Электронная модель гистерезисных характеристик ферромагнитных материалов

Электронная модель гистерезисных характеристик ферромагнитных материалов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Мо 132830

Класс 42d, 10

42m, 36 с %

СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Подписная группа М 1бб

В. Г Васильев и В. А. Зверев

ЭЛЕКТРОННАЯ МОДЕЛЬ ГИСТЕРЕЗИСНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК

ФЕРРОМАГНИТНЫХ МАТЕРИАЛОВ

Заявлено 19 февраля 1959 г. за Ла 620218/26 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Опубликовано в «Бюллетене изобретений» л1а 20 за 1960 г.

Известны электронные модели гистсрезисных характеристик ферромагнитных материалов, содержащие диодный ограничитель, запоминающее устройство, решающий усилитель и функциональный преобразователь. Основной недостаток этих моделей заключается в невысокой точности моделирования.

B описываемой модели указанный недостаток устранен тем, что ее запоминающее устройство выполнено в виде ряда параллельно включенных диодных яческ, в цепь каждой из которых включен запоминающий конденсатор.

На чертеже показана принципиальная схема моделирующего устройства, содержащая диодный ограничитель 1, функциональное запоминающее устройство 2 и функциональный преобразователь 8. Запоминающее устройство 2 состоит из параллельно включенных диодпых ограничителей 4 — 11, запоминающих конденсаторов 12, 18, 14, 15, 1б и решающего усилителя 17. Функциональный преобразователь 8 в данной схеме используется для изменения наклона отдельных участков гистерезисной характеристики, Электронная модель гистерезисных характеристик позволяет повысить точность моделирования и воспроизводить реальные симметрпчныс и несимметричные гистерезисные характеристики ферромагнитных материалов.

Предмет изобретсния

Электронная модель гистерезисных характеристик ферромагнитных материалов, содержащая диодный ограничитель, запоминающее устройство, решающий усилитель и функциональный преобразователь, о тл и ч а ю щ а я с я тем, что, с целью повышения точности моделирования, запоминающее устройство модели выполнено в виде ряда параллельно включенных диодных ячеек, в цепь каждой из которых включен запоминающий конденсатор. № 132830

Редактор Н. С. Кутафина Техред,А. А. Кудрявицкая Корректор Л. Е. Чекунова

Подп. к печ. 21.XI-60 г

Зак. 9689

1

1 !

1

1

Формат бум. 70X 108 /ц Объем 0,17 и. л, Тираж 900 Цена 25 коп.; с 1.1-61 r. — 3 коп.

ЦБТИ при Комитете по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, М. Черкасский пер., д. 2/6

Типография ЦБТИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР, Москва, Петровка, 14.