Источник опорного напряжения

Источник опорного напряжения

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано в качестве /- % 1 высокостабильного низковольтного источника опорного напряжения в разнообразных микроэлектронных устройствах. Цель изобретения - повышение коэффициента стабилизации . Цель достигается за счет использования двух последовательно включенных диодных стабилизаторов на одном активном элементе и реакции канала МДП-транзистора. Подложка МДП-транзистора 1 подключена к общей шине устройства, сток - к выходной клемме 5, а исток соединен с одним выводом резистора 2, другой вывод которого соединен с одним выводом резистора 3 и затвором МДП-транзистора 1. Другой вывод резистора 3 подключен к входной клемме 4. 1 ил. (Л со со 1 5 -L - %/л 5

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

1319011 А 1 (51) 4 G 05 F 3 24

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н А ВТОРСКОМ .Ф СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21) 3921560/24-07 (22) 28.06.85 (46) 23.06.87. Бюл. № 23 (71) Московский институт радиотехники, электроники и автоматики (72 ) Д. В. Игумнов. С. В. Костюнин, И. С. Громов и О. В. Городничева (53) 621.3! 6.722.1 (088.8) (56) Патент Англии ¹ 2113877, кл. G 05 !. 3/20, 1983, Г1атент Японии ¹ 58-21724, кл. G 05 F 1/6!3, 1983. (54) ИСТОЧНИК ОПОРНОГО НАПРЯЖЕНИЯ (57) Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано в качестве высокостабильного низковольтного источника опорного напряжения в разнообразных микроэлектронных устройствах. Цель изобретения — повышение коэффициента стабилизации. Цель достигается за счет использования двух последовательно включенных диодных стабилизаторов на одном активном элементе и реакции канала МДП-транзистора. Подложка МДП-транзистора 1 подключена к общей шине устройства, сток — к выходной клемме 5, а исток соединен с одним выводом резистора 2, другой вывод которого соединен с одним выводом резистора 3 и затвором МДП-транзистора 1. Другой вывод резистора 3 подключен к входной клемме 4.

1 ил.

1319011

Формула изобретения

Составитель В. Есин

Редактор A. Ворович Техред И. Берег Корректор Л. Патай

Заказ 2511/42 Тираж 863 Подл исное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж вЂ” -35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано в качестве высокостабильного низковольтного источника опорного напряжения в микроэлектронных устройствах.

Целью изобретения является повышение коэффициента стабилизации устройства.

На чертеже представлена принципиальная электрическая схема устройства.

Устройство содержит полевой МДПтранзистор 1 со встроенным каналом п-типа, 10 первый 2 и второй 3 резисторы, входной 4 и выходной 5 выводы, общую шину 6. Подложка транзистора 1 подключена к общей шине 6, сток — к выходному выводу 5, а исток соединен с одним выводом резистора 2, второй вывод которого соединен с одним выводом резистора 3 и затвором МДП-транзистора 1. Второй вывод резистора 3 подключен к входному выводу 4. Переходы подложка — исток и подложка — сток имеют разные вольтамперные характеристики. 20

Входное и выходное напряжения имеют отрицательную полярность. Последовательно включенные резисторы 2 и 3 и смещенный в прямом направлении р — п переход исток— подложка МДП-транзистора 1 образуют обычный диодный стабилизатор, в котором роль балластного сопротивления играют резисторы 2 и 3. Таким образом, напряжение на истоке МДП-транзистора 1 уже являются относительно стабильным. Это напряжение через канал МДП-транзистора 1 поступает ца смещенный в прямом направлении р — п переход сток — подложка. Сопротивление канала МДП-транзистора 1, выполняющее роль балластного сопротивления, и переход сток — подложка МДП-транзистора 1 образуют второй стабилизатор напряжения, вклю2 ченный последовательно с первым. Сопротивление канала МДП-транзистора 1 изменяется под действием входного напряжения

U,„, тем самым способствуя поддержанию на выходе устройства постоянного опорного напря.жения U,„„. Так, например, при уменьшении (по модулю) напряжения U,„ñíèçèòся (по модулю) и напряжение на затворе

МДП-транзистора 1. При этом сопротивление канала МДП-транзистора 1 также уменьшится, что компенсирует влияние уменьшения напряжения U.„Hà величину напряжения U,„. Эффективность схемы растет с увеличением разности напряжений истока и стока относительно подложки.

Та ким образом, за счет использования двух последовательно включенных диодных стабилизаторов на одном активном элементе и реакции канала МДП-транзистора удается в несколько раз повысить коэффициент стабилизации источника опорного напряжения по сравнению с известным устройством, а также снизить величину выходного напряжения.

Источник опорного напряжения, содержащий полевой МДП-транзистор с каналом п-типа, который подключен к входному выводу через последовательно соединенные первый и второй резисторы, точка соединения которых подключена к затвору транзистора, подложка которого соединена с общей шиной, отличающийся тем, что, с целью повышения коэффициента стабилизации, в качестве МДП-транзистора использован транзистор с встроенным каналом, сток которого подключен к выходному выводу, а исток — к первому резистору.