Электрографический способ регистрации дефектов на поверхности полупроводника

Электрографический способ регистрации дефектов на поверхности полупроводника

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к электрографт ческим способам регистрлцин дефектов 1та поверхности полупроводника. Цель изобретения - пояьлпение качества регистрации. Фотобумаг у смачивают в перенасыщенном рлстноре гидрохинона , а затем окунлют в 4 , 5-7,0 11ьгй раствор планиковой кислоты в деионизованной воде. После этого фотобумагу эмульсионной стороной прикладывают к исследуемой порерхкости полупроводника . Полупроно.|-ник и фотобумагу размещают мелт/ту элгктролами и подают напряжение н-течение 30-45 с. После отключения напряжения фг-тобумагу удаляют из гистемь.) н по;тверг-а от фотомеханической обработке, с И (Л ОО

А1

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСГЪБЛИК (51)4 G 03 G 13/044

1

1.

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (Z1) 4010892/24-12 (22) 27,1 1.85 (46) 30.09.87, Бюл. И 36 (72) В.Ш.Марукян, Ж,Р;Паносян и Г,Г ° Хачатрян (53) 772.93(088.8) (56) Вайнштейн А.Б., Власова Г.В.

Королева Г.И., Хелошина В.М. Исследование сплошности тонких диэлектрических пленок методом электрографии, — Электронная -.åõíèêà, сер. 3

Микроэлектроника, вып.2 (50), 1974, с, 57-61. (54) ЭЛЕКТРОГРАФИЧЕСКИЙ СПОСОБ РЕГИСТРАЦИИ ДЕФЕКТОВ НА ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКА (57) Изобретение относится к электрографическим способам регистрации дефектов на поверхности полупроводника, 1(ель изобретения — повышение качества регистрации, Фотобумагу смачивают в перенасьппеььном растворе гидро ино= на а затем окунают в 4,5-7,07-ный раствор плавиковой кислоты в деионизованной воде. После этого фотобумагу эмульсионной стороььоьь прикладььвают к исследуем жй пои е рхн:-с ти полупроводника. Полупрояолььик и фс тобумагу размещают .ьежлу .",сктрь дами и подают напряжение я тс:ьеььие 30- ь5 с, После отключения напряжсьььья фотобумагу удаляют из системы .:ь повергают а

4) фотомеханиче<.кой обработке.

30. Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к способам контроля качества поверхности полупроводников.

Цель изобретения является повышение качества регистрации.

Сущность изобретения заключается в следующем.

После смачивания фотобумаги в гидрохиноне ее окунают в 4,5 — 7,0%-ный раствор плавиковой кислоты в деионизованной воде. Вследствие этого соз- дается контакт между активной поверхностью полупроводника и электролитом-в результате стравливания с поверхности пленки естественно окисла толщиной 2-3 нм, С подачей напряжения на электроды через границу раздела полупроводник — электролит протекает электрический ток, обусловленный инжекцией электронов из полупроводника в электролит, причем плотность тока имеет однородное распределение по поверхности, Эта однородность плотности тока нарушается при наличии дефектов, расположенных на поверхности полупроводника. Нарушение кристаллической структуры приводит к возникновению концентрации с j 0

1 2

Предлагаемый способ осуществляют следующим обра-.ом.

Фотобумагу смачивают в перенасыщенном растворе гид:„-окинава в течение 2-3 мин, Пропитанну .,-; раствором гидрохинона фотобучагу окунают в

4,5-7Ä0%-ный р".r:ò;вор плавиковой кислоты в деионизован:-ой ваде„. усиляют, а затем эмульсионно:. стороной 4 iipHкладывают к исследуемой поверхности полупроводника,. Полупроводник и фотобумагу размещают между плоскими графитовыми электродами, Прикладыванием фотобумаги происходит стравливание пленки ест:-.ственного окисла с поверхности полупроводника. Таким образом, создается контакт полупро-:. водник — электрот-",., Стравливание окисной пленки проис.<одит из=за присутствия в электролите плавиковой кислоты. К графитоаьп электродам из характериографа подают постоянное или переменное напряжение. Через систему полупроводников po:",..áóèàгa — электроды проходит ток, При этом плотность тока из дефе;т-mix 0 ii rieA rroверхности полупроводника превьппает плотность тока из бездефектных областей, Время подачи :апряжения на электроды составляет 30-45 с, Наличие помещении„

Г0

55 электрического поля в этих участках,„ что снижает потенциальный бурьер на границе раздела полупроводник электролит, приводя к локальным увеличениям плотности тока относительно плотности тока из соседних бездефектных участков поверхности, В фотобумаге происходит восстановление ионов серебра фотоэмульсионного слоя в местах., соответствующих дефектам поверхности полупроводника (образование скрытого изображения отпечатков дефектов), Наличие в составе электролита проявляющей компоненты — гидрохинона визуализирует распределение поверхностных дефектов полупроводника на фотобумаге. Дефекты упаковки, дислокации и их сложные ассоциации, адсорбированные частицы металлов, области скопления отрицательного заряда (например, адсорбированные ОН группы), полости, пустоты, выступы. бугорки, воронки являются дефектами на поверхности полупроводника регистрируемыми предлагаемым способом, Полученная таким образом электрограм-: ма показывает распределение дефек-. тов на поверхности полупроводника ° в электролите гидрохинoèà приводит к почернению фотоб гмаги в тех местах,„ где плотность тока имеет повьппенное значение. После от:„.лючeния напряжения фотобумагу удаляют из системы и подвергаются фотохи "ической обра=ботке, а именно промывают в тe-iåêhå

2-3 мин и закрепля-зт в эакрепителе в течение 4-5 мин. Для исключения вредного влияния паров плавиковой кислоты операции по регистрации де= фекта проводят в в,:-тяжном шкафу.Спо= соб осуществляется в незатемненном

Ф о р м g л B. и 3 о p е . =.. к

Электрографичес сГ„;H --пособ r!е:--ис, ранки дефектов †:=å =†:iîèåpõêoc i:ÿ полупроводника „вK. 1ючающий с -":ачивание фотобумаги в перенасыщенном растворе гидрохинона, прикл-,аывание фс, â€,б-д аги эмульсионной стороной ;;-,";:„следу . ой поверхности полу-проводник=. азмещение полупроводника и "ф„отобумаги между электродами5 подачу напр::жения в течение 36-45 с - последующим удалением фотобумагR ведением фотахиг:=.;.<::,й обработки

1341611

Составитель В.Аксенов

Техред Л.Сердюкова корректор М.Максимишинец

Редактор Е.Копча

Заказ 4435/51 Тирам 420 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская жаб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г. Укгород, ул. Проектная, 4 ее, отличающийся тем, что, с целью повышения качества регистрации, после смачивания в гидрохиноне бумагу окунают в 4,5-7,0Х-ный раствор плавнковой кислоты в деионизонанной воде,