Переключатель плоских магнитных доменов

Переключатель плоских магнитных доменов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств на плоских магнитных доменах (ПМД). Целью изобретения является упрощение переключателя. Переключатель ПМД содержит магнитоодноосную пленку, напыленную на немагнитную подложку и покрытую диэлектрической пленкой 3, на которой расположены основной 4, 5 и дополнительный 6, 7 каналы продвижения ПМД из высококоэрцитивных ферромагнитных аппликаций 8, Э. Аппликации 8 и 9 соединены высококоэрцитивной ферромагнитной перемычкой 10 и гальванически связаны с токопроводящей шиной управления 11. Переключатель ПМД может работать в следующих основных режимах: переключение ПМД из основного в дополнительный канал, переключение ПМД из дополнительного в основной канал, реплицирование ПМД из основного в дополнительный канал и реплицирование ПМД из дополнительного в основной канал. 2 ил. (Л

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

ÄÄSUÄÄ 1365128 А1 (5D 4 G 11 С 11 14

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К ABTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ИСОА

Утл

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И OTHPblTHA (21) 4088858/24-24 (22) 10.07.86 (46) 07. 01. 88. Нюл. (71) Ереванский государственный университет (72) Г.Г.Шакарян и Г.А.Вермишян (53) 681.327.66 (088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

I 1022218, кл. G 11 С 11/14, 1982 °

Авторское свидетельство СССР

9 1034071, кл. G 11 С 11/14, 1982. (54) ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ ПЛОСКИХ МАГНИТНЫХ

ДОМЕНОВ (57) Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств на плоских магнитных доменах (ПМД). Целью изобретения является упрощение переключателя. Переключатель ПМД содержит магнитоодноосную пленку, напыленную на немагнитную подложку и покрытую диэлектрической пленкой 3, на которой расположены основной 4, 5 и дополнительный 6, 7 каналы продвижения ПМД из высококоэрцитивных ферромагнитных аппликаций 8, 9. Аппликации 8 и 9 соединены высококоэрцитивной ферромагнитной перемычкой 10 и гальванически связаны с токопроводящей шиной управления 11.

Переключатель ПМД может работать в следующих основных режимах: переключение ПМД из основного в дополнительный канал, переключение ПМД из дополнительного в основной канал, реплициронание ПМД из основного в дополнительный канал и реплицирование ПМД из дополнительного в основной канал, 2 ил, С:

Для того, чтобы величины размагничивающих полей ц, „ перемычки 10 и аппликаций 8 и 9 были одинаковы, а также для более надежного растяжения ПМД, перемычку 10 выполняют в

1,2-1,5 раза толще аппликаций 8 и 9.

Нарушение укаэанного условия в ст<ро55

1 13651

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств на плоских магнитных доме5 нах (ПИД) .

Целью изобретения является упрощение переключателя.

На фиг.1 изображена конструкция переключателя; на фиг.2 — разрез А-А на фиг. 1.

Переключатель ПИД (фиг,1 и 2) содержит магнитоодноосную пленку t, напыленную на немагнитную подложку 2 и покрытую диэлектрической пленкой

3, на которой расположены основной

5 и дополнительный 6, 7 каналы продвижения ПИД из высококоэрцитивных ферромагнитных аппликаций 8 и 9, соединенных высококоэрцитивной ферромаг- 2р нитной перемычкой 1О и гальванически связанных с токопроводящей шиной 11 управления.

Переключатель ПМД может работать в режимах переключения ПИД иэ o

В режиме переключения ПИ., иэ основного в дополнительный канал домен под действием наносекундного импульсного поля Й и однородного магнитного поля Н „ определенной величины перемещается и поступает на вход основного доменопродвигающего канала 4.

При достижении высококоэрцитивной перемычки 1О домен растягивается и начинает реплицироваться. В этот момент в токопроводящую шину 11 управления подаетея импульс тока та1 кой величины и длительности, которая необходима для коллапса домена в основном канаге. Осганшийся домен перемещается по дополнительному каналу 7 и поступает на его выход. Увеличивая длительность импульса тока I, можно переключить иэ основногo канала ы -дополнительныи непрерывную последова тельность ПИД, 28 ну увеличения ведет к самопроизвольному возникновению,ПИД, генерирование которых обусловлено большой величиной размагничивающего поля перемычки 10. Токопроводящая шина 11 уп— равления выполнена иэ немагнитного материала, в противном случае возникает опасность влияния локального магнитного поля токопроводящей шины на работу переключателя. Величина т магнитного поля Н, возникающего вокруг аппликации 9 под действием тока

1< и в области ферромагнитной пленки

1 совгадающего по направлению с магнитным полем Н< (Й4 Й„), должна удовлетворять условию Н „ „,„„ -Н, Н, где Н„ — величина однородного ма "нитного поля Н, при котором информационные домены коллапсируют.

В дополнительном канале продвижеФ ния ПИД магнитное поле Н б Н„, что приводит к небольшому росту информационных доменов в области действия магнитного поля Н. При подаче в управляющую шину 11 импульса тока I y (I IJ1=>I,I) ПИД, поступающий на вход

4 основного канала, следует по перемычке IO где он растягивается и реплицируется, и поступает на выход основного канала 5., ПИД, поступающий после растяжения и репликации в дополнительный канал, под действием магнитного поля Н коллапсирует.

Переключение ПИД иэ дополнительного в основной канал осуществляется подачей в токопроводящую шину 11 управления импульса тока Гт(11,1 =II,I).

В режиме реЬлицирования ПИД из осФ новного в дойолнительный канал домен поступает на вход 4 основного канала и перемещается вдоль него. Под действием раэмагничивающего поля перемычки 10 ГП1Д растягивается и далее реплицируется под воздействием магнитного поля, возникающего между треугольным выступом перемычки 10 и аппликациями 8 и 9, формирующими основной и дополнительный каналы продвиженля ПИД. Это магнитное поле действует в направлении, противоположном действию магнитного поля Н „,, и при угле треугольного выступа ферромагнитной о перемычки 10 в пределах 70-90 достигает величины, необходимой для надежной репликации ПИД. Реплицирование

Г<<Д иэ дополнительного в основной канал происходит таким же образом.

13651 ления.

Составитель Ю.Розенталь

Редактор О.Головач Техред И.Верес Корректор В.Бутяга

Заказ 6618/44 Тираж 590 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, я 4

Пример..Магнитоодноосная маг" нитомягкая ферромагнитная пленка получена вакуумным напылением сплава

Ni(82X) — Fe(i8X) на стеклянную подложку, нагретую до 100 С, Толщина пленки 0,15 мкм, коэрцитивная сила

1Э, поле анизотропия Н „=6Э, Н„=ЗЭ, Н =0,4Н„=2,4Э, толщина стеклянной тл подложки 200 мкм, толщина диэлектрического слоя (SiO) О, 1 мкм, ширина аппликации 8,9-200 мкм, толщина аппликации 8,9-0,2 мкм, толщина ферромагнитной перемычки 10-0,26 мкм, угол треугольного выступа ферромагнитной 15 перемычки 80, I,=I 1=25 мА, минимальная величина длительности импульса тока Г,и 1 для подключения МД 50мкс.

28 4

Формула изобретения

Переключатель плоских магнитных доменов, содержащий магнитоодноосную пленку, на которой расположены основной и дополнительный каналы продвижения магнитных доменов из ферромагнитных аппликаций и токопроводящая шина управления, о т л н ч а ю шийся тем, что, с целью упрощения переключателя, ферромагнитные аппликации основного и дополнительного каналов продвижения плоских магнитных доменов соединены ферромагнитной перемычкой и гальванически связаны с токопроводящей шиной управ—