Устройство для ускоренного выращивания кристаллов из расплава

Устройство для ускоренного выращивания кристаллов из расплава

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Ю Д26

Класс 12с, 2

ГСЕСС Д."1, ; g

СССР

ГЛТЕ1,, 0 1.....,, "- ° - - °

ОПИСАНИЕ ИЗОБАТЕ 1»ЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Подпаснал "pgnna Л3 89

Н. Н. Шефталь, И В. Степанов, М. А. Васильева и

В. Я. Хаимов-Мальков

УСТРОЙСТВО ДЛЯ УСКОРЕННОГО ВЫРАЩИВАНИЯ

КРИСТАЛЛСВ ИЗ РАСПЛАВА

Заявлено 25 ноября 1959 г. за 7Га 645071/23 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

ОпубiHKoBBHo в «Б оллетене изобретений» Хо 20 за 1960 г.

Известны кристаллизационные установки для вырап;иваппя монокристаллов нз расплава методом опускания тигля, выполненные B виде трубчатой вертикальной печи с узким металлическим концом-диафрагмой расположенным в нижней части печи и нагреваемым до высокой

t температуры.

Предлагаемое устройство для ускоренного выращивания кристаллов из расплава отличается от известных тем, что в нижней части нагреваемой зоны печи вместо диафрагмы-нагревателя помещено массивное металлическое кольцо-охладитель.

Введение в печь охлаждаемого кольца-диафрагмы позволяет производить выращивание кристаллов с высокой скоростью и повышает чистоту кристалла.

На фиг. 1 изооражено устройство в разрезе; на фиг. 2 — кольцоохл адитель.

Тигель 1 с расплавом укреплен на подставке 2, при помощи которой может перемещаться из обогреваемой верхней камеры 3 трубчатой вертикальной печи в ненагреваемую нижнюю камеру 4. Камеры печи разделены массивным металлическим кольцом-диафрагмой 5, внутри которого по трубам циркулирует охлаждающая жидкость (вода, антифриз и др.) или охлажденный газ. Ось кольца-диафрагмы совпадает с осью тигля, а величина зазора между стенками нагретого тигля н кольцом должна быть минимальной (порядка 0,3 — 0,5 м,я).

Тигель с расплавом опускается в охлаждающее кольцо-диафрагму, что позволяет производить сильное локальное охлаждение растущего кристалла с образованием практически плоской изотермы кристаллизации. Для надежной работы устройства расплав перегревается значительно выше температуры плавления, примерно на 200 и более. № 132614

Предмет изобретения

Редактор Н. И. Мосин

Корректор В. П. Фомина

Техрсд А. А. Камышникова

Формат бум. 70Х108 /i6 Объем 0,17 п. л..

Тираж 700 Цена 25 коп.; с 1.1-61 г. — 3 коп, ЦБТИ при Комитете по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, М. Черкасский пер., д. 2/6.

11одп. к печ. 21.Х-60 г

Зак. 8790

Типография ЦБТИ Комитета по делам изобретений и открытий нри Совете Министров СССР, Москва, Петровка, 14.

Устройство для выращивания кристаллов из расплава методом опускания тигля, нагреваемого в трубчатой вертикальной печи с обогреваемой верхней и ненагреваемой нижней частями с массивным металлическим кольцом-диафрагмой в нижней части нагреваемой зоны печи,, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью ускорения выращивания чистых кристаллов, кольцо-диафрагма охлаждается циркулирующей жидкой. или газовой средой.