Накопитель информации

Накопитель информации

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к вычисли тельной технике и может быть использовано для построения запоминающих устройств. Накопитель информации содержит слой 1 магнитоодноосного мате риала, в котором сформирована матрица запоминающих ячеек. Каждая запоми нающая ячейка состоит из монодоменной области 2, охваченной одной координатной шиной, принадлежащей первой группе, и другой координатной шиной, принадлежащей второй группе шин. Координатные шины первой группы размещены на слое 1 и состоят из участков 3, выполненных из магниторезистивного материала, и участков 4, на которых поверх магниторезистивного материала нанесен слой высокопроводящего материала. Координатные шины второй группы 5 отделены от шин первой группы изолирующим слоем. За счет уменьшения общего сопротивления координатных шин первой группы при чтении информации снижается уровень помех , уменьшается пьедестал и сни- - жается потребляемая мощность. 1 ил. СО

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (191 (И>

А2 (sl) 4 G 11 С 11/14

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ л

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К А STOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ Q.g (61) 1292038 (21) 4143355/24-24 (22) 03.11.86 (46) 30.04,88. Бюл. У 16 (72) А.С.Болдырев, С.А.Дорохин, М.И.Чельдиев, Л.Ф.Шакирова и С.Л.Куперман (53) 681.327.66(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

В 1292038, кл. G 11 С 11/14, 1985. (54) НАКОПИТЕЛЬ ИНФОРМАЦИИ (57) Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для построения запоминающих устройств. Накопитель информации содержит слой 1 магнитоодноосного материала, в котором сформирована матрица запоминающих ячеек. Каждая запоминающая ячейка состоит из монодоменной области 2, охваченной одной координатной шиной, принадлежащей первой группе, и другой координатной шиной, принадлежащей второй группе шин. Координатные шины первой группы размещены на слое 1 и состоят иэ участков

3, выполненных из магниторезистивного материала, и участков 4, на которых поверх магниторезистивного материала нанесен слой высохопроводящего материала. Координатные шины второй группы 5 отделены от шин первой группы изолирующим слоем. За счет уменьшения общего сопротивления координатных шин первой группы при чтении информации снижается уровень помех, уменьшается "пьедестал" и снижается потребляемая мощность. I ил.

1392593

ВНИИ1П1 Заказ !811/55 Тираж 590

Подписное

Произв.-полигр. пр-тие, r. Ужгород, ул. Проектная, 4

Изобретение относится к вычислительной технике, может быть использо вано н запоминающих устройствах и является дополнительным к авт. св.

М 1292038.

Целью изобретения является повышение надежности и снижение потребляе1 мой мощности.

На чертеже показан фрагмент нако" пителя, содержащий 2 2 ячейки памяти.

Накопитель информации содержит слой 1 магнитоодноосного материала, в котором сформирована матрица запо-15 минающих ячеек. Каждая запоминающая ячейка состоит из монодоменной области 2, охваченной одной координатной шиной, принадлежащей первой группе,,и другой координатной шиной, принадлежащей второй группе шин. Координатные шины первой группы размещены на слое 1 и состоят из участков 3, выполненных из магниторезистивного материала, и участков 4, на которых по- 2g

1Верх магниторезистивного материала нанесен слой высокопроводящего мате риала. Координатные шины 5 второй группы отделены от шин первой группы изолирующим слоем 4 (не показан).Координатные шины первой и второй групп выполнены в виде последовательно соединенных участков в форме разомкнутых колец, магнитосвязанных с монодоменными областями соответственно строк и столбцов матрицы запоминающих элементон.

Устройство работает следующим образом.

Режимы записи и хранения информа40 ции аналогичны соответствующим режимам работы накопителя по прототипу.

Однако вследстние снижения сопротивления координатных шин первой группы за счет шунтирования частей 4 высо45 проводящим материалом на 25-302 общая потребляемая мощность также уменьшается на 10-157. Режим считывания информации аналогичен режиму считывания для накопителя информации прототипа. Во время считывания в коорди-50 натную шину первой группы (строки) подается измерительный ток I, a в координатную шину второй группы (столбца) ток считывания I . Выбранная ячейка лежит на пересечении выбранных координатных шин строки и столбца. В результате воздействия магнитного поля тока в выбранных координатных шинах столбца и строки на материал одноосной пленки участок 3 координатной шины строки или перемагничивается, либо нет в зависимости от состояния монодоменной области. В случае его перемагничивания этот участок на период перемагничивания в результате магниторезистивного эффекта изменяет свое сопротивление. В результате падение напряжения измерительного тока I на участке 3 выбранной ячейки изменяется и получается полезный считываемый сигнал "1"; Если перемагничивания нет, то полезный сигнал отсутствует и из ячейки считывается "0".

Ток считывания Iy перемагничивает также магниторезистивный слой участков 4 в местах их пересечения с координатной шиной 5. При этом сопротивление этих участков меняется. Однако магниторезистивный слой на участках

4 зашунтиронан высокопроводящим слоем и общее сопротивление участков 4 практически не изменяется. Это ослабляет сигнал помехи при считывании.

За счет уменьшения общего сопротивления координатных шин первой группы при чтении информации снижа- ется уровень помех и уменьшается пьедестал", на уровне которого считывается полезный сигнал. формула изобретения

Накопитель информации по авт.св.

11 1292038, отличающийся

ТрМ что, с целью повышения надежности и снижения потребляемой мощности, на части шин первой группы, расположенных между участками, охватывающими монодоменные области, и не связанных с ними магнитно, нанесен слой высокопроводящего немагнитного материала, гальванически связанного с магниторезистивным материалом.