Устройство для измерения эдс холла в области пространственного заряда

Устройство для измерения эдс холла в области пространственного заряда

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к магнитным измерениям и позволяет повысить надежность и достоверность измерений. Холловские, потенциальные и токовые электроды (Э) 3, 2 и 4 расположены на изоляционной пластине 1. Потенциальный Э 7 расположен над полупроводниковой пластиной (П) 6. На токовые Э 4 подается переменное напряжение, которое наводит в П 6 высокочастотный ток, протекающий в плоскости П 6. Одновременно создают электростатическое поле, перпендикулярное плоскости П 6, путем подачи разности потенциалов между потенциальными Э 2 и 7, установленными с возможностью вертикального перемещения относительно друг друга а также постоянное магнитное поле. При этом заряды, протекающие в области пространственного заряда, под действием переменного электрического поля отклоняются к холловским Э 3, где устанавливается переменная ЭДС Холла. 2 ил. S (П

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

РЕСПУБЛИК

„.SU„„

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

Н ASTOPCHOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 3957289/24-21 (22) 09. 07. 85 (46) 29.02.88. Бюл. Ф 8 (71) Физико-технический институт со специальным конструкторским бюро и опытным производством Уральского научного центра АН СССР и Устиновский механический институт (72) С.В. Худяков, С.М. Кубашев, Л.А.Стерхова и С.В. Николаев (53) 621.317.44(088.8) (56) Жарких Ю.С. и др. Макроэлектроника, т. 12, вып. 4, 1983, с. 375. (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ЭДС

ХОЛЛА В ОБЛАСТИ ПРОСТРАНСТВЕННОГО

ЗАРЯДА (57) Изобретение относится к магнитным измерениям и позволяет повысить надежность и достоверность измерений.

Холловские, потенциальные и токовые электроды (Э) 3, 2 и 4 расположены на изоляционной пластине 1. Потенциальный Э 7 расположен над полупроводниковой пластиной (П) 6. На токовые

Э 4 подается переменное напряжение, которое наводит в П 6 высокочастотный ток, протекающий в плоскости П 6.

Одновременно создают электростатическое поле, перпендикулярное плоскости

П 6, путем подачи разности потенциалов между потенциальными Э 2 и 7, установленными с воэможностью вертикального перемещения относйтельно друг друга, а также постоянное магнитное поле. При этом заряды, протекающие в области пространственного заряда, под действием переменного электрического поля отклоняются к холловским Э 3, где устанавливается . еременная ЭДС Холла. 2 ил.

1377787

Изобретение относится к магнитным измерениям и предназначено для измерения ЭДС Холла в области пространственного заряда полупроводников на стадии промежуточного контроля в процессе изготовления приборов и интегральных схем.

Цель изобретения — повышение надежности и достоверности измерений 10 за счет возможности использования одного и того же устройства для измерения серии образцов без нарушения целостности их и за счет использования бесконтактного метода измерений.

На фиг. 1 изображено предлагаемое устройство, вид сбоку; на фиг. 2— разрез А-А на фиг. 1.

Устройство содержит изоляционную пластину 1, первый потенциальный 20 электрод (резистивный) 2, холловские

3 и токовые 4 электроды. держатели 5, размещенные на пластине 1, образец 6 и второй потенциальный электрод 7, находящийся в контакте с образцом. 25

Образец 6 укрепляют на держателях

5 исследуемой поверхностью к потенциальному электроду 2. При этом электроды 2 и 7 расположены друг под другом и укреплены на штативе (не показан) с возможностью вертикального перемещения относительно друг друга. Металлизированный электрод 8 опускают до соприкосновения с образцом и обеспе-. чения электрического контакта с ним.

На токовые электроды 4 подается пере35 менное напряжение, которое из-за емкостной связи наводит в образце 6 высокочастотный ток, протекающий в плоскости образца. Одновременно с переменным напряжением создают электростатическое поле, перпендикулярное плоскости образца при подаче разности потенциалов между потенциальными электродами 2 и 7, а также постоянное магнитное поле. При этом заряды, протекающие в области пространственного заряда, под действием переменного электрического поля отклоняются к холловским электродам 3, где устанавливается измеряемая ЭДС Холла.

Формула изобретения

Устройство для измерения ЭДС Холла в области пространственного заряда, содержащее полупроводниковую пластину и пары холловских, токовых и потенциальных электродов, о т л и— ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения надежности и достоверности измерений, в него введена дополнительная изоляционная пластина, с.держателями образца, на которой расположены холловские и токовые электроды

l и один из потенциальных электродов, выполненный в виде резистивной пленки, находящейся в электрическом контакте с холловскими и токовыми электродами, а другой потенпиальный электрод расположен, над полупроводниковой пластиной с возможностью верти" кального перемещения для обеспечения электрического контакта с полупроводниковой пластиной.

1377787

Составитель Г. Павлов

Редактор Е. Копча Техред Л.Сердюкова КорректорВ.Гирняк

Заказ 868/42 . Тираж 772 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб, д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, r. Ужгород, ул. Проектная, 4