Датчик давления

Датчик давления

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относитсн к контрольно-измерительной технике и позволяет повысить чувствительность датчика . На основании 5 в корпусе размещена прямоугольная мембрана 1, на поверхности которой в центре нее размещен активный 2, а на утолщенном краю - компенсационный 3 резонаторы. Эти резонаторы выполнены в виде решетки встречно-штыревых преобразователей поверхностных акустических волн с полосовыми отражателями. Воздействующее на датчик давление характеризуется разностью частот резонаторов 2 и 3. Изменение т-ры окружающей среды приводит к смещению начальных частот резонаторов 2 и 3 на и.иинакоБую в. личину и не влияет на выходную характеристику датчика. Толщина мембраны 1 выбирается не менее шести периодов решетки встречноштыревых преобразователей, а ее ширина превышает апертуру зтих преобразователей не менее чем в два раза. 1 3.п. ф-лы, 3 ил. S (Л

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

< 4 G01L11/00

ВСЕС

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н ABTOPCKOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ (54) 1АТЧЛК ДАВ 1ЕНИЯ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

IlO ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21) 3845231/24-10 (22) 12. 12. 84 (46) 07.03.88. Вюл, Р 9 (71) Рязанский радиотехнический институт (72) И,F,. Сырмолотнов, П,И. Захар.ящев, В.b. Акпамбетов и Г.Н. Галанов (53) 531.787(088,8) (56) Авторское свидетельство СССР

Ф 1201696, кл. Г 01 L 11/00, 1984. (57) Изобретение относится к контрольно-измерительной технике и позволяет повысить чувствительность датчика. На основании 5 в корпусе размещена прямоугольная мембрана 1, на поверхности которой в центре нее раз„„SU„„ I 379656 А 1 мешен активный 2, а на утолщенном краю — компенсационный 3 резонаторь, Эти резонаторы выполнены в виде решетки встречно-штыревых преобразователей поверхностных акустических волн с полосовыми отражателями. Воздействующее на датчик давление характеризуется разностью частот резонаторов 2 Er 3. Изменение т-ры окружающей среды приводит к смещению начальных частот резонаторов 2 и 3 на о:,инаковую в личину и не влияет на выходя.-ю характеристику датчика.

Толщина мембраны 1 выбирается не менее шести периодов решетки встречноштыревых преобразователей, а ее ширина превышает апертуру зтих преобразователей не менее чем в два раза.

1 з,п. ф-лы, 3 ил, С:

1379656 где

Quz!

Составитель А.Зражевский

РедактоР М.БланаР ТехРед А,Кравчу„ Корректор С.Черни

Заказ 973/44

Тирах 847 Подписное

ВНИИИИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, r. Умгород, ул. Проектная, 4

2. Датчик по и. 1, о т л и ч аю шийся тем, что температурный коэффициент линейного расширения основания ы, выбран иэ условия

ы, м, -ы т ес, и р — температурные коэффициенты линейного расширения мембраны в продольном и поперечном направлениях.