Селеновый фотоэлемент

Селеновый фотоэлемент

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

№ 132664

Класс 21а, 32.0

СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Подписная zpgnna № 8с

Иностранцы

Пауль Герлих, Альфред Крос и Гизберт Дицель (Германская Демократическая Республика) СЕЛЕНОВЫЙ ФОТОЭЛЕМЕНТ

За>(влево 3 декабря 1959 г. за ¹ 616051(26 в Комитет по делам изобретений и открытий при Советс Министров СССР

Опубликовано в «Бюллетене изоорстс(IHA» ¹ 20 за 1960 г.

Предмет изобретения

Селеновый фотоэлемент, имеющий основной слой и один или несколько дополнительных слоев, о т л и ч а ю щ и и " я тем, что, с целью

Известные методы воздействия на спектральное распределение чувствительности фотоэлементов не Осеспсчивают достаточного повышения чувствительности во всех областях спектра.

Предлагаемый селеновый фотоэлемент, имеющий основной слой и один или несколько дополнительных слоев, отличается повышенной чувствительностью. Это достигается тем, что между этими слоями нанесены разделительные слои из диэлектрика или из полупроводника, предназначенные для уменьшения взаимной диффузи(и материалов основного и дополнительного слоев.

Схематическое изсоражение конструкции описываемого фотоэлемента дано на чертеже.

На основной слой — пластинку 1 нанесен селеновый =лой 2. Этот слой покрыт разделительным слоем 8 из фторнстого кальция, на который в целях повышения чувствительности фотоэлемента нанесен методом катодного распыления или испарения промежуточный слой 4 из индия. Над промежуточным слоем 4 расположен прозрачныи электрод

5, представляющий собой слой нз металла или полупроводникового материала. Разделительный слой 8 в данном случае служит для уменьшения диффузии индия промежуточного слоя 4 в селеновый слой 2.

Описанная конструкц(ия позволяет значительно повысить чувст(вительность фотоэлемента не только в видимой области спектра, Но и в ближайшей инфракрасной области. повышения чувствительности, между этими слоями нанесены разделительные слои из изолятора (например, из фтористого кальция) или из полупроводника (например, нз какого-либо галогенида тяжелого металла), уменьшающие взаимную диффузи1о материалов основного и дополнительных слоев.

,? 7

Формат бум. 70 108 /)g Объем 0,17 п. л.

Тираж 700 Цена 25 коп.; с 1.1-61 г. -- 3 коп.

ЦБТИ при Комитете по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, М. Черкасский пер., д. 2/6

Типография ЦБТИ Комитета по делам изобретений н открытий при Совете Министров СССР, Москва, Петровка, 14.

Редактор H. С. Кутафина

Нодп. к печ. 6.XII-60 г.

Зак. 9891

Техред А. А. Кудрявицкая Корректор Г. Е. Кудрявцева