Печь для выращивания монокристаллов

Печь для выращивания монокристаллов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Х» 132410

Класс 4Оа, 4Дзв

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛ6СТВУ

11одггисная:pi1nna ¹ 161

Н. И. Малышев и Ф, С. Беленова

ПЕЧЬ ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИНТЕРМЕТАЛЛИЧЕСКИХ

СОЕДИНЕНИЙ

Заявлено 4 февраля 1960 г. за № 653286/22 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Опубликовано в «Бюллетене изобретений» № 19 за 1960 г.

Предлагаемая печь для выращивания монокристаллов полупроводниковых интерметаллических соединений по методу Чохральското в сравнении с подобными печами Ричардса, Мооди и др. является конструктивно более простой.

Герметизация объема с летучим компонентом и регулирование давления его паров осуществляются при помощи полой кварцевой пробки, выполненной в виде усеченного конуса на штоке для выращивания монокристаллов,а также при помощи охлаждаемой спиральной пружины.

На чертеже показана схема печи.

Кварцевая пробка 1 притерта к муфте 2 кварцевого кожуха 8. Через пробк 1 пропущен свооодно перемещающийся в ней кварцевый шток 4. Зазор между ним и цилиндрической частью пробки составляет 5,ик. Проникновение сквозь зазор 2 — 3,1гг)час летучего компонента компенсируется из его запаса, находящегося в «холодном» конце

5 печи.

Разогрев тигияб осуществляют при помощи инд кционной обмотки 7. В труоку 8, введенную через холодный конец 5, вставлены термопары, замеряюшие температуру расплава. Для уравновешивания внутреннего давления паров летучей компоненты на пробку 1 применена охлаждаемая ппужина 9, сила давления которой на 15 — 20% превышает силу давления паров.

Для наблюдения за поверхностью расплава, находящегося в тигле б, предусмотрено окно 10, выдвинутое за пределы рабочего пространства во избежание загрязнения.

Нагрев кожуха 8, трубки окна 10 и «холодного» конца 5 осуществляют при помощи обмоток электросопротивления.

Предмет изооретения

Тех ед A. Л. Сосина

Корректор В. П. Фомина

Редактор H. Л. Леонтьева

Формат бум. 70Х108 /«

Тираж 700 Цена

ЦБТИ при Комитете по делам изобретений при Совете Министров СССР

Москва, Центр, М. Черкасский пер., Подп, к печ, 1.Х1-60 r

Зак. 9247

Объем 0,17 п. л.

25 коп.; с 1.1-61 г. — 3 коп. и открытий д. 2/6

Типография ЦБТИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров ССС1, Москва, Петровка, 14.

Печь для выращивания монокристаллов полупроводниковых интерметаллических соединений по методу Чохральского, о т л и ч а ющ а я с я тем, что, с целью регулирования давления и герметизации печи, она в верхней своей части снабжена полой проокой, выполненной в виде усеченного конуса, монтируемого на штоке для выращивания монскристаллов, и спиральной пружиной, установленной на щтоке между пробкой и торцовым фляяцсм печ:,t.