Способ определения электрических параметров полупроводника свч термисторов

Способ определения электрических параметров полупроводника свч термисторов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Класс 21а, 71

210, 11о

И 135143

ССС1

l;

: i

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Подписная группа № 89

Г. М. Стрижков и А. М. Федоров

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ

ПОЛУПРОВОДНИКА С. В. Ч. ТЕРМИСТОРОВ

Заявлено 18 апреля 1960 г. за № 663405j26 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Опубликовано и «Бюллетене изобретений» № 2;а !961 г.

Известные способы непосредственного измерения электрических параметров полупроводника сверхвысокочастотных термисторов сложны и требуют большого числа измерительных приборов.

Описываемый способ определения электрических параметров сверхвысокочастотных термисторов основан на том, что термистор может быть заменен эквивалентной схемой. Параметры схемы измеряются путем определения сопротивления термистора по постоянному току на различных частотах и последующим расчетом. Этот способ упрощает процесс без снижения точности измерений.

На фиг. 1 показана эквивалентная схема термистора; на фиг 2 скелетная схема измерительной установки.

Эквивалентная схема термистора (фиг. 1) содержит следующие параметры:

L — индуктивность вводов термисторов:

C> — емкость между вводами термистора;

R0 — сопротивление полупроводника термистора на постоянном токе;

C> -- емкость между частицами вещества полупроводника;

Р2 — — сопротивление между частицами вещества полупроводника:

r — сопротивление вводов.

Измерение параметров L и С1 не представляет трудностей, Параметры С и R2 непосредственным измерениям не поддаются. Для определения этих .параметров необходимо измерить С, — эквивалентнун комплексную емкость, заменяющую последовательное соединение С и

R . С .„можно определить, измерив поглощенную мощность Ра прн различных сопротивлениях Rp термистора постоянному току, Но одиняк1..