Устройство для измерения параметров поверхностных состояний в мдп- транзисторах

Устройство для измерения параметров поверхностных состояний в мдп- транзисторах

Реферат

Устройство для изменения параметров поверхностных состояний в МДП-транзисторах, содержащее клеммы для подключения затвора, стока, истока и подложки испытуемого прибора, криостат с датчиком температуры, импульсный генератор, источник напряжения и блок регистрации и обработки данных, один из входов которого подключен к выходу датчика температуры, отличающийся тем, что, с целью повышения точности, оно снабжено вторым источником постоянного напряжения, преобразователем ток - напряжение и операционным усилителем, причем выход операционного усилителя подключен к первому входу блока регистрации и обработки данных и к клемме для подключения затвора испытуемого транзистора, первый источник постоянного напряжения подключен к клемме для подключения стока испытуемого транзистора, клеммы для подключения истока и подложки испытуемого транзистора подключены к входу преобразователя ток - напряжение, выход которого подключен к неинвертирующему входу операционного усилителя, к инвертирующему входу которого подключены выходы второго источника постоянного напряжения и импульсного генератора, соединенные между собой.