Способ синтеза двуокиси марганца

Способ синтеза двуокиси марганца

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к химии .сверхтонких слоев и может быть применено при создании изделий оптики,микроэлектроники и магнитных материалов различного назначения. С целью синтеза химически чистых слоев заданной толщины подложку обрабатьшают растворами перманганата калия и сульфатом двухвалентного марганца последовательно и многократно с отмьшкой после каждой из обработок избытка реагента насьщенным раствором двуокиси марганца. Разброс толщин слоя составляет ±0,5 нм. ,

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

„„Я0„„1386600 А 1 (5И 4 С 03 С 17/25

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ

И A BTGPCHCilVIY СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ЫИ1Ы; (57) Изобретение относится к химии сверхтонких слоев и может быть применено при создании изделий оптики,микроэлектроники и магнитных материалов различного назначения. С целью синтеза химически чистых слоев saданной толщины подложху обрабатывают растворами перманганата калия и сульфатом двухвалентного марганца последовательно и многократно с отмывкой после каждой иэ обработок избытка реагента насыщенным раствором двуокиси марганца. Разброс толщин слоя составляет 0,5 нм. (2!)- 4010248/31-33 (22) 07.01.86 (46) 07.04.88,Бюл. М 13 (71). ЛГУ им.А.А.Жданова (72) В.П.Толстой, JI.È.Áoãäàíoâà и Г.ВЛитюкова (53) 666.1.056 (088.8) (56) Суйковская Н.В. Химические методы получения тонких прозрачных пленок. - Л.: Химия, 1971, с.71.

Некрасов В.Б.Основы общей химии.M.: Химия, 1974, с.308. (54) С11ОСОБ СИНТЕЗА ДВУО ИСИ NAPIAH1IA

1386600 — jm) 2(МпО ) (MnO )agc, Формула изобретения

jmj 2(MO,) (М а, ) agc +

+ Мп (п 4(МпО ) (Мп )agc.

Составитель Г.Буровцева

Техред Л.Сердюкова Корректор В.Вутяга

Редактор И. Николайчук

Заказ 1466/28 Тираж 425 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, .Ж35 ° Раушская наб., д, 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, r. Ужгород, ул. Проектная, 4

Изобретение относится к химии твердых веществ, точнее к химии сверхтонких слоев, и может быть при.менено при создании изделий оптики, микроэлектроники, а также магнитных материалов различного назначения.

Целью изобретения является обеспечение синтеза химически чистых слоев двуокиси марганца заданной толщины на подложке.

При синтезе слоев данным способом образование слоя заданной толщины при обработке подложки с адсорбированными ионами Мп в растворе КМпОц происходит за счет того, что в водном растворе на его поверхности протекает реакция (mg(Mn )agc + Мп04 а затем после извлечения его из раствора и отмывки от избытка реагента насыщенным раствором ИпО который применяется для того, чтобы не происходило растворения синтезированного слоя в промывающей жидкости, и поме щения в раствор MnSO -реакция

После данной обработки и отмывки избытка реагента на поверхности вновь появляются адсорбированные ионы Ип, которые могут вступать в последующие реакции с ионами.-ИпО, и слой ИпО толщиной, задаваемой количеством циклов обработки.

Пример. Подложку as кварцевого стекла обрабатывают последова" тельно в течение 5 мин в 0,1 М солей Ип$0„ н KMnO< c отмывкой после каждой иэ обработок 200 мл насыщенного раствора ИпО . Обработку выполняют 5, 10 и 15 раз, измеряя после каждой из них толщину слоя методом эллипсометрии, которая дает результаты 2,5; 5 и 7,5 нм, и оптическую плотность слоев при % = 400 нм,коf0 торая оказалась равной 0,05; 0,1 и 0,14. Измерение рентгеноэлектронных и инфракрасных спектров данных слоев показало.присутствие в -слоях молекул воды и отсутствие других при15 месей.

Таким образом, применение.изобретения дает возможность синтезировать слои двуокиси марганца толщиной, за20 даваемой числом циклов обработки с разбросом толщин слоя «+ 5 нм, нано.сить слои на изделия сколь угодно сложной формы и получать слои с наименьшим содержанием-примесей.

Способ синтеза двуокиси марганца путем обработки раствора перманганаЗ0 та калия восстановителем, о т л ич а ю шийся тем, что, .с целью обеспечения синтеза химически .чистых слоев заданной толщины на подложке, в качестве восстановителя испольэуЗ5 ют раствор сульфата двухвалентного марганца, а обработку подложки в растворах сульфата двухвалентного марганца и перманганата калия выполняют последовательно и многократно с

40 отмывкой после каждой as обработок насыщенным раствором двуокиси марганца.