Устройство для измерения затухания магнитостатических волн в ферритовых пленках

Устройство для измерения затухания магнитостатических волн в ферритовых пленках

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к измерительной технике. Цель изобретения - увелг-шение точности измерения. Устройство содержит микрополосковые проводники 1j диэлектрическую подложку 2, входные преобразователи 3 электромагнитной волны в магнитостатические волны, выходные преобразователи 4 магнитостатических волн в электромагнитную волну, делитель 5 мощности, сумматор 6 мощности, исследуемую пленку 7, подложку 8 и поглощающий материал 9. Пленку 7 устанавливают так, чтобы она перекрывала преобразователи 3 и 4, и прикладывают к ней внешнее подмагничивающее поле. На вход устройства подают сигнал, свипируемьм по частоте, от свип-генератора колебаний СВЧ и с помощью индикатора получают зависимость изменения потерь от частоты. Далее по ф-лам определяют параметр затухания. Цель достигается за счет нанесения материала 9, поглощающего электромагнитную энергию, на одну из сторон подложки 8, Изобретение зависит от авт. св. № 1275327. 2 ил. С fS (Л со и ел со 00

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК

rsvp e С 01 R 27/04

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (61) 1275327 (21) 4081715/24-09 (22) 24.03.86 (46) 15. 10.87. Бюл . Р 38 (7.2) Е.С.Краснов (53) 621.317.341(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

Р 1275327, кл. G 01 R 27/04, 1985. (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ЗАТУХАНИЯ МАГНИТОСТАТИЧЕСКИХ ВОЛН В ФЕРРИТОВЫХ ПЛЕНКАХ (57) Изобретение относится к измерительной технике. Цель изобретения увеличение точности измерения. Устройство содержит микрополосковые проводники 1, диэлектрическую подложку

2, входные преобразователи 3 электромагнитной волны в магнитостатические волны, выходные преобразователи

„„80„„1345138 Д 2

4 магнитостатических волн в электромагнитную волну, делитель 5 мощности, сумматор 6 мощности, исследуемую пленку 7, подложку 8 и поглощающий материал 9. Пленку 7 устанавливают так, чтобы она перекрывала преобразователи 3 и 4, и прикладывают к ней внешнее подмагничивающее поле. На вход устройства подают сигнал, свипируемый по частоте, от свил †генератора колебаний СВЧ и с помощью индикатора получают зависимость изменения потерь от частоты. Далее по ф-лам определяют параметр затухания. Цель достигается за счет нанесения мате— риала 9, поглощающего электромагнитную энергию, на одну из сторон подложки 8. Изобретение зависит от авт. св. У 1275327. 2 ил.

1345

2ы 1, 1 4Т M

У (1+ .2)

Н гиромагнитное соотношение, рав ное 1, 76 ° 10 намагниченность насыщения исследуемойй пл е н к и, напряженность внешнего подмагничивающего IIoJIH, где у—

4 AM о

Н .О формула изобретения

Устройство для измерения затухания магнитостатических волн в ферритовых пленках по авт. св. 9 1275327 о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью увеличения точности измерений, на другой стороне подложки нанесен материал, поглощающий электромагнитную энергию.

Устройство для измерения затухания магнитостатических волн в ферритовых пленках работает следующим образом, В устройство устанавливают исследуемую пленку 7 таким образом, чтобы она перекрывала входной и выходной

Составитель В.Ежов

Техред M.Ходанич

Корректор А.Ворович

Редактор Л.Повхан

Заказ 4916/45 Тираж 729 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета ССС1 по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно †полиграфическ предприятие, r. Ужгород„ ул. Проектная, 4

Изобретение относится к измерительной технике, в частности к измерению параметров затухания магнитостатических волн (MCB) в ферритовых пленках, и является усовершенствова— нием изобретения по авт. св.

У 1275327.

Цель изобретения — увеличение точности измерения. 10

На фиг.1 приведена конструкция устройства для измерения затухания магнитостатических волн B ферритовых пленках на фиг.2 — график зависимости изменения потерь от частоты. 15

Устройство для измерения затухания магнитостатических волн в ферритовых пленках содержит проводники 1 микрополосковые, диэлектрическую подложку 2, входные преобразователи 3 элек- 2п тромагнитной волны в магнитостатические волны (MCB), выходные преобразователи 4 MCB в электромагнитную волну, делитель 5 мощности, сумматор 6 мощности и исследуемую пленку 7, под- 25 ложку 8, поглощающий материал 9.

138 2 преобразователи Э И 4. Прикладывают к пленке 7 внешнее подмагничивающее поле, от свил-генератора колебаний

СВЧ подают сигнал, свипируемый по частоте, на вход устройства и с помощью индикатора получают зависимость изменения потерь от частоты. Далее по измеренной зависимости определяют

d f и O L, вычисляют значения ы по о формуле:

ы„= Л fh (cth(5,76 10 сЛ.), 1/с, и затем определяют параметр затухания (2 йН„):