Способ определения структуры слоя сыпучих материалов

Способ определения структуры слоя сыпучих материалов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к моделированию процессов, в частности к моделированию поведения сыпучих матери-, апов в газовом потоке. Предложенная критериальная зависимость позволяет расширить диапазон определения структуры -слоя. Структура слоя определяет-, f ся как функция К.К Р вк М- где Vgjj - скорость газа на входе в слой; Уц - скорость частиц материала , находящихся под воздействием газа; Sj. - площадь сечения потока газа; S - площадь сечения слоя; . вк степень равномерности распределения газа при входе в слой; ц, - степень равномерности распределения газа при выходе из слоя. К 70-1800 отвечает плотному слою, К 70 - 0,2 - псевдоожиженному слою, К 0,2 - 0,0009 - фонтанирующему слою, К 0,0009 - 0,00011 - плотному слою с зоной циркуляции в его нижней части. 2 з.п. ф-лы, 1 табл. I (Л

СВОЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК щ,д1р т 13;;

У,11" У

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

И А ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПОДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3978619/31-26 (22) 21.11.85 (4b) 07.05.88. Бюп. М 17 (71) Химико-металлургический институт АН КазССР (72) E. В. Максимов, А. Б. Талжанов, Ш. К. Капбасов, М. К. Альжанов, Е. К. Турсыпбаев и Ж. А. Койлыбаев (53) 648.342(088.8) (56) Известия вузов. Черная металлургия, 1975, II 10, с. 37-40. (54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ СТРУКТУРЫ

СЛОЯ СЫПУЧИХ МАТЕРИАЛОВ (57) Изобретение относится к модели" рованию процессов, в частности к мо" делированию поведения сыпучих матери-. алов в газовом потоке. Предложенная критериальная зависимость позволяет расвирить диапазон определения струк„„SU„„1394223 A 1 (д1) 4 С 09 В 23/24 туры слоя. Структура слоя определяет-, 1 ся как функция К.К.—

4 сл >dliv где v „- скорость газа на входе в слой; vц — скорость частиц материала, находящихся под воздействием газа; $ — площадь сечения потока газа;

8сл — площадь сечения o ; 1ехстепень равномерности распределения газа при входе в слой; ц„ — степень равномерности распределения газа при выходе из слоя. К=70-1800 отвечает плотному слою, К = 70 — 0,2 — псевдоожиженному слою, К 0,2 — 0,0009— фонтанирующему слою, К = 0,0009—

0,00011 — плотному слою с зоной циркуляции в его нижней части. 2 з.п. ф-лы, 1 табл. С::

13с14223

И.«< бретение отнОсится к моделироВ аппарат загружался известняк и подавалась струя газа снизу. Изменив параметры г»за и аппарата, добивались исевдоожиженного состояния слоя материала, н»блюдая визуально. Измерения скорости газа проводились в пяти точк»х н» входе и выходе, измерялась ско-35 сK<3ðîсть ч»стии материал» и площади сечений потока газа. м/с = 45; 47; 48; 44; 4б;

> v. 40 — 46—

5 с

<«1 с м/с

<>ых

10; 12; 11; 13;

1=!

45 м — 1I с

3J

В<,)х. ср м

>« = 7 мм," = 30мм; = 12 — °

«с

Рассчитыв»л»сь степень равномерности расс<ре)<е)<с.ния г»з» на входе и выходе из слоя т„ (! ) I3>< ср

1«»пи)<> ирс>цесс», в частности к моделир< в»иию сыпучих м»терн»лов в газовом

I IC> TO)<, 5 (!ель изобретения — расширение ди;IrI»зс и» способ>» <>иределеиия структу— ры слоя.

Пример.

О, <5 ?? ???????????????? ?????????????????? ?? ???????????????? ???? !5 ?????? ???????????????????? 2 ????” 30 ????. ?? ???????????????? ???????????????? ?????????????????? ?????????????????????????? ?????????????????? ?????????????? l,?? 2,5 ????????????)????<- ??????????????)! ???????? ???? ?????????? ???????????? (" .?? 1?? . ?????????????????????????? ?????????????? 20 ?????????????? ?????????????????????????????????? ????????????, ???????????????? ???????????? ?????????????????? ?? „???????????????????????? ???????????????????????????? ??????????????????????. ?????????????? ?????????????? ???????????? ;>с, вводимого в слой, определяли по углу раскрытия конуса газа, подаваемого сс илом

5 ;<, 0,034;

< вь)х!

3< ) < — О, 14.

Рассчитывали критерий К

0,22.

К = 0,22 соответствует псевдоожи— женному слою.

В таблице приведены различные состояния слоя и значения.

Формул а изобретения! Способ определения структуры слоя сыпучих материалов, находящ<ихся под воздействием газового потока по критериальной зависимости, о т л ич а ю шийся тем, что, с целью расширения диапазона, измеряют скорость газа на входе в слой, скорость материала, площадь сечения потока газа, введенного в слой, площадь сечения слоя, локальную скорость газа, а оценку структуры слоя сыпучих материалов производят по критериальной эа— висимости ч х " sx

t ч "с<«1 13 Ü<х где К критерий, определяющий структуру слоя; скорость газа н» входе в слой; скс>рость ч»стиц материала; площадь сечения и<>тока газа, введенного в <лс и; площадь сечения слоя; степень р»виомерис>сти р )определения г»»» н» ных< ле ех

Ч с с

l1c A

< В>< в слои степень равно I

1394223 о тлич а где циркуляции в его нижней части 0,0009-0,00011 I0

3. Способ по и. 1, о т л и ч а— ю шийся тем, что степень равномерности газа рассчитывают по формуле ср где и — число тачек измерения. корость, м/с с

Слой (визуаль ное состояние

Тип газоподводящего устройства сл газа астип атена входе в риала слой

Псевдоожиженный

Газ ораспределительная решетка

0 4 0 6 0 2 0 5

0,2 0,5 0,08 0,16

46 12

Фонтанирующий 50 10

5 001 0 4 0 7 0 7 140

Плотный

Плотный с эонои цирку-0,01 0,65 0,008 0,00007

120 90 ляции

Составитель С. Киселев

Редактор Л. К<> »риэ Техред Я.Дидык Корректор С. Черни

Заказ 2222/45 Тираж 459 Подписное !!!!!!!!!!И Государственного комитета СССР по делам изобретений и открь>тий !

l!О . >, 1!осква, Ж-35, Раушская иаб., д. 4/5

1!ро».»><;>о» пи< --полиграфическое предприят >е, г. Ужгс род, ул. !!роек >.иэя, 4

2. Способ по и. I, ю шийся тем, что терия К составляют для .Плотного

Псевдоожиженного

Фонтанирующего

Плотного с зоной

Диафрагма с центральным отверстием для подвода газа значения крисло ев

70-1800

70-0,2

0,2-0,0009

v — локальная cKop(>c Tb газа, > определяемая опытным путем;

v, — средняя скорость газа, рас— считываемая по формуле