Способ определения оптических параметров твердых веществ
Иллюстрации
Показать всеРеферат
Изобретение относится к области технической физики, а именно к физике воздействия лазерного излучения на твердые вещества и физике высоких температур. Цель изобретения - расщирение спектрального диапазона и повыщение точности измерений. Способ одновременного определения показателя преломления п и козффициента поглощения у. твердых веществ в условиях их высокотемпературного нагрева лазерным излучением основан на измерении профиля, образующегося под действием излучения в окрестности искусственногсозданной поверхностной неоднородности, и его сравнении со структурами, образование которых при различных п и эг определяется по наилучшему согласию теоретической и экспериментальной зависимостей. 1 з.п. ф-лы, 3 ил. с (Л 00 4 СО со
СОЮЗ СОВЕТСНИХ
СО1.1ИАЛИСТИЧЕСНИХ
РЕСПУБЛИН (51)4 С О1 М 21 41 вегою
ll л
I ИЬЛН ) ТЕ4" ь
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР
ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21) 4006684/24-25 (22) 07.01.86 (46) 07.10.87.Бюл. У 37 (72) N.Â.Âèãàíò, А.А.Ковалев, О.Л.Куликов, Б.И.Макшанцев и Н.Ф.Пилинецкий (53) 525.024 (088.8) (56) Keilmann Е., Bai Y.Н. Periodic
surface stracture frosen into COilaser-meted quartz.- Ар11.Rhys., 1982, ч.29, ser. A, р.Р.9-18.
Базакуца П.В., Масленников В.Л., Прохоров А.М., Сычугов В.А, О возможности использования периодического поверхностного микрорельефа для определения оптических констант вещества в условиях лазерного облучения. — Поверхность, 1985, У 6, с.82-85. (54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ОПТИЧЕСКИХ
ПАРАМЕТРОВ ТВЕРДЫХ ВЕЩЕСТВ
„„Я0„„1343311 А1 (57) Изобретение относится к области технической физики, а именно к физике воздействия лазерного излучения на твердые вещества и физике высоких температур. Цель изобретения расширение спектрального диапазона и повышение точности измерений.
Способ одновременного определения показателя преломления и и коэффициента поглощения твердых веществ в условиях их высокотемпературного нагрева лазерньак излучением основан на измерении профиля, образующегося под действием излучения в окрестности искусственно созданной поверхностной неоднородности, и его сравнении со структурами, образование которых при различных и и g определяется по наилучшему согласию теоретйческой н экспериментальной зависимостей.
1 зепе ф лыу 3 иле
1 1343311 2
Изобретение относится к физике, высоких температур и физике воздействия лазерного излучения на вещество и может быть использовано для опреде5 ления показателя преломления и и коэффициента поглощения у среды при высоких температурах.
Целью изобретения является расширение спектрального диапазона и повышение точности измерений.
На фиг.1 представлена схема устройства для реализации способа; на фиг.2 и 3 — экспериментальные данные .
Устройство содержит образец 1 материала с предварительно нанесенной царапиной, лазер 2 с перестраиваемой частотой излучения, профилограф
3 с встроенным в него самописцем и микроскопом и устройство 4 для измерения приповерхностной температуры. Микрорельеф на поверхности образца 1 создается излучением лазера 2, при этом устройство 4 фикси- ?5 рует температуру приповерхностного слоя образца. После окончания действия импульса лазерного излучения на остающийся на поверхности микрорельеф наводится с помощью встроен- 30 ного в него микроскопа профилограф 3, который регистрирует на самописце форму профиля поверхности. Точность такого измерения составляет 5А.
В качестве исследуемого вещества используют пластины иэ плавленного кварца с полированной поверхностью, на которую фокусируется излучение импульсного СО лазера, линейно поляризованное в плоскости падения пер- 40 пендикулярно затравочной царапине.
Затравочная царапина на поверхности образцов создается следующим образом. Алмазным резцом прорезается узкая канавка с воспроизводимой (не хуже 1 OX) . После однократного воздействия с интенсивностью излучения выше порога в окрестности царапины появляются периодические структуры. Их период проявляет слабую 50 зависимость от ширины канавки, если она не превышает 2,5 мкм, поэтому в дальнейших экспериментах ширина составляет 2 мкм.
Наблюдаемый на опыте профиль пред- 55 ставляет гобой суперпозицию началь— ной неровности и ее возмущения вследствие теплового расширения вещества, связанного с неравномерностью выдеможет реализоваться, если учесть процесс испарения вещества, что действительно имеет место.
Лля полупространства, заполненного веществом, профиль поверхности задан функцией Z = (, (x) где (,(х) — искусственно формируемая неоднородность х — координата по оси, перпендикулярной неоднородности.
Из вакуума на эту поверхность падает электромагнитная волна
Е" = Pexp(ikx sin ч + ikZ cos ) где ось Z считается направленной в ваккуум, F. — вектор амплитуды, волновое число, — угол между вектором k и обратным направлением оси 2, — мнимая единица.
Амплитуда профиля полагается достаточно малей, чтобы поправку к полю на поверхности границы раздела двух сред можно было рассчитать по теории возмущений. Выражение для вектора
<е
F. записано в предположении, что угол между направлением линии неоднородности и плоскостью падения излучения равен 90 .
Задача о нахождении температуры
Т(х,z) в веществе с учетом наличия рельефа поверхности решается для
Т (х,z) = Т,(z)+ Т, (х,z) где Т, (г) - решение задачи об испарении плоской границы; Т, х,z) - тем
f пературная добавка, связанная с образованием микрорельефа.
В системе координат> движущейся с со скоростью V, для поверхностью
Т (z) имеют
d1 Т а г
V ат.
+С,() =0;
) = О, Т,(= То
1 о
V8
=о ления энергии за счет существоаания профиля. Поскольку из эксперимента следует, что область локализации возникающей структуры с течением времени не меняется, естественно предпо-ложить, что мы имеем дело с квазистационарной ситуацией. Такая ситуация
1343311 где = z + Vt; время; температуропроводность среды;
5 коэффициент теплопронодности
2,Г:
Е
М
Е (x) -поправка к полю на плоскоссх ти Е = О, обусловленная
1с неровностью реальной поверхности;
Е" .Е -комплексно сопряженные веса ох - ах личины.
Для Фурье представления
Е,Д (q) = --,- (q) o(q) (5)
a +k sine где D(q) = - ------- 8(q) +
+ (q (q+k 9 1пц) С (q ))
2 1ХЕ
2 Е (С gq) sinц — k qg, I
С G (q) — ik
G(q) а ((q + k sing) +(ik2)) «2
1Т= n+ ig, )7f() I °
$ (q) — Фурье-образ функции ) (x) (х) + f (x), f (x) — искомый профиль деформации плоской поверхности °
В результате из формул (4) и (5)
35 для Т,(х, f) получают
В
Г 1Ч- CI>(a? D (-e?7 (, " )ат)
-ф —, ()= — ((— ? ) (+ g ) 2х 2х . о
Т»
V-=S exp (— ----------- 1 (2)
20 т,(е = о) » М 8 т
R (3) v т (6)
T ()-о)
45 Пользуясь теорией упругости, можно вычислять компоненту вектора деформации по оси (. Дифференцируя результат по х, чтобы исчезли незанисящие смещения, и полагая = О, по" лучают ас ж гам ах = Зсс (1-2а) " X- х
-ф
4 ((1а а) С
3Ti (,»- ° " f "1
-ф -Ф уравнение теплопроводности для
Т, (х, ) имеет вид зт, ит, v ат, 50
+ + 2 8х1 К
+ f,(х, )=О; т,(= — с) = О; т, ? Т» и (---- -- ) = -V>------- т (-o) .
1Т ? (»0 Т2(=07
3T„ с1роиэнс иной ---- пренебрегают ас
» (4) f, (j ) = --7-;-- --,г- ехр (2I. к );
8 knхО и плотность мощности падающего излучения; п и x — - показатель преломления и коэффициент поглощения среды соответственно; — теплота испарения единицы объема вещества.
Скорость испарения V связана с температурой поверхности соотношением где 5 - величина порядка скорости звука в веществе; — нес моля вещества> р — плотность;
R - газовая постоянная.
При сравнительно невысоких температурах нагрева понерхности, когда выполняется неравенство т,(= о)(, и а. иэ формул (1) следует
4иО 1/ " (п". + Х1)д
Для нахождения величины Т (х,z) и соответствующей ей деформации поверхности надо перейти в систему координат, движущуюся со скоростью V.
При условии т
- ---- ---- -т, (= о) «1 т,(= О) что солтисI < твует малости изменения профиля эа счет испарения по сравнению с деформацией понерхности. Это и есть условие существования квазистационара. Функия тепловыделения (х, () = --- ------(Е Е + Г F. ), с (InE) * с с ц- „С„<» а» сс с где u) — частота падающего излучения; — комплексная диэлектрическая проницаемость: где сх — коэффициент объемного расширения; — коэффициент Пуассона.
l3
Полученные в рамках теории упругости результаты, остаются справедливыми и в том случае, если имеют дело с тепловым расширением не твердого тела, а жидкости. При этом образование необратимого рельефа поверхности может быть связано с изменением вязкости вещества. К обеим сторонам приведенного интегрального уравнения применяют преобразование Фурье.
В результате для величины ((q) получают алгебраическое уравнение, Разрешая его и делая обратное преобразование Фурье, имеют ах<)) А О(%)+1:! )3 2Г 3 Р()+Л (1! (l1 )+D "(-Е)3 где Р (и) « о I (i ql + г);
o(g1+bg З-4hg
3 (1-26)
Рассмотрим простейшую ситуацию, положив ((х) = 2 zl h < (х), d (х) дельта-функция, h — постоянная величина. Тогда при больших значениях х таких, что klx I» 1, а также при выA IVe.l полнении неравенства ††--- — (4 1
k+l"
Э которое накладывает ограничение на величину О, из приведенного выражения для <(x) получают ((x) = 2 Re t F+(I x I) В (+ х) ° Ф(lx I)! (7)
),2 1 Л К lx I q К) х! 1, где F (Ixl)= e г, (г (--,,; к) х lq j+ !Те (е-n)), /1 ъ 01 qt = k(1+ э 1 ++) функции 8 (у) =1 при у 0 и
e(y) = 0 при у <О;
r ((......)
° °, ° ° ° ) - неполная гамма-функция;
Ч2Е ф()xl)=h ln (ci(y )х I) cos (р) х))+й (OI х>)sin(I Ь!Я> с! (...) и sl (...) функции интегрального косинуса и синуса, /\= 4 kg - -- cosz y --- «1.
)Ь г к
Интерес представляют два предельных случаях. Первый иэ них à > b, 43311 5 где а = Р и b = - .n q, соответствуют существованию поверхностных электромагнитных волн (ПЭВ!. При выполнении неравенств à k ) х) » 1 и
5
Ь k ) x)«1 находят
h Лl
PeF,(1и1) (477е s n(g,lxlia к)"))Ф 1
+ га ll
sin(g+ lxl+ — )
4 (8) (a k l x I I 3 I
Для обратной ситуации, когда Ь » а, и р и выполнении неравенств Ь k I x I o> 1
1 5 и a k I x I < < 1 получают
//
)г Лkh s n(4)xi+ < (2 к)„) ) ыг
2р Полученные теоретические результаты позволяют объяснить приведенные экспериментальные данные. Прежде всего следует, что фиг.3 и формулы 7,8 образующиеся структуры связаны с воз25 буждением ПЭВ, поскольку период d профиля при малых углах падения отличается от длины волны падающего излучения. При увеличении угла падения картина становится асимметричной .1д относительно начального возмущения что находит свое теоретическое объяснение (формула 7) в наличии функции
8(+ х), при которой сомножителем стоит функция F+(i xl),îñöèëëèðóþùâÿ с разными периодами по разные стороны от затравочного возмущения. Входящая в формулу (7) функция Ф(I x I) не меняет существенно вида структуры, поскольку она является достаточно медленно осциллирующей, слабо затухающей функцией °
Согласно формуле (8 ) периодическая структура пространственно локализуется на расстояниях Ixl = Х е
45 ,поскольку при достаточно
2 kab больших значениях плотности мощнос,1 ти О величина — — — — слабО зависит с) +г от Q (Л<лО, v сл 0 (формулы (3) и (6)). Это объясняет экспериментальную зависимость (фиг.2).
Как следует из проведенного теоретического рассмотрения, в случае
b ) а невозможно возбуждение ПЭВ, однако возможно возникновение структур, период которых определяется только длиной волны и углом падения лазерного излучения.
1343
311
20
30
4+ ----- Х е
2 к!+ + ka
2 kab
На эксперименте с помощью профилогра*а определяют Аункцию ((x) (1
)(x) - 2 Ф: Ix)) и, фиксируя некоторую точку х, проводят сравнение теоретических и экспериментальных результатов, что и позволяет определить искомые параметры и и g...
Определяют значения и и х иэ по" лученных экспериментальных данных.
Как следует нэ эксперимента, имеет место воэбуждение ПЭВ. Поэтому согласно формул (7) и (8)
27
d Х
q,+ a k е 2 kab
Иэ фиг.2 и 3 следует, что при
»= О> d = d1. = 9>6 мкм и Х = — 80 мкм, что дает и = 0,3 и = 3.
Использование предлагаемого способа определения оптических парамет ров и и у обеспечивает по сраннению с известными способами следующие преимущества.
Оптические параметры и и к могут быть определены в более широкой спектральной области, в частности там, где образование поверхностных структур не связано с возбуждением
ПЭВ, а параметры и и у определяются в рамках одной методики с более высокой точностью.
Формула изобретения
I ° Способ определения оптических параметров твердых веществ, как функции частоты падающего излучения при температурах плавления вещества и вьппе, заключающийся в том, что поверхность исследуемого вещества об- 40 лучают плоскополяризованным лазерным излучением длиной волны Я с электрическим вектором, лежащим в плоскости падения, измеряют период
4+ возникающего на поверхности вещества микрорельефа, повторяя последовательность операций на разных частотах лазерного излучения, о т— л и ч а ю шийся тем, что, с целью расщирения спектрального диа- 5р пазона и повышения точности измерений, перед облучением исследуемого вещества на его поверхности формируют неоднородность> устойчивую к воздействию температуры в виде прямой линии с поперечным размером 1, удовлетворяющим соотношению 1 — 0,2,и облучают лазерным излучением, п.1оекость падения которого составляет с направлением линии неоднородности угол Ы = 90, после прекращения воздействия лазерного излучения определяют обраэовавшийся профиль поверхности исследуемого вещества при удалении от неоднородности в перпендикулярном к ней направлении по оси Х как функцию координаты Х и сравнивают отношение экспериментального профиля ((х) к амплитуде этого профиля („x ) в ( некоторой фиксированной точке х, с теоретической зависимостью (- 1, i к l )) I >I, )+ 4 и 0 ()))- Ь )
21 ((к)=2Re
Г(- —, к) к ) к ) ° 4)>>)a-g) к екр (1q„(l
> ма-функция, i — мнимая единица, е 12 r О, функция Р(а-Ь) = 1 приа оЬи e(a-b) = Опри а Ь, 2))
I k I = --- - модуль волнового
2 вектора электромагнитной волны, где и и х — соответственно показатель преломления и коэффициент поглощения вещества, q < = k(1 + sin v), - угол между нормалью понерхности и направлением, обратным напранлению падения лазерного излучения, индексы + при величине q+ соответствуют знакам аргумента функции В(+ x) >которые в свою очередь соответствуют случаям положительной или отрицательной проекции волнового вектора К на ось Х и по наилучшему согласованию экспериментального профиля поверхности с теоретическим определяют упомянутые параметры вещества, причем в момент воздействия лазерного излучения определяют температуру.
2. Способ по п.1, о т л и ч а юшийся тем, что, с целью определения упомянутых параметров при условии y. 10)1> измеряют расстояние от линии неоднородности Х „ на котором амплитуда профиля спадает в
2,73 раза, и определяют и и z иэ зависимостей
1343311
4 иг 1
d+ (t0 cM ) å (мкм) ioo о о о
1 Н
f0 (g Ц(отн. ей) Sin f
1,0 ю,о
Z,0
Фиг. 2
Риг, 3
S,0
Составитель С.Голубев
Редактор Н.Егорова Техред Л.Сердюкова Корректор M,Пожо
Заказ 4816/44 Тираж 776 Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д.4/5
Производственно-полиграфическое предприятие, г.ужгород, ул. Проектная, 4