И @ л ячейка

И @ л ячейка

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к области импульсной техники и может быть использовано в цифровых интегральных устройствах автоматики и вычислительной техники. И Л-ячейка содержит ключевой многоколлекторный транзистор .1 типа п-р-п, входные диоды Шоттки 3, многоэмиттерный транзистор 4 типа р-п-р, транзистор 5 типа п-р-п, инжекционный транзистор 2 типа р-п-р, общую шину 7. И Л-ячейка имеет увеличенную надежность за счет повьшенной устойчивости к коротким замыканиям выхода на шину питания. 2 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

А1 (19) (11) (5D 4 Н 03 К 19 091

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ

I асв ()р>,„,, „

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ 13,," 1 48 (23 съ;„

+Ep

Фиа1

М АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4076956/24-21 (2?) 05,05.86 (46) 07.04.88. Бюл. Р 13 (71) Ереванский политехнический институт им. К.Маркса (72) С.О.Мкртчян и С,А.Мелконян (53) 621.374 (088.8) (56) Алексенко А.Г., Шагурин И.И.

Микросхемотехника. — М.: Радио и связь, 1982, с. 70, рис.2.18(б).

Аваев Н,А., Думин В.Н,, Наумов Ю.Е. Большие интегральные схемы с инжекционным питанием. — М.:

Советское радио, 1977, с ° 150, рис.4.17(в), . (54) И Л-ЯЧЕЙКА (57) Изобретение относится к области импульсной техники и может быть использовано в цифровых интегральных устройствах автоматики и вычислительной техники. И2Л-ячейка содержит ключевой многоколлекторный транзистор .1 типа п-р-п, входные диоды Шоттки 3, многоэмиттерный транзистор 4 типа р-n-p, транзистор 5 типа п-р-п, инжекционный транзистор 2 типа р-п-р, общую шину 7. И Л-ячейка имеет увеличенную надежность за счет повышенной устойчивости к коротким замыканиям выхода на шину питания. 2 ил.

1386951

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в цифровых интегральных устройствах автоматики и вычислительной тех5 чики.

Цель изобретения — увеличение надежности И Л-ячейки путем повышения устойчивости к коротким замыканиям выхода на шину питания.

На фиг.1 приведена принципиальная электрическая схема И Л-ячейки; на фиг,2 — структура И Л-ячейки, поперечный разрез. 15

И Л-ячейка содержит ключевой мно гоколлекторный транзистор 1 типа п-р-п, инжекционный транзистор 2 типа р-и-р и входные диоды Шоттки 3, многоэмиттерный транзистор 4 типа р-и-р и транзистор 5 типа п-р-п.Эмиттеры многоэмиттерного транзистора 4 соединены с коллекторами многоколлекторного транзистора 1 и подключены к . выходам 6 ячейки, база транзистора 4 подключена к общей шине 7, а коллектор соединен с базой транзистора 5, коллектор которого соединен с базой многоколлекторного транзистора 1, а эмиттер подключен к шине 7, база транзистора,1 через диоды Шоттки соединена с входами ячейки.

Ячейка работает следующим образом, Пусть на входах — логический нуль. 31

Это означает, что ток через транзистор 2 протекает к входу через диод

Шоттки 3 и транзистор 1 заперт, Следовательно, на выходе — логическая единица. В этом состоянии транзис- 10 торы 4 и 5 также заперты и не влияют . на работу ячейки. Запертое состояние транзистора 4 обеспечивается тем, что на входе последующего каскада также имеются диоды Шоттки и, поскольку сумма падений напряжения на переходе база — эмиттер транзистора 4 и диоде

3 Шоттки больше падения напряжения на переходе база — эмиттер транзистора 1, по током последующего каскада открывается ключевой транзистор 1 этого каскада, а не транзистор 1 предыдущего каскада. Закрытое состояние транзистора 5 обеспечивается отсутствием его базового тока. В этом55 состоянии короткое замыкание выхода б на шину питания +Е не опасно для транзистора 1, так как он заперт, Оно не опасно также для транзистора

4, так как он, как и транзистор 2, реализован с толстой базой.

Пусть теперь на входах — логическая единица. Это означает, что ток направляется на базу транзистора 1 и открывает его. Поэтому на выходе 6 получаем логический нуль. При этом транзисторы 5 и 4 не влияют на работу ячейки, так как они заперты.

Если в этом состоянии произойдет короткое замыкание выхода 6 на шину питания, то откроется транзистор 4, а следом и транзистор 5. Входной ток протекает через транзистор 5 на общую шину. Поэтому транзистор 1 запрется и тем самым предотвратится его пробой током короткого замыкания. По устранении короткого замыкания, на выходе ячейки транзистор 4, а следом и транзистор 5 закроются и схема вер"нется в исходное состояние, т.е. транзистор 1 откроектся. В первоначальный момент короткого замыкания через открытый транзистор 1 протечет ток до тех пор, пока не сработает обратная связь через транзисторы 4 и 5 и не закроет транзистор 1 Поскольку время срабатывания обратной связи маленькое (20-30 нс), то за это время транзистор 1 не успевает пробиваться.

Таким образом, дополнительные транзисторы 5 и 4 в нормальном состоянии совершенно не влияют на работу И Л-ячейки, но в случае короткого замыкания на выходе запирают ключе" вой многоколлекторный транзистор и тем самым предотвращают его пробой. !

Формул а изобретения

И Л-ячейка, содержащая ключевой многоколлекторный транзистор п-р-и типа с инжекционным питанием, коллекторы которого соединены с соответствующими выходами ячейки, а база через соответствующие входные диоды

Шоттки подключена к входам ячейки, отличающаяся тем, что, с целью увеличения надежности, в нее введены многоэмиттерный транзистор р-и-р типа и транзистор п-р-и типа, при этом эмиттеры многоэмиттерного транзистора подключены к выходам ячейки, база — к общей шине, а коллектор — к базе транзистора, эмиттер которого соединен с общей шиной, а коллектор — с базой многоколлекторного транзистора.

1386951

Составитель А.Янов

Техред JI.Ñåðäþêîâà

Корректор С.Черни

Редактор П.Гереши

Тираж 928 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Заказ 1493/45

Производственно-полиграфическое предприятие, r, Ужгород, ул. Проектная, 4