Высокочастотный резистор

Высокочастотный резистор

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к технике СВЧ и может использоваться при построении миниатюрных коаксиальных и / Ч / плосковых устр-в.Высокочастотный резистор представляет собой диэл. подложку 1, на которой размещены круглая контактная площадка (КП) 2, кольцевая КП 3, расположенные коаксиально, резистивный слой (PC) 4, расположенный между КП 2,3, и проводники 5 в виде колец, которые расположены коаксиально КП 2,3 и разделяют PC 4. Подводимая к КП 2,3 мощность СВЧ рассеивается на PC 4. Проводники 5 обеспечивают снижение плотности тока в каждой последующей части PC 4. Для получения макс, допустимой рабочей мощности ширина частей PC 4, ближайших к круглой КП 2, минимальна, а ширина проводников 5 максимальна. 1 ил. 2 5 с (Л со О СП Од со

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК (l9) (П) (g)) 4 Н 01 Р 1/26

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ

К А BTOPCKOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Г21) 3970498/24-09 (22) 30 ° 10.85 (46) 30.01.88. Вюл. У 4 (71) Казанский авиационный институт им.А.Н.Туполева (72) Е.А.Соколов (53) 621.372.85 (088,8) (56) Патент США N 3678417, кл. Н 01 P 1/26, 1979.

Патент ФРГ и 2604972, кл. Н 01 P 1/26, 1978. (54) ВЫСОКОЧАСТОТНЫЙ РЕЗИСТОР (57) Изобретение относится к технике

СВЧ и может использоваться при построении миниатюрных коаксиальных и плосковых устр-в.Высокочастотный резистор представляет собой диэл. подложку 1, на которой размещены круглая контактная площадка (КП) 2, кольцевая КП 3, расположенные коаксиально, резистивный слой (PC) 4, расположенный между КП 2,3, и проводники 5 в виде колец, которые расположены коаксиально КП 2,3 и разделяют PC 4. Подводимая к КП 2,3 мощность СВЧ рассеивается на PC 4. Проводники 5 обеспечивают снижение плотности тока в каждой последующей части РС 4. Для получения макс. допустимой рабочей мощности ширина частей PC 4, ближайших к круглой КП 2, минимальна, а ширина с ф проводников 5 максимальна. 1 ил.

Составитель В.Алыбин

Техред А.Кравчук Корректор О. Кравцова

Редактор А.Маковская

Заказ 415/45

Тираж 632 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д, 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г.Ужгород, ул.Проектная,4

1 137056

Изобретение относится к технике

СВЧ и может быть использовано при построении миниатюрных коаксиальных и полосковых устройств.

Целью изобретения является повышение допустимой рабочей мощности.

На чертеже показана конструкция высокочастотного резистора.

Высокочастотный резистор содержит диэлектрическую подложку 1, на которой размещены круглая контактная площадка 2 и кольцевая контактная площадка 3, расположенные коаксиально, причем между ними размещен резистив- 1г ный слой 4, разделенный проводниками

5, выполненными в виде колец, расположенных коаксиально с круглой 2 и кольцевой 3 контактными площадками.

Высокочастотный резистор работает следующим образом, При подключении к круглой 2 и кольцевой 3 контактным площадкам источника СВЧ мощности последняя рассеивается на резистивном слое 4. Плот- 25 ность тока в резистивном слое 4 максимальна у круглой контактной площадки 2, Наличие проводников 5 обеспечивает снижение плотности тока в каждой последующей части реэистивно- Зр го слоя 4 и пространственное разнесение частей резистивного слоя 4, при этом улучшаются условия теплоотвода и растет допустимая рабочая мощность. Для получения максимально допустимой рабочей мощности ширина час9 2 тей резистивного слоя 4, ближайших к круглой контактной площадке 2, минимальна, а ширина проводников 5, ближайших к круглой контактной площадке 2, максимальна, Сопротивление каждой из частей реэистивного слоя 4 рассчитывают исходя из того, чтобы на любой единице площади резистивного слоя 4 рассеивалась одинаковая мощность, а суммарное сопротивление всех частей реэистивного слоя 4, включенных последовательно, равнялось требуемому номинальному значению.

Нанесение круглой и кольцевой контактных площадок 2,3, резистивного слоя 4 и проводников 5 с двух сторон диэлектрической подложки позволяет дополнительно увеличить допустимую рабочую мощность, Формула и э обретения

Высокочастотный резистор, содержащий диэлектрическую подложку, на которой размещены круглая и кольцевая контактные площадки, расположенные коаксиально, а между ними размещен резистивный слой, разделенный проводниками, о т л и ч а ю щ и й— с я тем, что, с целью повышения допустимой рабочей мощности, проводники выполнены в виде колец, расположенных коаксиально с -круглой и кольцевой контактными площадками,