Цепь питания диода параметрического устройства

Цепь питания диода параметрического устройства

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к радиотехнике и улучшает амплитудно-фазовую стабильность параметрич. устр-ва. Изменение уровня накачки или сигнала приводит к изменению постоянного то- . . ка через параметрич. полупроводниковый диод (ПД) 2 и через ПД 4, диф. сопротивление к-рого изменяется пропорционально постоянному току. Изменение сопротивления ПД 4 приводит к изменению режима ПД 2. При малых токах реализуется режим автосмещения, а при больших - режим принудительного смеш;ения. В результате расстройка резонансных цепей 1 при изменении уровня сигнала или накачки уменьшается . Внутреннее сопротивление регулируемого источника 3 постоянного смещения не додгжно превьшгать 0,1 величины диф. сопротивления ПД 4. Вольтамперная х-ка ПД 4 должна иметь тот же характер, что и х-ка ПД 2 для обеспечения плавности перехода из режима с автосмещением к режиму с принудительным смещением. 1 ил. 2 « (/ С

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИ Х

РЕСПУБЛИК (51)4 Н 03 F 7/04

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

И ABTOPGHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ

f3 1

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 4103671/24-09 (22) 14.08.86 (46) 15.02.88. Бюл. № 6 (71) Сибирский физико-технический институт им. В.Д.Кузнецова при Томском государственном университете им. В.В.Куйбышева (72) В.Б.Антипов (53) 621.375. 126(088.8) (56) Патент США № 3824482, кл. Н 03 F 7/00, опублик. 1974.

Авторское свидетельство СССР

¹ 353334, кл. Н 03 F 7/04, опублик.

1972. (54) ЦЕПЬ ПИТАНИЯ ДИОДА ПАРАМЕТРИЧЕСКОГО УСТРОЙСТВА (57) Изобретение относится к радиотехнике и улучшает амплитудно-фазовую стабильность параметрич. устр-ва.

Изменение уровня накачки или сигнала

ÄÄSUÄÄ 1374402 Д1 приводит к изменению постоянного то- . ка через параметрич. полупроводниковый диод (ПД) 2 и через ПД 4, диф. сопротивление к-рого изменяется пропорционально постоянному току. Изменение сопротивления ПД 4 приводит к изменению режима ПД 2. При малых токах реализуется режим автосмещения, а при больших — режим принудительного смещения. В результате расстройка резонансных цепей 1 при изменении уровня сигнала или накачки уменьшается. Внутреннее сопротивление регулируемого источника 3 постоянного смещения не должно превьппать 0,1 величины диф. сопротивления ПД 4. Вольт- д ф амперная х-ка ПД 4 должна иметь тот же характер, что и х-ка ПД 2 для обеспечения плавности перехода из ре- жима с аатосмещеиием к режиму с принудительным смещением. 1 ил.

1374402

Формула из обретения

Составитель В.Газаров

ТехРед М. Ходанич

Редактор Л.Пчолинская

Корректор В.Бутяга

Заказ 618/54 Тираж 928 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, r. Ужгород, ул. Проектная, 4

Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано в радиопередающих и радиоприемных устройствах.

Цель изобретения — улучшение амплитудно-фазовой стабильности параметрического устройства.

На чертеже приведена цепь питания диода параметрического устройства.

К резонансным цепям подключен параметрический полупроводниковый диод

2. Параметрический полупроводниковый диод 2 подключен к регулируемому источнику 3 постоянного смещения через дополнительный полупроводниковый диод 4, который включен с диодом 2 последовательно и согласно по постоянному току.

Устройство работает следующим образом.

Напряжение накачки и сигнала подается на резонансные цепи 1, к которым подключен параметрический полупроводниковый диод 2, периодическое изменение емкости которого под действием напряжения накачки приводит к усилению либо преобразованию сигнала. Изменение уровня накачки или сигнала приводит к изменению постоянного тока через параметрический полупроводниковый диод 2 и, соответственно, через дополнительный полупроводниковый диод 4, дифференциальное сопротивление которого изменяется пропорционально постоянному току. Изменения сопротивления дополнительного полупроводникового диода 4 приводит к изменению режима параметрического полупроводникового диода 2. При малых токах реализуется режим автосмещения, а при больших — режим принудительного сме- . щения, в результате чего расстройка резонансных цепей 1 при изменении уровня сигнала или накачки уменьшается. Внутреннее сопротивление регулируемого источника 3 при этом не должно превышать одной десятой величины дифференциального сопротивления дополнительного полупроводникового диода 4, вольт-амперная характеристика которого должна иметь тот же характер, что и вольт-амперная характеристика параметрического полупроводникового диода 2 для обеспечения плавности перехода из режима автосмещения к режиму принудительного сме5 щения.

Цепь питания диода параметрического устройства, содержащая резонансные цпи, к которым подключен параметрический полупроводниковый диод, соединенный с регулируемым источни25 ком постоянного смещения, о т л и— ч а ю щ а я с я тем, что, с целью улучшения амплитудно-фазовой стабильности параметрического устройства, в него введен дополнительный полупроводниковый диод, который включен между регулируемым источником постоянного смещения и параметрическим нолупроводниковым диодом последоватеЛьно и согласно с ним по постоянному току, при этом вольт-амперная характеристика дополнительного полупроводникового диода имеет тот же характер, что и вольт-амперная характеристика параметрического полупроводникового диода, а отношение сопротивления ре40 гулируемого источника постоянного смещения к дифференциальному сопротивлению дополнительного полупроводникового диода не превышает 0,1.