Источник тока

Источник тока

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано в источниках вторичного электропитания Цель изобретения - повьшение выходного сопротивления. Источник тока соде ржит четыре биполярных транзисторов 1-4, полевой транзистор 5 и два элемента смещения 6, 7. Петля отрицательной обратной связи, образованная транзисторами 1, 3, 5 и элементами смещения, создает определенный потенциал базы транзистора 3, Транзистор 4 выполнен в одном технологическом цикле с транзистором 3 с площадью эмиттера,, в заданное количество раз превышающей площадь эмиттера транзистора 3, Транзистор 4 формирует коллекторный ток также в заданное количество раз больший-. Величина выходного тока I giiix определяется «1 «3 «7 - коэффициенты передачи тока эмиттера транзисторов 1-4; п - отношение площадей эмиттеров транзисторов 3, 4; Igx входной ток. 1 ил. . отношением I g,; lex § (Л

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН (51)4 G 05 F 3/26

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К А ВТОРСНОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Л1

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21 ) 4167195/24-07 (22) 24.12,86 (46) 15.07.88. Бюл. 11 26 (72) Ю.А.Зубец, А,И.Гольдшер, А.И.Лашков и В.Я. Стенин (53) 621.316.722.1 (083.8) (56) Шила В,Л. Линейные интегральные схемы в РЭА. М.: Сов.радио, 1979, с. 45, рис. 2.1а.

Патент США И 4450366, кл. 0 05 Р 3/26, 1984. (54) ИСТОЧНИК ТОКА (57) Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано в источниках вторичноГо электропитания.

Цель изобретения — повышение выходного сопротивления, Источник тока содержит четыре биполярных транзисторов 1-4, полевой транзистор 5 и два

„„SU 1410006 А 1 элемента смещения 6, 7. Петля отрица" тельной обратной связи, образованная транзисторами 1, 3, 5 и элементами смещения, создает определенный потенциал базы транзистора 3. Транзистор 4 выполнен в одном технологическом цикле с транзистором 3 с площадью эмиттера, в заданное количество раз превышающей площадь эмиттера транзистора 3. Транзистор 4 формирует коллекторный ток также в заданное количество раз больший. Величина выходного тока 1,„ определяется соo(g о отношением Е „„ Iб„n — — — —, где 4 — с(- коэффициенты передач@ тока @ эмиттера транзисторов 1-4; n - -отношение площадей эмиттеров транзисто-. МФ ров 3, 4; I „ - входной ток. 1 ил, 1410006

Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано в источниках вторичного электропитания радиоэлектронной аппаратуры.

Целью изобретения является повышение выходного сопротивления источника тока.

На чертеже изображена принципиальная электрическая схема источника тока.

Устройство содержит первый 1, второй 2, третий 3 и четвертый 4 бипо" лярные транзисторы, полевой транзистор 5 обратной связи, первый 6 и вто- 15 рой 7 элементы смещения, выполненные, например, на прямосмещенных диодах или стабилитронах, входную 8 и выходную 9 шины, первую 10 и вторую ll шины источника питания. При этом к эмиттерам первого 1 и второго 2 транзисторов подключены соответственно коллекторы третьего 3 и четвертого

4 транзисторов, базы транзисторов 1 и 2 подключены к базам транзисторов 25

3 и 4 и к истоку полевого транзистора S соответственно через первый 6 и второй 7 элементы смещения, коллектор транзистора 1 подключен к входной шине 8 токового зеркала, а коллектор транзистора 2 — к выходной шине 9, эмиттеры транзисторов 3 и 4 подключены к .первой шине 10 источника питания, сток полевого транзистора 5 — к второй шине 11 источника питания.

Источник тока работает следующим образом.

Внешние токозадающие цепи отводят с входной шины 8 ток, задаваемый 0 внешним генератором. На базе транзистора 2 образуется потенциал такой величины, что его ток коллектора, проходящий через транзистор 2, равен входному. Соответствующий потенциал базы транзистора 2 возникает благодаря отрицательной обратной связи, петля которой образована транзисторами 1 и 3, полевым транзистором 5, элементами 6 и 7 смещения, Транзистор 4, выполненный в одном технологи50 ческом цикле с транзистором 3, с площадью эмиттера, в заданное количество раз превышающей площадь змиттера транзистора,З формирует коллектор" В

55 ный ток также. в заданное количество

pSS o H, T K KBK BlIGTHOCTb токов эмиттерных переходов транзисторов

3 и 4 определяется одними и теми же

Величина выходного тока Х устВых ройства (при равных напряжениях на коллекторах транзисторов 1 и 2) определяется соотношением

a(g с(g

I sb,„— Tax D э

Ы, — е(— коэффициенты переда" чи тока эмиттера тран" зисторов 1-4; где законами. Базовые токи этих транзисторов поступают из истока полевого транзистора 5 червз элементы 6 и 7 смещения. Если площадь эмиттеров транзисторов 1 и 2, выполненных в одном технологическом цикле, также находится в заданном соотношении, плотности протекающих через них токов равны, то равны также и относительные части токов коллекторов транзисторов 3 и 4, отводимые через базы транзисторов 1 и 2, и величины входного и выходного токов находятся в заданном соотношении, Данное включение транзистора 1 позволяет компен сировать потери тока коллектора, транзистора 4, которые сводятся через базу транзистора 2, доля которого может достигать 177. для боковых р"п-р-транзисторов, выполненных по стандартной планарно"эпитаксиаль" ной технологии с коэффициентом передачи тока базы p „= 5. Элемент 6 смещения, который может быть выполнен на одном или нескольких последовательно включенных прямосмещенных диодах, обеспечивает смещение, достаточное для запирания коллекторных переходов, транзисторов 3 и 4. Разность потенциалов на выводах элемента 7 смещения, который также может быть выполнен на одном или нескольких последовательно включенных прямосмещенных диодах или стабилитронах, выбирается приблизительно равной макси" мально возможному напряжению отсечки полевого транзистора 5, что обеспечивает работу транзистора 1 и активной области при любых технологических и температурных изменениях параметров активных элементов токового зеркала. Минимальная величина начального тока стока при этом должна быть выбрана равной суммарной величине базовых токов транзисторов

1 — 4 при наихудшем коэффициенте тока базы.

1410006

3 п - отношение площадей змиттеров транзисторов 3 и 4;

Х „ - входной ток.

Предлагаемый источник тока имеет значительно большее (более чем в

6 раэ) выходное сопротивление.

Формула и э о б р е т е н и я

Составитель В.Есин

Техред Л.Сердюкова: .Корректор А.Обручар

Редактор Е.Копча

Заказ 3480/44 Тираж 866 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Иосква, Ж-ÇS, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Источник тока, содержащий два биполярных транзистора, полевой транзистор и первый элемент смещения причем коллектор первого биполярного .и затвор полевого транзисторов соединены с управляющим входом источника, коллектор второго биполярного транзистора соединен с выходным выводом, базы первого и второго биполярных транзисторов объединены и подключены к первому выводу первого элемента смещения, о т л н ч а ю шийся

5 тем, что, с целью повышения выходного сопротивления, в него введены третий и четвертые аналогичные биполярные транзисторы и второй элемент смещения, причем эмиттеры первого и второго транзисторов подключены к шине питания через коллекторно-эмиттерные цепи третьего и четвертого тран" зисторов соответственно, базы .третьего и четвертого транзисторов объединены и соединены с вторым выводом

t первого элемента смещения, базы первого и второго транзисторов соединены с истоком полевого транзистора через второй элемент смещения,