Способ определения типа фазового превращения в твердых сегнетоэлектрических кристаллах

Способ определения типа фазового превращения в твердых сегнетоэлектрических кристаллах

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к области структурно-чувствительных методов физико-химического анализа и может быть использовано для определения типа фазового превращения в лабораторной практике при создании и отработке новых сегнетоэлектрических материалов с комплексом наперед заданных свойств. Упрощение и повьшение точности определения типа фазового превращения в кристаллических твердых телах достигаются тем, что проводят несколько последовательных измерений низкочастотных диэлектрических потерь с различными скоростями нагревания образца в окрестности точки фазового перехода. i (Л со 4 СО оо to О)

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК д!) 4 G 01 N 25/02

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К А ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ вого перехода.

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

IlO ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 4019240/31-25 (22) 12. 11.85 (46) 07. 10,87. Бюл. ¹ 37 (71) Воронежский политехнический институт (72) С.A,Гриднев, Б ° M.Даринский н В.М.Попов (53) 536.42(088.8) (56) Берг Л.Г, Введение в термографию. М.: Наука, 1969, с. 11- 15.

Авторское свидетельство СССР № 1233021, кл. G 01 N 25/02, 1984. (54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТИПА ФАЗОВОГО ПРЕВРАЩЕНИЯ В ТВЕРДЫХ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ КРИСТАЛЛАХ

„.SU„„! 343326 А1 (57) Изобретение относится к области структурно-чувствительных методов физико-химического анализа и может быть использовано для определения типа фазового превращения в лабораторной практике при создании и отработке новых сегнетоэлектрических материалов с комплексом наперед заданных свойств. Упрощение и повьппение точности определения типа фазового превращения в кристаллических твердых телах достигаются тем, что проводят несколько последовательных измерений низкочастотных диэлектрических потерь с различными скоростями нагревания образца в окрестности точки фазо134 1326 пературной оси Т ) и скорости измем нения температурь| Т по формуле

Изобретение относится к фиэикохимическпму анализу и может быть ис—

5 Р ратурную зависимость низкочастотного

Формула изобретения oc гавитель С. Беловодченко

Редактор Н. Егорова Техред Л.Сердюкова Корректор Обручар

Тираж 776 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д, 4/5

Заказ 4817/45

Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проект, ая, 4 поль зова но lIpH создании и f1pol lloэированин свойств сегнетоэлектриков в области температур их фазовых преврашенин.

Целью изобретения является упрощение и повьииение точности определения, Способ осуществляется следующим образом.

Образец помещают в термостат (или криостат), включают программное регулирующее устройство, обеспечивающее требуемую постоянную скорость нагрева (или охлаждения)и регистрируют темпетангенса угла диэлектрических потерь

tgo, проходящую через пик вблизи точки Кюри Т,. Затем эту операцию повторяют два или более раз при различных скоростях нагрева (или охлаждения) Т. Для определения рода фазового перехода сравнивают величины пиков на кривых 8/(Т), снятых при разных

Т. Если высоты пиков разнятся, то переход 1-ro рода, а если не отличаются друг от друга — то 2-ro рода.

Тип фазового превращения определяют также из зависимости tgd"(Т) по величине скачка параметра перехода (спонтанной поляризации P ) в точке фазового перехода, определенной по параметрам пика tgd (его высоте ширине дТ, положению на темгде К - константа гольцмана;

ы — частота измерительного

10 электрического поля; диэлектрическая проницаE MOCT F р — эффективное значение объема зародыша новой фазы, Значение P p О отвечает фазовому переходу 1-го рода, à P> = 0 — фазовому переходу 2-го рода.

2п

Способ определения типа фазового превращения в твердых сегнетоэлектрических кристаллах, заключающийся в равномерном нагреве исследуемого

25 образца в области температур фазового превращения, измерении скорости нагрева, зависимости изменения объемных свойств образца от температуры и определении по ней искомой величины, Зр отличающийся тем, что, с целью упрощения и повышения точности определения, измеряют температурную зависимость низкочастотных диэлектрических потерь tgd и определяют искомую величину по зависимости высоты пика tg d от скорости нагрева.