Магниторезистор

Магниторезистор

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОИИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН

09) (11) (5!)5 Н Ol Ь 43/08

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К А ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ

1 (46) 23. 08. 90. Бюл. Ф 31 (21) 4012725:/24-25 (22) 26, 12,85 (72) Е.П.Антонец (53) 621.73,82 (088.8) (56) Вайс Г,. Физика гальваномагнит- ных полупроводниковых приборов H ux применение, 1984 с. 384..

Заявка Японии 11 . 60-57687, кл. Н Ol 1. 43/02, опублик ..1985, (54 ) мАГнитОРезистоР (57) Изобретение относится к области полупроводниковой техники, к резисторам, управляемлм магнитным лолем. Целью изобретения является

Ф увеличение чувствительности магниторезистор а. Иа гни тор ези стор содержит полупроводниковую пластину, расположенную на подложке из анизотропного высококоэрцнтивного ферромагнетика. Цель изобретения - повышение чувствительности. В 4ерромагнетике сформирована доменная структура по крайней-мере из двух доменов. Намагниченности в доменах нормальны йлоскости подложки и противоположны одна другой. . Пластина располагается вдоль доменов с одинаковым направлением намагниченности. 1 ил.

l 385957

1., Иагнитореэистор, содержащий полупроводник на подложке, содержа-щей ферромагнитный материал, о т1О л и ч а ю шийся тем, что, с целью повыщения чувствительности, . подложка выполнена из анизотропиого . высокозрцнтивного ферромагнетика, в котором сформирована доменная .структура -в виде по крайней мере, двух,. доменов с, намагниченностями, перпендикулярными плоскости подложки и противоположными одна другой, при этом полупроводник размещен только

20 вдоль доменов с одинаковым направлением намагниченности, 2, Иагниторезистор по п,I "о .т— л и ч а ю шийся тем, что он дополнительно содержит, вторую подложку аналогичную первой, размещен " ную над полупроводниковой пластиной, при .этом- распределение намагниченности в доменах первой и второй подВ ложек одинаково.

ЗО .:

3. Иагниторезистор по н. 2,q о.тл и ч а ю шийся тем, что он дополнительно содержит пластины из магнитамягкого материала, размещенные

35 над полупроводниковой пластиной и под подложкой.

Изобретение относится к области полупроводниковой техники, к резисторам„ управляемым магнитным полем, и может быть использовано при из,готовлении приборов, измеряющих напряженность магнитного поля, в автоматике контроля изменения величины и напряженности магнитного поля, I

Целью изобретения является увеличение чувствительности магнитореэистора, Изобретение поясняется чертежом, ° на котором изображен магнитореэистор.

Он содержит подложку 1, полупроводниковую пластину 2 с проводниковыми выводами 3.

Иагкиторезистор работает следую.-„ щим обр азом.„Доменные структуры ферромагнитной подложки создают начальное магнитное поле в полупроводниковой пластине, увеличивая ее "удельное сопротивление и смещая раб,чую точку, При помеще-. нии магниторезистора в измеряемое магнитное поле оно приводит к. дополнительному .изменению удельного сопротивления, которое в присутствии смещающего магнитного поля существенно болиде. чем без него.

Исп ">льзоваж е изобретения поэзо; лит существенно увеличить чувстви тельно . гь нагни". орезисторов создать

/ датчики линейно преобразующие изменения величины магнитного поля в изме" нения сопротивления, существенно упростить схемы измерения, %

Формул а и зобр етения