Способ изготовления запоминающих матриц на цилиндрических магнитных пленках

Способ изготовления запоминающих матриц на цилиндрических магнитных пленках

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано при изготовлении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных пленках (ЦМЛ), Целью изобретения является повьшение надежности изготовления запоминающих матриц . В соответствии с предложенным способам изготовление запоминающих матриц на ЦМП осуществляют следующим образом. Выбирают в качестве технологических струн основы проволоку , изготовленную из материала, обладающего эффектом памяти формы, например нитинола (50% никеля, 50% титана). Вначале нитиноловую проволоку нагревают до температуры 200 с, затем ее подвергают растяжению и охлаждению до комнатной температуры (20°с), разрезают на отдельные заготовки. Нитиноловые заготовки натягивают на раму станка для плетения числовых обмоток, вплетают в технологические нитиноловые струны основы киперные и числовые обмотки, запивают их компаундом , сзппат, нагревают до температуры 200°С, при которой в нитиноловых технологических струнах проявляется эффект памяти формы, вследствие чего последние уменьшают свой поперечный диаметр. Затем технологические струны основы из нитинола растягивают за противоположные концы и извлекают из каналов матрицы. (Q (Л ОО сл tsD СП СО со

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (59 4 С 11 С 11/14 юлю

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н ABTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21) 4084 135/24-24 (22) 28.04.86 (46) 15.11,87, Бюл, №- 42 (71) Киевский инженерно-строительный институт (72) Ю,В. Човнюк, Н,N. Дроздович, О.М. Шутовский и Д.К. Сморж (53) 68 1.327.66(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР № 282428, кл. С 11 С 5/02, 1969.

Авторское свидетельство СССР

¹ 47484?, кл. r, 11 С 5/02, 1973. (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЗАПОМИНАЮЩИХ МАТРИЦ НА ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТHbIX ПЛЕНКАХ (57) Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано при изготовлении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных пленках (ЦМП). Целью изобретения является повышение надежности изготовления запоминающих матриц. В соответствии с предложенным способом изготовление запоминающих

„,SU „1352533 А1 матриц на ЦМП осуществляют следующим образом. Выбирают в качестве технологических струн основы проволоку, изготовленную из материала, обладающего эффектом памяти формы, например нитинола (50 . никеля, 503 титана), Вначале нитиноловую проволоку нагревают до температуры о

200 С, затем ее подвергают растяжению и охлаждению до комнатной температуры (20 С), разрезают на отдельные заготовки. Нитиноловые заготовки натягивают на раму станка для плетения числовых обмоток, вплетают в технологические нитиноловые струны основы киперные и числовые обмотки, заливают их компаундом, сушат, нагревают до температуры 200 С, при которой в нитиноловых технологических струнах проявляется эффект памяти формы, вследствие чего последние уменьшают свой поперечный диаметр. Затем технологические струны основы из нитинола растягивают за противоположные концы и извлекают из каналов матрицы.

2533

Формула из обретения

Составитель 83 . Розенталь

Техред И.Попович

Корректор H. Муска

Редактор M. Андрушенко

Заказ 5570/51 Тираж 588

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, " Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Подписное

Производственно-полиграфическое предприятие, r. Ужгород, ул. Проектная, 4

I 135

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при изготовлении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных пленках (ЦМП).

Цель изобретения — повышение надежности изготовления запоминающих матриц.

В соответствии с предложенным способом изготовление запоминающих матриц на ЦМП осуществляют следующим. образом.

Вместо. обычно применяемых в качестве технологических струн основы стальных проволок выбирают проволоку, изготовленную из материала, обладающего. эффектом памяти формы, например нитинола (50 никеля, 50 титана).

Вначале нитиноловую проволоку нагрео вают до 200 С, затем ее подвергают растяжению до тех пор, пока поперечный диаметр нитиноловой проволоки не станет меньше диаметра стержней, содержащих в качестве покрытия ЦМП, которые впоследствии должны быть помещены в каналы, образованные при извлечении технологических струн основы.- Затем нитиноловую проволоку охлаждают до комнатной температуры (20 С), разрезают на отдельные заготовки. Нитиноловые заготовки натягивают на раму станка для плетения числовых обмоток, вплетают в технологические нитиноловые струны основы киперные и числовые обмотки, заливают. их компаундом, сушат, нагревают до 200 С, при которой в нитиноловых технологических струнах проявляется эффект памяти формы, вследствие чего последние уменьшают свой поперечный диаметр, Затем технологические струны основы из нитинола растягивают за противоположные концы и извлекают из каналов матрицы.

Такой подход позволяет извлекать струны основы из застывшего компаунда практически беспрепятственно, что уменьшает обрывы струн внутри каналов и невыход струн из каналов.

В результате этого повышается надежность изготовления запоминающих матриц.

Способ изготовления запоминающих матриц на цилиндрических магнитных пленках, основанный на натяжении технологических струн, вплетении

25 в них числовых обмоток, заливке обмоток компаундом, сушке и извлечении технологических струн, о т— л и ч а ю шийся тем, что, с ,целью повышения надежности изготовления запоминающих матриц, технологические струны выполняют из нитинола (50 никеля, 50 титана), перед натяжением технологических струн о нагревают их до 200 С, растягивают о и охлаждают до 20 С, а перед иэвлече35 нием технологических струн нагревают

,залитые компаундом числовые обмотки

"o и технологические струны до 200 С.