Способ определения удельного и контактного сопротивления полупроводниковых материалов

Способ определения удельного и контактного сопротивления полупроводниковых материалов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

№ 133117

Класс 21е, ggq, СС ц

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Поописная группа М 95

М. А. Каганов и И. С. Лискер

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ УДЕЛЬНОГО И КОНТАКТНОГО

СОПРОТИВЛЕНИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ

Заявлено 15 февраля 1960 г. за № 654595/24 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Опубликовано в «Бюллетене изобретений» № 21 за 1960 г

Известны способы определения удельно, и контактного соп,1отивлений полупроводниковых материалов путем подключения источника постоянного тока к торцам материала и измерения тока в цепи образца и падения напряжения на всем образце и между подсоединенными к нему зондами.

Предлагаемый способ определения удельного и контактного сопротивлений отличается от известных тем, что измерение напряжения производится быстродействующим самопишущим прибором и при вычислении искомых сопротивлений учитывается только быстро нарастающая омическая составляющая падения напряжения. Медленно нарастающая составляющая падения напряжения в расчет не принимается, поскольку она является паразитной, так как обусловливается термоэлектродвижущей силой, возникающей в измерительной цепи.

Предлагаемый способ позволяет повысить точность определения удельного и контактного сопротивлений.

На фиг. 1 изображена принципиальная электрическая схема измерения сопротивлений; на фиг. 2 — кривые а и б нарастания и уменьшения напряжения соответственно на зондах и в образце.

К торцам образца 1 припаивается по дза проводника, включенных в токовую (I) и потенциальную (П) цепи. На боковой поверхности образца закрепляются зонды 2 и 8. Измерение падения напряжения сиз и U" "соответственно на зондах и на концах образца производят с помощью быстродействующего самопишущего потенциометра 4.

Сила тока Iопреде.ляется посредством амперм.етра А, .для чего в токовую цепь 1 включена батарея 5.

PJо 1331) 1

-- 2

Общее падение напряжения на образце 1: (=1!, +Г, а падение напряжения на зондах:

3 3

Цзц +U где (/ — омическое падение напряжения и U„— термоэлектродвижущая сила на соответствующих контактах потенциальной цепи.

Исключение погрешности измерения, обусловленной возникновением паразитной термоэлектродвижущей силы, основано на медленном протекании нест."-.ционарного процесса установления гемпературного поля в образце за счет выделения теплоты Пельтье и на использовании быстродействующего регистрирующего прибора, точно фиксируюз щего омичеокое падение на пряжения U между зондами. Обозначая силу тока через 1, расстояние между зондами через 1, и длину образца через / вычисляем сопротивление R образца по формуле:

U„" 1

I 1, 0» р

Я и 1

I 1 l

После установления стационарно го состояния U" или (1З размыкают ключ 7 и получают кривые снижения напряжения до нуля аналогично кривым его нарастания (фиг, 2а и 2б), по которым также могут определяться U u U

Предмет изобретения

Способ определения удельного и контактного сопротивлений полупроводниковых материалов путем подключения источника постоянного тока к торцам образца материала, измерения тока в цепи образца и падения напряжения на всем образце и между ",îäñîåäèíåííûìè к нему зондами, о т,l н ч а ю шийся тем, что, с целью повышения точности определения, напряжение измеряют быстродействующим самопишущим прибором и при вычислении искомых сопротивлений используют омическую составляющую падения напряжения, не учитывая сс) ставляющей термоэлектродвижущей силы, Для измерения падения напряжения на зондах (Р ключ 6 переводят в положение «(Р» и ключом 7 замыкают токовую цепь 1. На быстродействующем потенциометре 4 записывается кривая U3 нарастания напряжения на зондах (фиг. 2а).

Для определения контактного сопротивления ключ б ставят и положение «U" » и ключом 7 замыкают токовую цепь 1. Кривая нарастания. напряжения U" на образце записывается на потенциометре 4 (фиг. 2б). Искомая величина контактного сопротивления вычисляется по формуле: