Согласующее устройство

Согласующее устройство

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано при создании больших интегральных схем в качестве устройства согласования схем ТТЛ и КМДП логики со схемами типа и ИШЛ. Цель изобретения - увеличение помехоустойчивости - достигается путем исключения сквозных токов. Повышение быстродействия устройства достигается за счет исключения режима насыщения транзисторов . Устройство содержит транзисторы 1, 2 и 3, источники 4 и 5 тока, диоды Шотки 6, 7 и 8, входную 9 и выходную 10 шины. Важной особенностью предложенного устройства является то, что после включения диода 6 входной ток устройства не зависит от величины входного напряжения, что позволяет использовать данное устройство для согласования схем по входу как с ТТЛ-элементами, так и с КМДП-съемами с напряжением питания от 1,2 В до 15-30 и более. При этом предлагаемое устройство преобразует входные логические уровни в сигналы, предназначенные для управления элементами типа И Л, т.е. выполняет функции согласования.1 ил. а с // 4 ОС ее : а //

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

А1 (19) (11) (5)) 4 Н 03 К 19 091

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ . В

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 4078055/24-21 (22) 28.04.86 (46) 30.10.87. Бюл. )) 40 (7 1) Московский инженерно-физический институт (72) А.В. Алюшин и М.В. Алюшин (53) 621.374(088.8) (5e) Патент США М - 4180749, кл. Н 03 К 19/08, 1980.

Авторское свидетельство СССР

))- 1262719, кл. Н 03 К 19/091, 1985. (54) СОГЛАСУЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО (57) Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано при создании больших интегральных схем в качестве устройства согласования схем ТТЛ и КМДП логики со схемами типа И Л и ИШЛ. Цель изобретения — увеличение помехоустойчивости достигается путем исключения скнозных токов. Повышение быстродействия устройства достигается эа счет исключения режима насьицения транзисторон. Устройство содержит транзисторы

1, 2 и 3, источники 4 и 5 тока, диоды Шотки 6, 7 и 8, входную 9 и выходную 10 шины. Важной особенностью предложенного устройства является то, что после включения диода 6 входной ток устройства не зависит от величины входного напряжения, что позволяет использовать данное устройство для согласования схем И Л по нходу как с ТТЛ-элементами, так и с КМЛП-съемами с напряжением питания от 1,2 В до 15-30 и более.

При этом предлагаемое устройство преобразует входные логические уровни н сигналы, предназначенные для управления элементами типа И Л, т.е. ныпопняет функшш согласования. 1 ил.

1348995

Изобретение относится к импульсной технике и может быть применено ппи создании БИС в качестве устрой » с. гласованин схем TTJI и КЩП пкп со схемами типа И Л и ИШЛ.

1(е:Iü !Içобретения — увеличение помехоустойчивости путем исключения сквозных токов и уменьшения требований параметров входящих в устройство трапэисторов и увеличение быстродействия за счет исключения насыщения транзисторов.

На чертеже представлена принципиальная схема согласующего устройства.

Согласующее устройство содержит пс рвый 1, второй 2 и третий 3 транзисторы, первый и второй 5 источники тока величиной соответственно {! и 11, первый 6, второй 7 и третий 8 диоды

1!!отки, а также входную 9 и выходную

10 шинн!. Г>аза, коллектор и эмиттер транзистора 1 соединены соответственно Г первыми выводами диодов 7 и

8, источником 4, базой транзистора 2; вторыми выводами диодов 6 и 7, с общей шиной 11, вторыми выводами источников 4 и 5, эмиттерами транзисторон 2 и 3. Коллектор транзистора 2 соедине с вторым выводом диода 8, лс рным выводом источника 5, базой транзистора 3. Коллектор транзистора

r тед! нен с выходной шиной 10. Первый вывод диода 6 соединен с входной шиной 9.

Согласующее устройство работает следующим образом.

При низком потенциале ца шине 9 диод 6 закрыт. Транзисторы 1 и 2 об— р l óþò тoKoBAp. зеркало, причем диод

1 открыт, а диод 8 акрыт. Ток кол .ктэр» гранзпстора 2

1 = { 1 S2/S,, где S и Б — площади эмиттерных пе-! реходов транзисторов

1 и 2 соответственно.

Если (меньше Н транзистор 3 от2

7 крыт, на шине 10 поддерживается низкий потенциал.

11ри высоком входном потенциале псе 0 7 — 1 В) диоды 6 и 8 открыты, диод 7 закрыт. Весь ток источников

5 - :e,;i< ò т3 ко: лектор транзистор". 2. Потенциал на базе транзистога 1 равен 0,2-0,3 В, с.тедовательно, он закрыт. На выходе 10 поддерживается высокий потенциал, определяемый подключенным к согласующему устройству элементами И JI или ИШЛ.

После включения диода 6 входной ток устройства не зависит от величины входного напряжения, что позволяет использовать данное устройство для согласования схем типа И Л по выходу как с ТТЛ элементами, так и с КАДИ схемами с напряжением питания от 1,2 В до 15-30 В и более.

Для нормального функционирования предлагаемого устройства необходимо, чтобы при низком входном потенциале ток коллектора транзистора 2 был меньше величины источника 5. Это может быть достигнуто различными тех20 нологическими и конструктивными приемами. Наиболее просто испольэовать для этого транзисторы 1 и 2 с различной площадью эмиттерных переходов:

/S с Н/M

Таким образом, предлагаемое согласующее устройство преобразует входные логические уровни (TTJI, И{ДП) в сиг30 палы, предназначенные для управления элементами типа И Л, т.е. выполняет функции согласующего устройства. ф о р м у л а и з о б р е т е н и я

Согласующее устройство, содержащее три диода Шотки, коллектор первого транзистора через первый диод Шотки соединен с входной шиной, база подключена к первому выводу первого источника тока, эмиттер второго транзистора соединен с общей шиной, коллектор через второй источник тока соединен с общей шиной и подключен к базе третьего транзистора, эмиттер которого соединен с общей шиной, а коллектор подключен к вывыходной шине, о т л и ч а ю щ е ес я тем, что, с целью увеличения помехоустойчивости и быстродействия, второй вывод первого источника тока соединен с общей шиной и эмиттером первого транзистора, база которого соединена с базой второго транзистора и соответственно через второй и третий диоды подключена к коллекторам соответственно первого и второго транзисторов.