Способ измерения импульсной проходящей мощности свч с помощью полупроводника
Патент 136799
Авторы
Классы МПК
Способ измерения импульсной проходящей мощности свч с помощью полупроводника
Иллюстрации
Реферат
Яо 136799
Класс 21а 71
21е 36оз ссср
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Подписная группа Лв 89
Ю. К, Пожела и А. И. Вебра
СПОСОБ ИЗМЕРЕН ИЯ ИМПУЛЬСНОЙ ПРОХОДЯЩЕЙ
МОЩНОСТИ СВЧ С ПОМОЩЬЮ ПОЛУПРОВОДНИКА
Заивлсно 8 августа !960 г. за № 675956/26 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Мпнистров СССР
Опубликовано в «Бюллстене изобретений» № 6 за !96! г
Д.7я измерения больших мощностей на сверхвысоких частотах используются в основном два способа: калориметрический и болометрический. Оба они не являются достаточно точными, а калориметрический — громоздок.
Предлагаемый способ отличается от известных тем, что позволяет увеличить точность измерений, расширяет рабочий диапазон частот и упрощает процесс измерения. Это достигается тем, что мощность измеряют по изменению в электрическом ноле сопротивления валентногo полупроводника, например, иглообразной формы, вводимого в волновод через отверстие в его широкой стенке.
Сущность способа основана на использовании эффекта уменьшения подвижности носителей тока с увеличением напряженности электрического поля в валснтных полупроводниках, в которы. . длина свободного пробега носителей тока (электронов или дырок) не зависит от электрического поля. Изменение подвижности носителей тока привод;!т
K изменен и)о проводимости среды, которое отмечается обь|чным и clloсобами. Применяя предлагаемый способ, существенно уменьшается ко личество несистематических ошибок измерения, поскольку используегое явление имеет внутриатомную природу, благодаря чему ьнешние условия (температура и пр.) не оказыва!от заметного влияния.
Предмет изобретения
Способ измерения импульсной проходящеи мощности СВ 1 с помощью полупроводника, от 7 и ч а ю щи и с я тем, что, с целью увеличения точности измерений, расширения рабочего диапазона частот и упрощения процесса измерения, мощность измеряют по изменению в электрическом поле сопротивления валентного полупроводника, наприме!>, путем введения через отверстие в широкой стенке волновода нглообразного полупроводника.