство на поверхностных акустических волнах

Пьезоэлектрическое устройство на поверхностных акустических волнах

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к радиоэлектронике и может использоваться в акустоэлектронных устройствах обработки радиосигнала. Изобретение решает задачу увеличения подавления , уровня ложных сигналов в пьезоэлектрическом устройстве на поверхностных акустических волнах (ПАВ). В звукопроводе 1 на пути распространения .объемных акустических волн . (ОАВ) выполнены структурные дефекты 4, 5 в виде микротрещин. Расстояние между их центрами зависит от длины соседних микротрещин и угла их наклона к линий, соединяющей их центры. Микротрещины размещены в объеме звукопровода 1 на расстоянии от поверхности его рабочей грани, превышающем длину ПАВ. Дефекты 5 размещены в области под выходным преобразователем ПАВ 3, а дефекты 4-3 области между входным 2 и выходным 3 преобразователями ПАВ. Структурные дефекты обеспечивают направленное рассеяние ОАВ и их частичноеJпoглoщeниe. 2 з.п. ф-лы, 2 ил. с S &9 № &д 00

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕа1УЬЛИК (51)5 Н 03 Н 9/25

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И OTHPblTHA

"т

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЙ;

Н ABTOPCHOlVIY СВИДЕТЕЛЬСТВУ (46) 23.02.93. Бюл. ¹ 7 (21) 3931785/22; 3987181/22 (22) 12.07.85 (72) Ю.В.Лакиза, A.À.Èàëàùåíêî, А.В.Иеэенов, И.П.Овсищер и В.И.Шепшелей (56) Патент США В 3887887, кл. 333-30, опублик. 1975.

Патент США В 4142163, кл. 333-72, опублик. !974. (54) ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКОЕ УСТРОЙСТВО

HA ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ (57) Изобретение относится к радиоэлектронике и может использоваться

s акустоэлектронных устройствах обработки радиосигнала. Изобретение решает задачу увеличения подавления. уровня ложных сигналов в пьезо„„SU„„ А1 электрическом устройстве на поверхностных акустических волнах (ПАВ) .

В звукопроводе 1 на пути распространения объемных акустических волн (ОАВ) выполнены структурные дефекты

4,. 5 в виде микротрещин. Расстояние между их центрами зависит от длины соседних микротрещин и угла их наклона к линии, соединяющей их центры.

Иикротрещины размещены в объеме звукопровода 1 на расстоянии от поверхности его рабочей грани, превышающем длину ПАВ. Дефекты 5 размещены в области под выходным преобразователем

ПАВ 3, а дефекты 4 - в области между входным 2 и выходным 3 преобраэоваО телеки ПАВ. Структурные дефекты обеспечивают направленное рассеяние ОАВ и ик частичное,погпоиение. 2 е. ф-лы, 2 ил.

1 1316533 2

b„ 2

1 — Сов p + --сов /32

2 2 где 1 расстояние между центрами соседних микротрещин, длины соседних микротрещин, углы наклона соседних микро 5О трещин, лежащих в пересекающихся плоскостях к линии, соединяющей их центры.

Устройство на ПАВ работает следующим образом.

Электрический сигнал поступает на входной преобразователь 2, формирующий поверхностную акустическую

Изобретение относится к рапиоэлектронике и может быть использовано при создании устройств на поверхностных акустических волнах (ПАВ) для обработки радиосигналов, 5

Пель изобретения — увеличение подавления уровня ложных сигналов.

На фиг. 1 показано предлагаемое устройство на ПАВ; на фиг. 2 — дискретные микроразрушения, выполненные в звукопроводе из ниобата лития.

Пьезоэлектрическое устройство на

ПАВ содержит эвукопровод 1, входной

2 и выходной 3 преобразователи ПАВ, а также структурные дефекты 4, 5, представляющие собой микротрещины, дискретно расположенные внутри эву" копровода и локализованные в двух зонах: дефекты 4 — между входным 2 и выходным 3 преобразователями ПАВ, дефекты 5 — под выходным 3 преобразователем ПАВ. Подложка эвукопровода вырезана так, что нормаль к ее рабо-. чей поверхности совпадает с осью Y кристалла, а направление распространения ПАВ совпадает с осью K. Структурные дефекты 4, 5 созданы излучвнием лазера ЛТИПЧ-6 с параметрами: длительность импульсов излучения

10 нс, длина волны 1,06 мкм, максимальная импульсная мощность 0,5 ИВт, диаметр пятна сфокусированного излучения 10-15 мм, В кристалле звуколровода i каждый структурный дефект 4, 5 содержит по две основные микротрещины, определяющие размеры этих дефектов. Эти тре" щииы для зоны дефектов 4, полученные при направлении излучения по оси Y

48 кристалла, изображены на фиг. 2.

Расстояние между центрами структурных дефектов 4, 5 выбрано иэ выражения волну, которая распространяется по поверхности звукопровода 1 к выходному преобразователю 3, обеспечивающему обратное преобразование ПАВ в электрический сигнал. Объемно акустические волны (OAB), возбуждаемые входным преобразователем 2, распространяются вглубь звукопровода i,ïðåyepneaqev многократные отражения от поверхностей эвукопровода 1 и струк" турных дефектов 4, Структурные дефекты 4 обеспечивают направленное рассеяние, частичное поглощение и направление ОАВ, преимущественно на торцовые поверхности звукопровода 1, которые могут быть покрыты акустопоглотителем (не показаны), что обеспечивает эффективное подавление OAB

Часть OAB рассеянных структурными элементами 4 и прошедших в направлении выходного преобразователя 3, претерпевают многократные отражения от зоны структурных дефектов 5., поверхностей эвукопровода 1 H эффективное их поглощение акустопоглотителем.

Структурные дефекты 4, 5 могут образовывать локальные структуры,. расположенные относительно преобразователей IIAB 2, 3 так,. что обеспечивается направленное рассеяние (отражение) OAB и распространение

ОАВ преимущественно в направлении акустопоглотителей для снижения уровней ложных сигналов. Так, расположение дефектов 4, 5 между входным и выходным преобразователями ПАВ 2, 3 обеспечивает локализацию отраженных этими дефектами 4, 5 объемных волн в объеме эвукопровода 1 под входным преобразователем 2, многократное отражение звукопровода i под входным преобразователем 2, многократное отражение объемных волн от эоны дефектов 4, 5 и поверхностей звукопровода 1, и более эффективное подавление ложных сигналов. Наличие зоны дефектов 5, локализованной под выходным преобразователем 3, обеспечивает ослабление OAB прошедших зону дефектов 4, локализованную между входным 2 и выходным 3 преобраэовате. лями ПАВ, в направлении выходного преобразователя 3, что также повышает уровень подавления ОАВ, Формула изобретен ия

1. Пьезоэлектрическое устройство на поверхностных акустических волнах (ПАВ), содержащее эвукопровод, на

1316533

Ь1

+ — соз /3

2 1-, 2соз Д

Ь1 расстояние между центрами соседних микротрещин, м, длины соседних микротреHtHH1 М! где Х ь,,ь

Составитель Г.Иуртазина

Техред М, Ходанич. Корректор В. Бутяга

Редактор Л.Волкова

Заказ 1099

Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113D35, Москва, Ж-35 Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, r.Ужгород, ул.Проектная, 4 рабочей грани которого размещены входной и выходной преобраэователи

ПАВ, с выполненными в нем на пути распроСтранения объемных акустических волн структурными дефектами, о т- 5 л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью увеличения подавления уровня ложных сигналов, структурные дефекты выполнены в виде микротрещин, расстояиие между центрами которых выбрано из выражения (,,P, — угу наклона соседних мнк", ротрещин, лежащих в пересекающихся плоскостях, к линии, соединяющей их центры, рад, причем микротрещины размещены от поверхности рабочей грани эвукопровода на расстоянии, превьппающем длину ПАВ.

2. Пьезоэлектрическое устройство поп.1,отличающееся тем, что микротрещины размещены в области под выходным преобразователем ПАВ.

3., Пьезоэлектрическое устройство с поп.Е,отличающееся тем, что микротрещины размещены дополнительно в области между входным и выходным преобразователями ПАВ.