Погружной полупроводниковый преобразователь

Погружной полупроводниковый преобразователь

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к электротехнике . Цель изобретения - повышение надежности работы путем равномерного приложения гидростатического давления к р-п-структурам. Поставленная цель достигается тем, что в погружном полупроводниковом преобразователе применены корпусные штыревые тиристоры 1. корпуса которых выполнены с отверстиями 2. Тиристоры 1, радиаторы 3, блоки управления 4, сосуд 5 с влагопоглотителем размещены в полости легкого корпуса. 7, заполненного диэлектрической жидкостью 9. Ввиду наличия отверстий в корпусах тиристоров, корпуса разгружены от давления при сохранении работоспособности , так как р-п-структура не чувствительна к его изменению. 1 ил. I сл со ел Ю 00

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИН (б11 4 Н 01 L 25/02

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К ДBTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3676800/24-07 (22) 21.12.83 (46) 23.11.87. Бюл. N - 43 (71) Всесоюзный заочный машиностроительный институт (72) В.И.Полещук, О.P.Мокрушев, В.Е.Шатерников и Ю.M.Åãoðoâ (53) 621.315(088.8) (56) Ястребов В.С. и др. Системы и элементы глубоководной техники подводных исследований. — Л.: Судостроение, 1981, с. 56-76, 132-148.

Авторское свидетельство СССР

У 950593, кл. В 63 В 3/13, 1983.

Авторское свидетельство СССР

N - 852187, кл. Н 01 Ь 25/02, 1982.

„„SU„„1354280 А 1 (54) ПОГРУЖНОЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ

ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ (57) Изобретение относится к электротехнике. Цель изобретения — повышение надежности работы путем равномерного приложения гидростатического давления к р-п-структурам. Поставленная цель достигается тем, что в погружном полупроводниковом преобразователе применены корпусные штыревые тиристоры 1, корпуса которых выполнены с отверстиями 2. Тиристоры 1, радиаторы 3, блоки управления 4, сосуд 5 с влагопоглотителем размещены в полости легкого корпуса 7 заполненного диэлектрической жидкостью 9.

Ввиду наличия отверстий в корпусах тиристоров, корпуса разгружены от давления при сохранении работоспособности, так как р-и-структура не чувствительна к его изменению. 1 ил.

135

Изобретение относится к электротехнике, а именно к полупроводниковым преобразователям, работающим при больших давлениях окружающей среды.

Цель изобретения — повышение надежности работы путем равномерного приложения гидростатического давления к р-п-структурам.

На чертеже показан погружной полупроводниковый преобразователь, в котором применены корпусные штыревые тиристоры.

Составитель Б.Иванов

Техред Л.Олийнык Корректор В.Бутяга

Редактор О. Головач

Заказ 5703/48 Тираж 697 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, r. Ужгород, ул. Проектная, 4

Преобразователь состоит из тиристоров l корпуса которых выполнены с отверстиями 2 и установлены на радиаторы 3. Тиристоры 1, радиаторы

3, блоки 4 управления и сосуд 5 с влагопоглотителем установлены на электроизоляционном каркасе 6, установленном внутри легкого корпуса 7, закрытого герметично крышкой 8. Полость корпуса заполнена диэлектрической жидкостью 9. Для заливки жидкости в крышке выполнена заглушка 10, которая перед погружением герметизируется компаундом 11. Электрические выводы тиристоров 1 и блоков 4 управления через штепсельный разъем 12 и кабель 13, пропущенный через герметичный ввод 14, выполненный в крышке, выводятся наружу. Крышка 8 снабжена сильфоном 15, служащим компенсатором гидростатического давления.

4280 2

Погружной полупроводниковый преобразователь работает следующим образом.

При погружении преобразователя с ростом наружного давления растет давление внутри корпуса преобразователя.

Ввиду наличия отверстий в легких кор пусах тиристоров и полупроводниковых приборов корпуса разгружены от давления и разрушению не подвергаются при сохранении, работоспособности, так как полупроводниковая структура при равномерном приложении гидростатического давления не чувствительна к его изменению.

Формула изобретения

Погружной полупроводниковый пре— образователь, содержащий тиристоры с охлаждающими радиаторами и блоками управления, содержащими полупроводниковые приборы, расположенными внутри заполненного диэлектрической жидкостью герметически замкнутого

25 легкого внешнего корпуса, снабженного компенсатором гидростатического давления воды и герметичными вводами, отличающийся тем, что, с целью повьш ения надежности работы путем равномерного приложения гидростатического давления к р-и-структурам, корпуса тиристоров и полупроводниковых приборов выполнены с отверстиями, при этом внутренние полости

35 корпусов тиристоров и полупроводниковых приборов сообщаются с внутренней полостью преобразователя и заполнены диэлектрической жидкостью.