Корпус для доменосодержащего кристалла

Корпус для доменосодержащего кристалла

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в запоминающих устройствах вычислительных машин. Цель изобретения - повьш1ение надежности экранирования доменсодержашего кристалла от воздействия внешних магнитных полей . Изобретет1е содержит кристаллодержатель 1 из опрессованньк отрезков изолированных гибких проводов 2. В отверстии кристаллодержателя размещен доменсодержащий кристалл 3, контактные площадки которого соединены с первыми кондами проводов 2 микропроводом 4. Две катущки индуктивности 5 и 6 охватывают кристаллодержатель 1. Постоянные магниты 7 из магнитотвердого материала с клинообразными полюсными наконечниками 8 и диэлектрически п1 прокладками 9 установлены на противоположных внутренних стенках экрана, выполненного из двух чашеобразных половин 10. 4 ил. i (Л со оо со 05 СП ел Ю

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН

Ai (511 4 G 11 С ll/14

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21) 3963507/24-24 (22) 05. 07, 85 (46) 23, 09, 87. Бюл. М 35 (71) Институт электронных управляющих машин (72) Д.В.Цаплин, В.В,Костин и Н.Н,Усов (53) 681,327,6 (088,8) (56) Патент США N - 4192011, кл. G 11 С 11/14, опублик. 1981, Авторское свидетельство СССР

Р 928403, кл. С 11 С 11/14, 1982 (прототип), (54).КОРПУС ДЛЯ ДО1ПНСОДЕРЖАЩЕГО

КРИ CTAJIJIA (57) Изобретение отно сит ся к вычислительной технике и может быть использовано в запоминающих устройствах вычислительных машин . Цель изобавБУа1) 1 339 ретения — повьш ение надежности экранирования доменсоцержашего кристалла от воздействия внешних магнитных полей, Изобретение содержит кристаллодержатель 1 из опрессованных отрезков изолированных гибких проводов 2, В отверстии кристаллодержателя размещен доменсодержащий кристалл 3, контактные площадки которого соединены с первыми концами проводов 2 микропроводом 4, Две катушки индуктивности 5 и 6 охватывают кристаллодержатель 1. Постоянные магниты 7 из магнитотвердого материала с клинообразными полюсными наконечниками 8 и диэлектрически ьн прокладками 9 установлены на противоположных внутренних стенках экрана, выполненного из двух чашеобраэных половин 10, 4 ил, 39655

20

1 3

Изобретение относится к вычислигельной технике и может быть испольэовано при построении различных узлов вьгчислительных машин, Целью изобретения является повышение надежности экранирования доменсодержаще r о кри ст алла от во эдей ст вия внешних магнитных полей.

На фиг. 1 показан предлагаемый корпус, разрез; на фиг.2 — то же, изо-метрия; на фиг, 3 — кристаллодержатель, до выполнения в нем паза; на фиг,4 — то же, перед монтажем кристалла, и расположение отрезков гибких проводов внутри одной из четвертей кристаллодержателя, Устройство содержит кристаллодержатель 1 из опрессованных отрезков изолированных гибких проводов 2, В отверстии кристаллодержателя размещен доменсодержащий кристалл 3, контактные площадки которого соединены с первыми концами проводов 2 микропроводом 4. Две катушки индуктивности 5 и 6 охватывают кристаллодержатель 1. Постоянные магниты 7 иэ магнитотвердого материала с клинообразными полюсньгми наконечниками 8 и диэлектрическими прокладками 9 установлены на противоположных внутрен-них стенках экрана, выполненного из двух чашеобразных половин 10, На практике кф сталлодержатель выполнен литьем под давлением, причем провода перед опрессовкой скрепляют клеящим компаундом в области опрессовки в группы из четырех отрезков проводов 2 первыми копцами в одной плоскости, а вторыми концами свободно, при этом в центральной части отрезки проводов уложены в два ряда по два провода, Использован провод типа ПЭТВ Р 0,4 мм. Общая высота рамки 1 мм, После опрессовки в кристаллодержателе выполняют паз фрезерованием с удалением изоляции и части проводника на первых концах отрезков проводов 2.

Общие габариты кристаллодержателя

10x100 — 13х13х1 мм, Вторые концы проводов 2 выступают из фасок по углам кристаллодержателя, Кристалл 3 размещают.в отверстии кристаллодержателя 1, закрепляя его по торцам клеящим компаундом, после чего осуществляют ультразвуковую сварку контактных площадок кристалла 3 и первых концов проводов 2 микропроводом 4, Обмотки 5 и 6 поочередНо одевают на кристаллодержатель 1, огибая выступающие из рамки гибкче провода. Экран 10 выполнен штамповкой из двух чашеобразных половин.

После сборки на стенках экрана источника поля смещения узел кристаллодержатель — обмотки размещают между диэлектрическими прокладками 9 и пропускают вторые концы проводов 2 через угловые отверстия в экране, Чашеобразные половины экрана скрепляют между собой сваркой или склеивание м.

Формула изобретения

Корпус для доменсодержащего кристалла, содержащий экран, в котором размещены источник вращающегося магнитного поля, выполненный в виде двух катушек индуктивности, с взаимно ортогональными витками в области их перекрытия, источник постоянного магнитного поля смещения в виде двух магнитов с полюсными наконечниками и кристаллодержатель, о т л и— ч ающий ся тем, что, с

35. целью повышения надежности экрани рования доменсодержащего кристалла от воздействия внешних магнитных полей, кристаллодержа гель выполнен из опрессованных в форме квадрата гиб40 ких проводов с отверстием в центральной области, подобным по форме доменсодержащему кристаллу, со свободными концами по углам, продольным пазом, глубина которого равна полови45 не удвоенной толщине доменсодержащего кристалла, по углам кристаллодержателя выполнены продольные фаски, а экран выполнен в виде двух чашеобразных половин. с продольными по высоте отверстиями в углах половин, причем свободные концы проводов и концы обмоток катушек индуктивности размещены симметрично в отверстиях экрана.

1339655

Фиг.3

I 339655

Со ст авитель В. Гордоно в а

Редактор Н.Лазаренко Техред М.Дидык Корректор М,Пожо

Заказ 4232/44 Тираж 589 Подпи сно е

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, r. Ужгород, ул, Проектная, 4