Формирователь импульсов записи

Формирователь импульсов записи

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к области электронной и вычислительной техники и используется в программируемых запоминающих устройствах, использующих инжекцию горячих носителей для записи информации в ячейки памяти накопителя, и является усовершенствованием изобретения по авт. св. № 1297114. Цель изобретения - повыщение эффективности программирования за счет стабилизации амплитуды импульса записи . Поставленная цель достигается тем, что в формирователь импульсов записи введены токозадающий и опорный транзисторы, а также ячейки памяти, в которые записывается идентичный уровень записи, что исключает разброс электрических характеристик ЗУ в режиме считывания информации, 1 ил.

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (5D 4 О 11 С 7 06

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К ABTOPGHOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (61) 1297114 (21) 4104879/24-24 (22) 15.08.86 (46) 15.03.88. Бюл. ¹ 10 (72) В. П. Сидоренко, Н. Б. Груданов и А. А. Хоружий (53) 681.327.66 (088.8) (56) Авторское свидетельство СССР № 1297114, кл. Ci 11 С 5/02, 1985. (54) ФОРМИ РОВАТЕЛ Ъ ИМПУЛ ЪСОВ

ЗАПИСИ (57) Изобретение относится к области электронной н вычислительной техники и используется в программируемых запоминающих

Л0„„1381594 А2 устройствах, использующих инжекцию горячих носителей для записи информации в ячейки памяти накопителя, и является усовершенствованием изобретения по авт. св. № 1297114. Цель изобретения — повышение эффективности программирования за счет стабилизации амплитуды импульса записи. Поставленная цель достигается тем, что в формирователь импульсов записи введены токозадающий и опорный транзисторы, а также ячейки памяти, в которые записывается идентичный уровень записи, что исключает разброс электрических характеристик ЗУ в режиме считывания информации, 1 ил.

13815>94

Изобретение относится к электронной технике, предназначено для использования в электрически программируемых запоминающих устройствах, использующих инжекцию горячих носителей для записи информации в ячейки памяти накопителя и является усовершенствованием изобретения по авт. св. No 1297114.

Цель изобретения -- повышение эффективности программирования путем стабилизации амплитуды импульса записи формирователяя.

На чертеже представлен формирователь импульсов записи.

Устройство содержит транзистор 1 записи, шину 2 записи, информационную входную шину 3, транзистор 4 смещения, первый клк>чевой транзистор э, шину 6 нулевого потенциала, нагрузочный транзистор 7, транзистор 8 выборки, второй ключевой транзистор 9, шину 10 питания, транзистор 1! сдвига уровня напряжения, запоминающий транзистор 12, третий ключевой транзистор 13 и-р-и типа, шину 14 отрицательного смещения, управляющие входы 15 и 16, токозадающий 17 и опорный 18 транзисторы, и ячеек памяти, выполненных на компенсирующих транзисторах 19.1 — 19.п.

Формирователь работает следующим образом.

При подаче высоковольтного напряжения (л рр) на шину 2 записи, через токозадающий транзистор 17 протекает ток, обеспечивающий падение напряжения на опорном транзисторе 18, которое эквивалентно величине напряжения на плавающем затворе запоминающего транзистора 12 в записанном состоянии. Предлагаемое включение токозадающего 17 и опорного 18 транзисторов обеспечивают слабую зависимость величины выходного напряжения (сток транзистора 18) в достаточно широком диапазоне изменения напряжения записи, а также от величины порогового напряжения данных транзисторов. Напряжение с опорного транзистора 18 подается на управляющий и плавающий затворы запоминающего транзистора 12 и таким образом в структуре запоминающего транзистора 12 создаются условия, идентичные условиям, имеющим место в реальном запоминающем транзисторе, находящемся в записанном состоянии, которое харакгеризуется минимальной величиной напряжения лавинного пробоя (Х:: .") Ec1H на управляющие входы 15, 16 подаются напряжения высокого уровня, примерно равные величинам напряжения питания на шине 10, транзистор 8 выборки и второй ключевой транзистор 9 переходят в открытое состояние, таким образом затвор ключевого транзистора 5 подключается к шине 6 нулевого потенциала через последовательно включенные транзисторы 8 и 9. При этом первый ключевой транзистор 5 закрыт и на за5

1О

45 творе транзисторов 1 и 11 через транзистор 4 тока смещения передается напряжение записи с шины 2. Транзистор 11 открывается, и на стоковую область запоминающего транзистора 12 передается напряжение,примерно равное разности напряжения записи на шине 2 и порогового напряжения транзистора 11. В случае, когда данное напряжение превышает величину напряжения лавинного пробоя стокового перехода, происходит лавинный пробой и возникает снижение носителей в подложку, которая приводит к положительному смещению области подложки вблизи запоминающего транзистора 12, а следовательно и базы биполярного транзистора 13. В результате протекания тока в цепи транзистора

13, напряжение на затворе транзистора сдвига уровня 11 напряжения ограничивается на уровне, обеспечивающем передачу напряжения равного V.» на сток транзистора 12, а следовательно, и на общую числовук> шин 3. Через транзистор 1 записи передается напряжение V.- Таким образом, в пределах длительности импульса записи его амплитуда остается неизменной, так как напряжение на плавающем затворе запоминающего транзистора 12 в процессе программирования остается постоянным, а следовательно, отсутствует модуляция напряжения лавинного пробоя.

В случае значите II.Hblx токов утечки Ilo столбцу накопителя в режиме программирования, компенсация их влияния на амплитуду формируемых импульсов записи достигается следующим образом. Так утечки через ячейки памяти 19 1 19 п, равные току утечки через ячейки памяти столбца накопителя, понижают величину напряжения на стоке запоминающего транзистора 12, что приводит к уменьшению тока инжекции в подложку запоминающе о устройства, а следовательно, уменьшается и напряжение смещения на базе биполярного транзистора 13.

В результате чего, напряжение на затворе транзистора сдвига уровня 11 напряжения увеличивается, и на стоке запоминающего транзистора устанавливается напряжение V. ", а на выходе устройства исток транзистора 1 записи, обеспечивается постоянная амплитуда импульса записи.

Для обеспечения максимальной компенсации влияния токов утечки ячейки памяти

19.1 19.п конструктивно должны быть выполнены идентично столбцу накопителя ЗУ.

Преимущество данного формирователя импульсов записи состоит в том, что повышается эффективность программирования и во все ячейки памяти накопителя записывается идентичный уровень записи, что исключает разброс электрических характеристик ЗУ в режиме считывания информации.

1381594

Форму га изобретения

Составитель Л. Ершова

Рсд;<к <ор М 1 оптин Техред РЕ Верес Корректор 11. Короли

Заказ с>24<49 Тираж 59П 11одписное

Вг1г111ПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж 35, Раушская наб.. д. 4 5

11рои <и>дственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ië. 11роелтная. 4

Формирователь импульсов записи tlo авт. св. Х 1297114, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности программирования за счет стабилизации амплитуды импульсов записи в формирователь импульсов записи введены токозадающий и опорный транзисторы, столбец ячеек памяти, состоящий из и-компенсирующих транзисторов, причем сток и затвор токозадающего транзистора подключены к шине записи формирователя, а его исток соединен со стоком опорного транзистора, затвор и сток опорного транзистора соединены с управляющим и плавающим затворами запоминающего транзистора, управляющие затворы икомпенсирующих транзисторов ячеек памяти объединены и подключены к шине нулевого потенциала, формирователя. их стоки объединены и подключены к истоку транзистора сдвига уровня напряжения, исток опорного транзистора и истоки и-компенсирующих транзисторов ячеек памяти подключены к шине нулевого потенциала формирователяя.