Аналоговый ключ на полевых транзисторах

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение может быть использовано в устройствах коммутации систем автоматики и передачи данных. Аналоговый ключ на полевых транзисторах содержит первые полевые транзисторы (ПТ) 1 и 2 пи р-типа соответственно , вторые ПТ 3 и 4 ри п-типа соответственно, третьи ПТ 5 и 6 ри п-типа соответственно, транзисторы 7,8, Д-диод 9, входную и выходную шины (Ш) 12 и 13 соответственно , управляющие Ш 14,15 и Ш 16, 17 источников питания. Изобретение компенсирует коммутационные помехи и исключает влияние зависимости сопротивления открытого ключа от величины коммутируемого сигнала. 1 ил. (Л 00 sj 4 to tc 14)

СОЮЭ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (1) 4 Н 03 K 17/687

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К д ВТ0РСНОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (61) 1208601 (21) 4081725/24-21 (22) 12.05,86 (46) 15.02.88. Бюл. ¹ 6 (71) Таганрогский радиотехнический институт им.В.Д.Калмыкова (72) Е.Б.Механцев, А.Г.Краснопольский, Г.В.Рысухин, А.И.Сухоруков и В,И.Гаврилюк (53) 621.382 (088.8) (56) Патент США ¹- 3532899, кл. Н КИ 307 †2, 01.11.70.

Авторское свидетельство СССР

¹ 1208601, кл. Н 03 К 17/687, 02.07.84. (54) АНАЛОГОВЬЙ КХПОЧ НА ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ

ÄÄSUÄÄ 1374422 A 2 (57) Изобретение может быть использовано в устройствах коммутации систем автоматики и передачи данных.

Аналоговый ключ на полевых транзисторах содержит первые полевые транзисторы (ПТ) 1 и 2 и- и р-типа соответственно, вторые ПТ 3 и 4 р- и и-типа соответственно, третьи ПТ 5 и 6 р- и и-типа соответственно, транзисторы 7,8, -диод 9, входную и выходную шины (Ш) 12 и 13 соответственно, управляющие Ш 14,15 и Ш 16, 17 источников питания. Изобретение компенсирует коммутационные помехи и исключает влияние зависимости сопротивления открытого ключа от велиИ чины коммутируемого сигнала. 1 ил. 9

1 137442

Изобретение относится к имп пьсной технике и может быть использовано в устройствах коммутации систем автоматики и передачи данных, Цель изобретения — повышение точ- 5 ности передачи ключа за счет компенсации коммутационных помех и исключения влияния зависимости сопротивления открытого ключа от величины коммутируемого сигнала.

Цель достигается путем введения в устройство двух пар полевых транзисторов соответственно р- и п-типов, которые совместно с полевыми транзисторами канала передачи ключа обра15 зуют симметричный дополняющий последовательно — параллельный ключевой элемент, а также путем выполнения

Л-диода в виде пары последовательно соединенных полевых транзисторов разного типа проводимости, общая точка которых соединена с общей точкой параллельных плеч ключевого элемента. При этом, обеспечивается постоянное напряжение смещения затворов полевых транзисторов канала передачи ключевого элемента и противофазное подавление коммутационных помех, чем и достигается повышение точности коммутации.

На чертеже приведена принципиальная схема аналогового ключа при использовании полевых транзисторов с р-п переходом.

Устройство содержит первые попе- 35 вые транзисторы 1 и 2 соответственно п- и р-типа, вторые полевые транзисторы 3 и 4 соответственно р- и и-типа, третьи полевые транзисторы 5 и 6 также р- и п-типа, первый 7 и второй 40

8 Ъ -транзисторы, Л-диод 9, выполненный на двух последовательно соединенных полевых транзисторах 10 и 11 разного типа проводимости. Истоки этих транзисторов соединены и образуют среднюю точку Л-диода, а затвор и сток разноименных полевых транзисторов Ь-диода попарно образуют первый и второй электроды Л-диода 9.

Первые токовые электроды первых

1 и 2 и вторых 3 и 4 полевых транзисторов подключены соответственно к входной 12 и выходной 13 шинам, вторые токовые электроды первых полевых транзисторов,1 и 2 объединены и подключены к истоку третьего полевого транзистора 5 р-типа, а вторые токовые электроды вторых полевых транзисторов 3 и 4 объединены и подключены

2 2 к истоку третьего полевого транзистора 6 п-типа. Стоки третьих полевых транзисторов 5 и 6 соединены со средней точкой Л -диода 9.

Первый Л-транзистор 7 включен между первой управляющей шиной 14 и первым электродом il-диода 9, к которому подключены также затворы полевых транзисторов р-типа. Второй транзистор 8 включен между второй управляющей шиной 15 и вторым электродом h-диода 9, к которому подключены также затворы полевых транзисторов п-типа. Управляющие электроды

A-транзисторов 7 и 8 соединены соответственно с шинами 16 и 17 источников питания.

Устройство работает следующим образом.

В закрытом состоянии ключа на первую управляющую шину .14 подан положительный сигнал, а на вторую управляющую шину 15 — отрицательный.

При этом, первая 16 и вторая 17 шины источников питания подключены соответственно к положительному и отрицательному полюсам источников питания.

h -Транзисторы 7 и 8 при этом открыты, а Л-диод 9 закрыт. На затворы полевых транзисторов 1-6 поступают запирающие напряжения, и аналоговый сигнал с входной шины 12 не поступает на выходную шину 13.

При подаче на управляющие шины

14 и 15 сигналов противоположной полярности оба Л -транзистора 7 и 8 закрыты, а Л-диод 9 открыт. На затворы полевых транзисторов 1-6 поступают сигналы, которые переводят их в проводящее состояние, и аналоговые сигналы с входной шины .12 поступают на выходную шину 13. Аналоговый ключ открыт.

Открытые полевые транзисторы 5 и

6 обеспечивают соединение затворов этих транзисторов с их истоками.

Благодаря этому, напряжение затвористок этих транзисторов постоянно, и сопротивление ключа не зависит от величины коммутируемого аналогового сигнала.

Полевые транзисторы 4 и 5 образуют дополняющий параллельный канал передачи аналогового сигнала, благодаря чему также повышается линейность сопротивления ключа в открытом состоянии, и увеличивается точность передачи.

1374422

Составитель В.Лементуев

Техред А.Кравчук Корректор И.Муска

Редактор А.Огар

Заказ 619/55

Тираж 928 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г.Ужгород, ул.Проектная,4

Управляющие сигналы поступают на первую 14 и вторую 15 управляющие шины в противофазе. Поэтому коммутационные помехи, вызываемые сигналами 5 управления, благодаря наличию паразитных емкостей затвор-исток и затвор-исток полевых транзисторов 1-6, компенсируются, и на выходной шине

13 снижается величина помех, и повышается точность коммутации, Формула изобретения

Аналоговый ключ на полевых транзисторах по авт. св. N - 1208601, о т- 15 л и ч а ю шийся тем, что, с целью повышения точности передачи ключа, в него введены второй и третий полевые транзисторы п-типа, второй и третий полевые транзисторы р-типа, 20 а -диод выполнен на двух последовательно соединенных полевых транзисторах разного типа проводимости, истоки которых соединены и образуют среднюю точку М -диода, а затвор и 25 исток разноименных полевых транзисторов попарно образуют первый и второй электроды 3 -диода, первый токовый электрод второго полевого транзистора р-типа соединен с входной шиной, а первый токовый электрод второго полевого транзистора и-типа соединен с выходной шиной, вторые токовые электроды этих полевых транзис-. торов объединены и соединены с истоком третьего полевого транзистора п-типа, сток которого соединен с истоком, третьего полевого транзистора р-типа и подключен к средней точке -диода, исток третьего полевого транзистора соединен с точкой объединения токовых электродов первых полевых транзисторов соответственно ри п-типа, затворы второго и третьего полевых транзисторов р-типа подключены к первому электроду Д-диода, а затворы второго и третьего полевых транзисторов п-типа подключены к второму электроду -диода.