Силовой германиевый диод

Силовой германиевый диод

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Ко 335977

Класс 21 яь 1 1о2

СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

1/одпасная группа ¹ 97

Ф. Н. Масловский

СИЛОВОЙ ГЕРМАНИЕВЫЙ ДИОД

Заявлено 4 июля 1960 г. за ¹ 672405/24 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Опубликовано в «Бюллетене изобретений» ¹ 4 за 1961 г.

Известны силовые германиевые диоды на ток 1000 а и обратное напряжение 100 в с улучшенным теплоотводом путем двухстороннего принудительного (водяного) охлаждения.

В опис 1ваемом диоде для упрощения изготовления и предохранения выпрямляющего перехода от механических повреждений выпрямляюц,ий диффузионный и — р переход получают с помощью послевплавной диффузии сурьмы из двойного сплава свинец-сурьма в низкоомнь|й геоманий р-типа, а припайку перехода к основаниям корпуса диода прочзводят тягучим индиевым припоем.

На чертеже изображена схема диода.

Изготовление силовых германиевых диодов состоит в том, что прн гченяют отшлифованный и протравленный в 4% пе",,екпси водорода диск 1 из германия р-типа с удсльным сопротивлением 8 — 12 оги/с!. п

:1иффузионной длиной 0,7 — 1,5 ил, имеющий диаметр 40 .ил1 и толщи1гу

0,5 л1и. N-p-переход 2 изготавливают с помощью послевплавной диффузии сурьмы из двойного сплава свинец-сурьма, содержагцего 9 % свинца и 3% сурьмы. С этой целью в одну из сторон диска 1 вплавляюг диск 3 указанного сплава диамет",.ом 36 лл и толшиной 0,2 лл. Вптав.Tгние осуществляют в течение 20 — 25 л1ин при температуре 800 — 810, а диффузию ведут в течение 5 — б час при температуре 770 — 780 .

Омическии контакт с противоположной стороной диска 1 полу1а;от путем проплавления диффузионной п-области, покрываюшей в. сь диск 1, сплавом олово-индий, содержащим 70% олова и 30% индия. Раз меры диска из указанного сплава — диаметр 40 и.11 и толщина 0,2 и.и.

Приплавление омического контакта производят при прогреве в гсчение 5 — б,иан до температуры 490 — 500 и последующем подъеме т:,;пературы за 2 — 3 мин до 510 — 515 . После удаления диффузионно э и-слоя и обнажения перехода 2 путем травления в кипящей 4% перекиси водорода переход 2 покрывают термореактивным компаундом МВ1 -3

¹ 135977

1позиция 4}. К основаниям 5 переход 2 припаивают тягучим индиевым припоем б, содержащим 50% индия и 50% олова, в течение 3 — 4 лик при температуре 200 . В результате припаивания по обе стороны перехода получают термоизолируюшие и компенсирующие подушки 7, толщина которых определяется диаметром ограничительных колец 8 и равна ),35 мя.

П р едмет изобретения

Я g

Составитель Ю. A. Буянов

Редактор Л. Н. Гольцов Техред А. A. Камышникова Корректор И. А. Шпынева

Подп. к печ. 14.XI-62 г. Формат бум. 70Х108 /1в

Зак. 10997 Тираж 1150

ЦБТИ Комитета по делам изобретений и открытий при

Москва, Центр, М. Черкасский пер., Объем 0,18 изд. л.

Цена 4 коп.

Совете Министров СССР д. г!б.

Типография ЦБТ11, Москва, Петровка, 14

Силовой германиевый диод на ток 1000 а и обратное напряжение

100 в с улучшенным теплоотводом путем двухстороннего принудительного (водяного) охлаждения, отличающийся тем, что, с целью упрощения изготовления и предохранения выпрямляющего перехода от механических повреждений, выпрямляющий и-р переход получают способом послевплавной диффузии сурьмы из двойного сплава свинец-сурьма в низкоомный германий р-типа, а припайку перехода к основаниям корпуса диода производят тягучим индиевым припоем.