Способ растрирования электрофотографического прозрачного микроизображения

Способ растрирования электрофотографического прозрачного микроизображения

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к способу растрирования электрофотографического прозрачного мнкроизображения. Позволяет улучшить качество изображения путем устранения непосредственного контакта оптического растра с прозрачным микроизображением. Раст- pHpoBaHiie осуществляют со стороны подложки электрофотографического материала . Растр выполнен фазовым на прозрачном фототермопластическом материале . При растрировании растр обращен рельефом к подложке. Для растрирования и экспонирования используют световой поток с изменяемой апертурой . (О

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК (51) 4 (03 G 16/00

ВСГЮ" 1"-11 %

l3,",,)3

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К А ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21) 4114304/40-12 (22) 29.08,86 (46) 15.03.88. Бюп, И - 10 (72) В.А.Макарычев, Л.И.Нюнько и В.10.Анинкявичюс (53) 772,93 (088.8) (56) Июнько Л.И., Станявичюс С.А., Усс С,Н,, Чижас A.Т.Фильтрация шума при воспроизведении ФТПЗ вЂ” Тез.докл.

11 Всесоюэ.конф, "Бессеребряные и необычные фотографические системы, Кишинев, 1975. (54) СПОСОБ РАСТРИРОВА11ИЯ ЭЛЕКТРОФОТОГРАФИЧЕСКОГО ПРОЗРАЧНОГО МИКРОИЗОБРАЖЕНИЯ

„„SU„„1381417 А1 (57) Изобретение относится к способу" растрирования электрофотографического прозрачного микроизображения.

Позволяет улучшить качество изображения путем устранения непосредственного контакта оптического растра с прозрачным микроизображением, Растрирование осуществляют со стороны подложки электрофотографического материала, Растр выполнен фазовым на прозрачном фототермопластическом материале. При растрировании растр обращен рельефом к подложке. Для растрирования и экспонирования используют световой поток с изменяемой апертурой.

1381417

Изобретение относится к микрофиль"мированию, в частности к фотографии, электрофотографии, фототермопластики, занимающихся регистрацией уменьшен5 ных изображений.

Цель изобретения — улучшение качества изображения путем устранения непосредственного контакта оптиче ского растра с прозрачным микроизображе- lð ни ем.

Сущность изобретения состоит в следующем.

Со стороны подложки ° электрофотографического материала помещают опти- !5 ческий растр, который выполнен фазовым, и экспонируют его, При этом для экспонирования растровой структуры до, во время нли после экспонирования основного изображения применяют 20 источники света с таким угловым размером относительно фокусирующих фазовых элементов растра, чтобы изображение источника света в фокальной плоскости этих элементов не превос- 25 ходило ra(где > — период фазового растра, К « ) — отношение ширины темных элементов растра к ширине светлых элементов) . Изменяя угловой размер источника света относительно фа- 30 зового растра путем изменения его расстояния до указанного растра можно оперативно изменять значение К, добиваясь требуемого соотношения ширин элементов растровой структуры. 35

Высокая разрешающая способность и однородность фазового растра обеспечивается тем, что его получают на светочувствительном материале, в частности на фототермопластическом 40 материале, путем записи на нем голограммы на несущей частоте, соответствующей частоте микроструктуры. В частном случае это может быть голограмма, которую получают при записи .15 двух скрещенных когерентных плоских волн. В этом случае образуется линейчатый фазовый растр с периодом ? определяемым углом, под которым схо-s дятся плоские волны. В этом случае в растрированном иэображении могут иметь место муаровые эффекты. Для их устранения при формировании фазового растра используют интерференцию опорного и предметного пучков, т.е. записывают реальную голограмму

Френеля, в которой нет четкого направления интерференционннх полос, как в линейчатом растре.

Пример. Для регистрации уменьшенного в 2lx изображения журнального текста используют фототермопластический материал ФТПП-М2, включающий металлизированную лавса" новую подложку толщиной 175 мм (и=

=1,6) и фототермопластический слой толщиной d = --4мкм на основе ПВК и сополимера стирола с дивинилом. Наилучшие дед>ормационные свойства

ФТПС имеет на частоте квазирезонанса !

2d

-- — -125 мм а частоты ниже 40Ф

->

50 мм ФТПС практически не передает, В регистрируемом иэображении имеются линии различной ширины в диапазоне 15-100 мкм, которые нельзя зарегистрировать без растрирования.

Для этого на таком же ФТПС регистрируют голограмму двух плоских когерентных волн (лазер ЛГ-52), в результате проявления которой на поверхности фототермопластического материала образуется рельеф, соответствующий растру с частотой !00 мм и глубиной 0,5 мкм, Получают фазовый растр " элементами, фокусирующими световой поток в плоскости, отстоящей от фазового растра на расстояние

f = 100 мкм в воздухе (или на расстояние и 100 мкм=160 мкм в лавсане), Фазовый рельеф ылотно прижимают к подложке с помощью узла электростатической сенсибилизации до напряжения 250 В.

Далее экспонируют растровую структуру до снижения среднего потенциала до 180В, а затем экспонируют изображение журнальной страницы до снижен ния потенциала до 100В. Полученное изображение проявляют импульсным инфракрасным блоком проявления мощностью 1 Джейсм за время 0,8 с. Для

2 экспонирования растра используют лампу накаливания 70 Бт с размером тела накала 5 мм. При расстоянии от фазового растра 100 мм ширина светлых и темных элементов практически со»падает так что при проявлении регистрирующего материала на нем образуется растр симметричной структуры глубиной 0,6 мкм на темных элементах записываемого изображения.

Удаляя источник от фазового растра, можно формировать на фототермопластическом материале несимметричныи растр, который имеет лучшие деформационные свойства и позволяет увели1381417 чить глубину фазового рельефа до

1 мкм.

Составитель M.111àòèí

Техред М.Дндык Корректор П Кундрик

Редактор Л.Пчолинская

Заказ 1182/40

Тирах 442 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб,, д.4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г.ухгород, ул.Проектная,4

Формула из о бр е те ния

Способ растрирования злектрофото5 графического прозрачного микроиэображення, включающий экспонирование микроиэображения на электрофотографический материал с одновременным его растрированием световым потоком через оптический растр, о т л и ч а ю щ и Йс я тем, что, с целью улучшения качества изобрахения путем устранения непосредственного контакта оптического растра с прозрачным микроиэображением растрирование осуществляют со стороны подлохки электрофотографического материала световым потоком с изменяемой апертурой, при этом растр выполнен фазовым на прозрачном фототермопластическом материале и обращен рельефом к подлохке,