Устройство записи информации на основе бистабильных переключателей

Устройство записи информации на основе бистабильных переключателей

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к области полупроводниковой электронной техники и может быть использовано при репрограммировании матриц памяти на основе некристаллических элементов памяти . Цель изобретения - повьшение надежности устройства записи информации . В устройстве записи на основ аморфных полупроводников применено раздельное воздействие сигналов, поступающих через разделительные элементы на один из выводов бистабильного переключателя. Введение дополнительного дысокоомнрго источника сигнала и схемы задержки позволяет исключить неуправляемое токовое воздействие на бистабильный переключатель в момент включения в провогящее состояние. Раздельное управление включением в проводящее состояние и записью бистабильного элемента исключает его многократное неуправляемое переключение длительным импульсом напряжения . 2 ил. (Л

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (19) (!!) (51)4 Н 01 L 28 24

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К ABTOPCHOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 4042294/24-24 (22) 10.01.86 (46) 15.01.88. Бюл. У 2 (71) Институт кибернетики им.В.М.Глушкова (72) Д.M.Íåêðàñîâ и В.И.Бураченко (53) 681.327.66(088.8) . (56) Устройство записи, М.: Электроника, 1970, т,20, с.56.

Физика полупроводников и микроэлектроника. Межвузовский сборник Рязанского политехнического института, В 4, Рязань. Политехнический институт, 1977, с.123. (54) УСТРОЙСТВО ЗАПИСИ ИНФОРМАЦИИ НА

ОСНОВЕ БИСТАБИЛЬНЫХ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЕЙ (57) Изобретение относится к области полупроводниковой электронной техники и может быть использовано при репрограммировании матриц памяти на основе некристаллических элементов памяти. Цель изобретения — повышение надежности устройства записи информации. В устройстве записи на основ аморфных полупроводников применено раздельное воздействие сигналов, поступающих через разделительные элемен-, ты на один из выводов бистабильного переключателя ° Введение дополнительного высокоомного источника сигнала и схемы задержки позволяет исключить неуправляемое токовое воздействие на бистабильный переключатель в момент включения в провогящее состояние.

Раздельное управление включением в проводящее состояние и записью бистабильного элемента исключает его многократное неуправляемое переключение длительным импульсом напряжения. 2 ил.

1 136706

Изобретение относится к полупроводниковой электронной технике и может быть использовано при репрограммировании матриц памяти на оСнове

5 некристаллических полупроводниковых элементов памяти.

Целью изобретения является повышение надежности устройства.

На фиг.1 представлено устройство записи на основе аморфного элемента; на фиг ° 2 — диаграммы работы устройства.

Устройство содержит источник 1 постоянного напряжения смещения бистабильного элемента, источник 2 постоянного напряжения смещения базы, генератор 3 импульсов записи, элемент 4 задержки, высокоомный источник

5 напряжения, бистабильный элемент 6, 20 токозадающий элемент 7 на резисторе, усилительный элемент 8 на транзисторе, ограничительные элементы 9, 10 на резисторах, разделительные элементы 11 — 13 на диодах, информационные 25 выходы 14, 15, делитель 16 напряже- . ния, состоящий из элементов 9, 10, транзисторный формирователь 17. тока состоит из элементов 7, 8, делителя

16 напряжения и источника 2. 30

Работа осуществляется следующим образом.

В исходном состоянии транзисторный формирователь 17 тока находится в насыщении за счет смещения на базе эле35 мента 8 от источника 2. Элемент 6 находится в высокоомном состоянии, на выводах 14, 15 элемента 6 находятся соответственно потенциалы источников 1. 5. Разность потенциалов долж- 40 на быть меньше U„, где Б„ — пороговое напряжение бистабильного переключателя. По сигналу "Пуск" источник

5 сигнала по первому выходу вырабатывает положительный уровень напряжения, обеспечивающий заданное падение напряжения на коллекторе элемента 8.

В результате происходит запирание коллекторного перехода и через формирователь 17 протекает ток заданной величины. По второму выходу источника 5 срабатывает элемент 4 задержки и осуществляет задержку д„ короткоимпульсного сигнала (фиг,2) включения генератора 3 относительно переднего

55 фронта сигнала источника 5 на время, соответствующее времени запирания коллекторного перехода элемента 8.

При включении бистабильного переключателя 6 в проводящее состояние короткоимпульсным сигналом от генератора 3 через диод 11 и переключатель 6 начинает протекать ток заданной величины от источника 1, записывающий проводящее состояние. При этом неуправляемое токовое воздействие на переключатель 6 исключается.

Раздельное управление включением в проводящее состояние и записью бистабильного элемента исключает многократное неуправляющее переключение длительным импульсом напряжения генератора 3.

Формула изобретения

Устройство записи информации на основе бистабильных переключателей, содержащее бистабильный переключатель на аморфном полупроводнике, ограничительный и токозадающий элементы на резисторах, усилительный элемент на транзисторе, источник напряжения смещения базы транзистора усилительного элемента, выходы которого подключены соответственно к первому выводу резистора ограничительного элемента и шине нулевого потенциала, соединенной с, первым выводом резистора токозадающего элемента, вторые выводы резисторов ограничительного и токозадающего элементов подключены соответственно к базе и эмиттеру транзистора усилительного элемента, коллектор которого подключен к первому выводу бистабильного переключателя и является первым информационным выходом устройства, второй вывод бистабильного элемента является вторым информационным выходом устройства, о т л и ч а ю— щ е е с я тем, что, с целью повышения надежности устройства, в него введены генератор импульсов включения бистабильного переключателя, высокоомный источник напряжения, источник постоянного напряжения смещения бистабильного переключателя, элемент задержки, второй ограничительный элемент на резисторе, первый, второй и третий разделительный элементы на диодах, причем выходы источников постоянного напряжения смещения бистабильного переключателя и высокоомного источника напряжения сигнала подключены соответственно к анодам первого и третьего диодов разделительных эле136 ментов, .катоды которых подключены соответственно к второму и первому выводам бистабильного переключателя, вход и выход элемента задержки подключены соответственно к второму выходу высокоомного источника напряжения сигнала и входу. генератора импульсов записи информации, управляющий вход высокоомного источника напряжения является управляющим входом устройства, выход генератора импуль7069 сов записи информации подключен к аноду диода второго разделительного элемента, катод которого подключен к второму информационному выходу уст5 ройства, выводы резистора второго ограничительного элемента подключены соответственно к базе транзистора усилительного элемента и шине нулевого потенциала, заземляющие выводы всех источников напряжений подключены к шине нулевого потенциала. Риг. 7

1367069 ЮФХ

Ок

Составитель А.Ершова

Редактор М.Циткина Техред Л.Сердюкова Корректор О.Кравцова

Заказ 6846/51 Тираж 746 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, r. Ужгород, ул, Проектная, 4