Динамический регистр сдвига на мдп-транзисторах
Патент 1341682
Авторы
Классы МПК
Динамический регистр сдвига на мдп-транзисторах
Иллюстрации
Реферат
Изобретение относится к электронной технике, в частности к микроэлектронике , и может быть использовано в качестве кольцевых сдвигающих регистров, регистров развертки, генераторов импульсов сканирования. Цель изобретения - повышение надежности работы динамического регистра сдвига. Поставленная цель достигается тем, что в каждый разряд регистра сдвига введён второй компенсирующий транзистор, который воздейг ствует на затвор запоминающего транзистора , препятствует образованию активного делителя напряжения запоминающим и первым компенсирующим транзисторами. Первый и второй компенсирующие транзисторы обеспечивают полную нейтрализацию случайно возникших зарядов помехи одновременно на затворе и истоке запоминающего транзистора. 1 ил. S. (Л
СОЮЗ СОВЕТСНИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИК
1 2 А1 ()9) SU )и) дц 4 G ll С 19/28
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР
ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ
Н А BTOPCHOIVIV СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4068480/24-24. (22) 20.05.86 (46) 30.09.87. Бюл, ¹ 36 (72) П.А.Копыл, В.П.Рева, А.М,Торчинский и Л,Л,Утяков (53) 681.327.66 (088.8) (56) Заявка ЕПВ ¹ 0138406, кл. G 11 С 19/28, опублик, 1985.
Авторское свидетельство СССР
N - 993334, кл. G 11 С 19/28, 1981, Заявка Японии N - 60-23438, кл. G 11 С 19/28, опублик. 1985. (54) ДИНАМИЧЕСКИЙ РЕГИСТР СДВИГА
НА МДП вЂ ТРАНЗИСТОР (57) Изобретение относится к электронной технике, в частности к микроэлектронике, и может быть использовано в качестве кольцевых сдвигающих регистров, регистров развертки, генераторов импульсов сканирования °
Цель изобретения — повышение надежности работы динамического регистра сдвига, Поставленная цель достигается тем, что в каждый разряд ре— гистра сдвига введен второй компен— сирующий транзистор, который воздей-, ствует на затвор запоминающего тран— зистора, препятствует образованию активного делителя напряжения запоминающим и первым компенсирующим транзисторами. Первый и второй ком) пенсирующие транзисторы обеспечивают полную нейтрализацию случайно возникших зарядов помехи одновременно на затворе и истоке запоминающего транзистора, 1 ил.
1341682
Изобретение относится к электронной технике, в частности, к микро электронике, и может быть использовано в качестве кольцевых сдвигающих регистров, регистров развертки, генераторов импульсов сканирования, Цель изобретения — повышение надежности работы динамического регистра сдвига, На чертеже представлена электри— ческая схема устройства, Динамический регистр сдвига содержит запоминающий
1, коммутирующий 2, управляющий обнулением 3, первый 4 и второй 5 компенсирующие и ключевой 6 транзисторы, первую 7 и вторую 8 тактовые шины и шину 9 питания, Регистр работает следующим обра.— зом.
Во время действия тактового напряжения на одной из тактовых шин (фазы тактовых импульсов на первой 7 и второй 8 тактовых шинах противоположны) открывается коммутирующий транзистор
2 и на затвор запоминающего транзистора 1 например (п + 1)-го разряда записывается информация с входа регистра или с предыдущего разряда, При этом даже в том случае, если записывается информация, соответствующая
"0" т.е, на затвор запоминающего транзистора 1 поступает напряжение ниже порогового, выход этого разряда обнуляется с помощью управляющего обнулением транзистора 3. При записи
"1" с выхода предыдущего n-ro разряда через его запоминающий транзистор
1 поступает напряжение, превышающее пороговое, Ключевой транзистор 2 служит для передачи полной амплитуды тактового напряжения. На выход и-го разряда действует обратная связь че.— рез первый 4 и второй 5 компенсирующие транзисторы, Если в предыдущем такте на вход (n+2)-го разряда, с которого действует обратная связь на и-й разряд, записана "1", то на вход (п+1)-го разряда может быть записан только "0". При этом обратная связь действует на исток и затвор запоминающего транзистора 1, поэтому запоминающий l и первый компенсирующий
4 транзисторы не могут образовать активный делитель напряжения. На вход (n+1)-го разряда поступает напряжение, точно соответствующее "0",либо (если на затворах первого 4 и второго 5 компенсирующих транзисторов напряжение ниже порогового) "1".
Формула изобретения
Динамический регистр сдвига на
MgII-транзисторах, каждый разряд ко15
55 торого содержит запоминающий, коммутирующий, управляющий обнулением, компенсирующий и ключевой трачзисторы, первую и вторую тактовые шины, шину питания, причем стоки запоминающего и ключевого транзисторов нечетных разрядов и затворы управляющего обнулением и коммутирующего транзисторов четных разрядов соединены с первой тактовой шиной, а затворы гервого коммутирующего и управляющего обнулением транзисторов нечетных разрядов, стоки запоминающего и ключеного транзисторов четных разрядов подключены к второй -актовой нине, исток запоминающего транзистора каждого разряда соединен со стоками первого компенсирующего и управляющего обнулением транзисторов, истоки которых подключены к шине питания, сток коммутирующего транзистора каждого четного разряда соединен с истоком запоминающего транзистора нечетного разряда и является входом
I разряда регистра, затвор запоминаю— щего транзистора каждого разряда соединен с истоком коммутирующего и затвором ключевого транзистора, затвор первого компенсирующего транзистора нечетного разряда соединен с истоком запоминающего транзистора нечетного разряда, а затвор первого компенсирующего транзистора четного разряда соединен с истоком запоминающего транзистора четного разряда, о т л ич а ю шийся тем, что, с целью повышения, надежности работы динами— ческого регистра сдвига, в каждый его разряд введен второй компенсирующий транзистор, исток которого соединен с шиной питания, а сток соединен с затвором ключевого транзистора,затворы первого и втсрого компенсирующих транзисторов объединены.
1341682
Составитель А,Ершова
Техред Л. Сердюкова
Корректор А. Зимокосов
Редактор Л.Пчолинская
Заказ 4441/55
Тираж 589 Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д.4/5
Производственно-полиграфическое предприятие, r.Óæãoðîä, ул.Проектная, 4